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高温<span style='color:red'>IC设计</span>必懂基础知识：高温设计的优势

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高温IC设计必懂基础知识：高温设计的优势

　　随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。　　这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。本文将介绍高温设计的优势。　　高温设计的优势　　能够在高温下工作的集成电路具有多种优势。它们可以在汽车和航空航天等环境温度超过 150°C 的苛刻环境中可靠运行。这些设计通常非常稳健，包括温度保护电路，不易发生热失控和其他温度引起的故障，从而提高了系统的整体可靠性。通过耐受更高的温度，这些电路可以减少或消除对复杂冷却系统的需求，从而提供更简单、更具成本效益的解决方案。　　▷热管理　　热管理对电子系统的设计和运行至关重要，可确保性能和可靠性。可利用散热器、液体冷却和改善空气流通等方法加强散热来降低结温。然而，这些方法也会增加电子模块的重量、尺寸和成本。　　在大功率应用中，如功率开关和电动引擎等部件需要主动冷却。使用标温较高的冷却剂可以减少对大型散热器的需求，从而提高效率，但同时也要求元件能够承受更高的温度。碳化硅(SiC)功率开关适用于这些条件。在高温条件下工作并靠近功率晶体管安装的预驱动器是必不可少的，尤其是在汽车应用中，因为它们可以共享发动机冷却回路。无需特殊冷却即可在较高环境温度下工作的电路在各行各业都具有巨大的潜力。　　电源管理对于传感器等低功耗应用也至关重要，尽管这些应用的功率不高，但热管理仍然具有挑战性。这是因为传感器尺寸超小、塑料外壳、无法添加散热片等因素导致散热不佳。额外的热管理会大大增加电子模块的成本、尺寸和重量。在这种情况下，从裸片到环境的热阻可达每瓦几十到几百摄氏度。驱动传感器执行器和处理传感器数据可能需要一定的功率，这会使裸片温度比环境温度高出几十摄氏度。这就需要能够承受高温的 IC 来实现没有这些热管理措施的应用。　　另一个例子是由汽车电池直接供电的车用 IC。这可能是 12V 电池，或越来越常见的 48V 电池。在电路内部，IC 信号处理的电压可能仅需 1.2V，而从汽车电池到 IC 的线性稳压器消耗了大部分功耗。对于小负载来说，增加一个带有外部线圈的 DC-DC 转换器以提高效率既不实际也不经济。如果线性稳压器可以在高温下工作，则能够节省模块的成本和重量。　　▷过温保护　　过温保护或热关断(Thermal Shutdown，TSD)对集成电路至关重要，可防止 IC 及其外部元件损坏，确保可靠性和安全性。环境温度过高、功耗过大、热管理不善或故障导致过载等因素都可能触发过温保护。当 IC 的结温超过预设阈值时，热关断机制就会启动，自动关闭 IC 的高功耗部分或整个芯片，以防止温度进一步升高及造成损坏。　　一旦 IC 冷却到安全温度，它可以自动重新启动之前关闭的部分或整个 IC，在确保保护的同时最大限度地减少停机时间。这种机制对于维持 IC 的可靠性和使用寿命至关重要，可保护 IC 免受外部故障、过载或温度波动的影响。　　有功能安全要求的产品也需要 TSD。也可使用具有功率降额功能的热监测或热预警。　　TSD 应当保护 IC 免受热失控的影响，以形成一个正反馈。循环热失控发生在 IC 产生的热量超过其散热能力时，导致温度不可控地上升。高温会增加结和亚阈值泄漏，降低 MOS 晶体管的性能，并提高功率耗散。　　如果缺乏 TSD 的保护，这一循环将持续到 IC 过热，可能导致故障、寿命缩短或安全隐患，包括火灾或爆炸。　　TSD 级别的设置通常略高于最高工作温度，以便偶尔出现温度偏差时不会造成不必要的关机，但也要足够低，以便有效控制和关闭功率耗散部分。例如，如果最高工作温度为 165°C，考虑到 TSD 电路的制造容差，TSD 级别可设置在 170°C 至 185°C 之间。正确设置这一阈值对于平衡电子设计中的性能和安全性至关重要。　　TSD 电路及其所有由该机制控制的相关模块必须设计为能够在最大 TSD 温度以及额外的安全裕度范围内可靠工作。这个安全裕度考虑了芯片上的温度梯度，即功率器件与温度传感器之间的温差。根据布局的不同以及使用的功率器件和传感器的数量，传感器可以放置在功率器件内部、旁边或更远的位置。此外，裕量还考虑了从温度上升到传感器检测到过热并关闭受影响的功率晶体管之间的延迟所导致的温度上升。这确保了即使在极端过热情况下，保护功能仍然能够保持有效运作。因此，TSD 电路必须在比 IC 其余部分更高的温度下保持工作状态，即超过最大工作结温。图 1. 保护电路的工作温度范围　　▷功耗 - 性能 - 面积　　对 IC 进行优化，需要在功耗、性能和面积(PPA)这三个指标之间做出权衡。例如，提高性能会导致更高的功耗或更大的尺寸。相反，降低功耗可能会限制性能或需要更多的面积来添加节能元器件。提高最大工作温度可以扩大功耗空间，从而为性能提升或面积优化提供更多余地。　　设计能在更高温度下可靠工作的 IC 实际上是一种性能的提升，因为它延长了使用寿命并降低了故障率。减少对大量冷却解决方案的需求可以降低系统的整体成本、复杂性和重量，从而实现更加紧凑和经济高效的设计。　　高温工作能力使得在功耗、性能和面积之间进行的权衡更容易，同时也有助于提升整体的 PPA(功耗 - 性能 - 面积)评分。

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高温设计

发布时间：2025-06-05 14:14 阅读量：310 继续阅读>>

高温<span style='color:red'>IC设计</span>必懂基础知识：高结温带来的5大挑战

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高温IC设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战

　　随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。　　这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。第一篇文章介绍了工作温度，包括环境温度和结温等。本文将继续介绍高结温带来的挑战。　　高结温带来的挑战　　半导体器件在较高温度下工作会降低电路性能，缩短使用寿命。对于硅基半导体而言，晶体管参数会随着温度的升高而下降，由于本征载流子密度的影响，最高极限会低于 300℃。依靠选择性掺杂的器件可能会失效或性能不佳。　　影响 IC 在高温下工作的主要技术挑战包括：　　泄漏电流增加　　MOS 晶体管阈值电压降低　　载流子迁移率降低　　提高闩锁效应(Latch-Up)敏感性　　加速损耗机制　　对封装和接合可靠性的挑战　　要设计出能够在高温下工作的 IC，了解高温下面临的挑战至关重要。下文将探讨 IC 设计面临的挑战。　　1.泄漏电流增加　　CMOS 电路中泄漏电流的增加主要是由半导体 PN 结泄漏和亚阈值沟道泄漏的增加引起的。　　▷反向偏置 PN 结泄漏　　在较高温度下，半导体中热能的增加会导致更多电子 - 空穴对的产生，从而产生更高的泄露电流。结泄漏取决于掺杂水平，通常随温度呈指数增长。根据广泛使用的经验法则，温度每升高 10℃，结电流大约增加一倍。　　二极管的泄漏电流由漂移电流和扩散电流组成：　　其中， q 为电子的基本电荷， Aj 为结面积，ni 为本征载流子浓度，W 为耗尽区宽度，τ 为有效少数载流子寿命，L 为扩散长度，N 为中性区掺杂密度。　　在中等温度下，泄漏电流主要由耗尽区中电子 - 空穴对产生的热引起。在高温下，泄漏电流主要由中性区产生的少数载流子引起。漂移电流与耗尽区宽度成正比，这意味着它与结电压的平方根成正比(在正常反向电压下)，而扩散电流与结电压无关，并且与掺杂密度 N 成反比。掺杂水平越高，在温度高于约 150°C 时扩散泄漏越少。　　泄漏电流的指数增加影响了大多数主动器件(如双极晶体管、MOS 晶体管、二极管)和一些被动器件(如扩散电容、电阻)。然而，由氧化物隔离的器件，例如多晶硅电阻、多晶硅二极管、ploy-poly 电容和 metal-metal 电容，并不受结泄漏的影响。结泄漏被认为是高温 bulk CMOS 电路中最严峻的挑战。　　▷亚阈值沟道泄漏　　MOS 晶体管关闭时，栅极 - 源极电压 VGS 通常设置为零。由于漏极至源极电压 VDS 非零，因此漏极和源极之间会有小电流流过。当 Vgs 低于阈值电压 Vt 时，即在亚阈值或弱反型区，就会发生亚阈值泄漏。该区域的漏极源极电流并不为零，而是与 Vgs 呈指数关系，主要原因是少数载流子的扩散。　　该电流在很大程度上取决于温度、工艺、晶体管尺寸和类型。短沟道晶体管的电流会增大，阈值电压较高的晶体管的电流会减小。亚阈值斜率因子 S 描述了晶体管从关断(低电流)切换到导通(高电流)的有效程度，定义为使漏极电流变化十倍所需改变的 VGS 的变化量：　　其中，n 是亚阈值斜率系数(通常约为 1.5)。对于 n = 1，斜率因子为 60mV/10 倍，这意味着每低于阈值电压 Vt 60mV，漏极电流就会减少十倍。典型的 n = 1.5 意味着电流下降速度较慢，为 90mV/10 倍。为了能够有效地关闭 MOS 晶体管并减少亚阈值泄漏，栅极电压必须降到足够低于阈值电压的水平。　　▷栅极氧化层隧穿泄露　　对于极薄的栅极氧化层(厚度低于约 3 纳米)，必须考虑隧穿泄漏电流的影响。这种电流与温度有关，由多种机制引发。Fowler-Nordheim 遂穿是在高电场作用下，电子通过氧化层形成的三角形势垒时产生。随着有效势垒高度降低，隧道电流随温度升高而增大。较高的温度也会增强 trap-assisted 隧穿现象，即电子借助氧化层中的中间陷阱态通过。对于超薄氧化层，直接隧穿变得显著，由于电子热能的增加，隧穿概率也随之上升。　　2.阈值电压降低　　MOS 晶体管的阈值电压 Vt 与温度密切相关，通常随着温度的升高而线性降低。这是由于本征载流子浓度增加、半导体禁带变窄、半导体 - 氧化物界面的表面电位的变化以及载流子迁移率降低等因素造成的。温度升高导致的阈值电压降低会引起亚阈值漏电流呈指数增长。　　3.载流子迁移率下降　　载流子迁移率直接影响 MOS 晶体管的性能，其受晶格散射与杂质散射的影响。温度升高时，晶格振动(声子)加剧，导致电荷载流子的散射更加频繁，迁移率随之下降。此外，高温还会增加本征载流子浓度，引发更多的载流子 - 载流子散射，进一步降低迁移率。当温度从 25°C 升高到 200°C 时，载流子迁移率大约会减半。　　载流子迁移率显著影响多个关键的 MOS 参数。载流子迁移率的下降会降低驱动电流，减少晶体管的开关速度和整体性能。更高的导通电阻会增加功率损耗并降低效率。较低的迁移率还会降低跨导，使亚阈值斜率变缓(增加亚阈值泄漏)，降低载流子饱和速度(对于短沟道器件至关重要)，并间接影响阈值电压。　　4.提高闩锁效应敏感性　　集成电路中各个二极管、晶体管和其他元件之间的隔离是通过反向偏置 P-N 结来实现的。在电路开发过程中，需采取预防措施以确保这些结在预期应用条件下始终可靠阻断。这些 P-N 结与其他相邻结形成 N-P-N 和 P-N-P 结构，从而产生寄生 NPN 或 PNP 晶体管，这些晶体管可能会被意外激活。　　当寄生 PNP 和 NPN 双极晶体管相互作用，在电源轨和接地之间形成低阻抗路径时，CMOS IC 中就会出现闩锁效应(Latch-up)。这会形成一个具有正反馈的可控硅整流器(SCR)，导致过大的电流流动，并可能造成永久性器件损坏。图 1 显示了标准 CMOS 逆变器的布局截面图。图中还包含寄生 NPN 和 PNP 晶体管。正常工作时，所有结均为反向偏置。图 1. 带标记的寄生双极晶体管逆变器截面图和寄生双极晶体管示意图　　闩锁效应的激活主要取决于寄生 NPN 和 PNP 晶体管的 β 值，以及 N - 阱、P - 阱和衬底电阻。随着温度的升高，双极晶体管的直流电流增益(β)以及阱和衬底的电阻也会增加。　　在高温条件下，闩锁效应灵敏度的增加也可以视为双极结型晶体管(BJT)阈值电压的降低，从而更容易在阱和衬底电阻上产生足以激活寄生双极晶体管的压降。基极 - 发射极电压随温度变化降低的幅度约为 -2mV/℃，当温度从 25℃升至 200℃时，基极 - 发射极电压降低 350mV。室温下的典型阈值电压为 0.7V，这意味着阈值电压大约减半。　　5.加速损耗机制　　Arrhenius 定律在可靠性工程中被广泛用于模拟温度对材料和元器件失效率的影响。　　其中，R( T) 是速率常数，Ea 是活化能，k 是玻尔兹曼常数(8.617 · 10−5eV/K)，T 为绝对温度(单位：开尔文)。通常，每升高10°C可靠性就会降低一半。　　▷经时击穿-TDDB　　TDDB 是电子器件中的一种失效机制，其中介电材料(例如 MOS 晶体管中的栅氧化层)由于长时间暴露于电场下而随时间退化，导致泄漏电流增加。当电压促使高能电子流动时，在氧化层内部形成导电路径，同时产生陷阱和缺陷。当这些导电路径在氧化层中造成短路时，介电层就会失效。失效时间 TF 随着温度的升高而呈指数级减少。　　▷负 / 正偏置温度不稳定性 - NBTI / PBTI　　NBTI 影响以负栅极 - 源极电压工作的 p 沟道 MOS 器件，而 PBTI 则影响处于积累区的 NMOS 晶体管。在栅极偏压下，缺陷和陷阱会增加，导致阈值电压升高，漏极电流和跨导减少。这种退化显示出对数时间依赖性和指数温度上升，在高于 125°C 时有部分恢复。　　▷电迁移　　电迁移是指导体中的金属原子因电流流动而逐渐移位，形成空隙和小丘。因此，如果金属线中形成的空隙大到足以切断金属线，就会导致开路;如果这些凸起延伸得足够长以至于在受影响的金属与相邻的另一金属之间形成桥接，则可能导致短路。电迁移会随着电流密度和温度的升高而加快，尤其是在空隙形成后，会导致电流拥挤和局部发热。金属线发生故障的概率与温度成指数关系，与电流密度成平方关系，与导线长度成线性关系。铜互连器件可承受的电流密度约为铝的五倍，同时可靠性相似。　　▷热载流子退化　　当沟道电子在 MOS 晶体管漏极附近的高电场中加速，会发生热载流子退化。在栅极氧化层中产生界面态、陷阱或空穴。它影响诸如阈值电压 VT、电流增益 β、导通电阻 RDS_ON 和亚阈值泄漏等参数。在较高温度下，平均自由程减少，降低了载流子获得的能量，使得热载流子退化在低温条件下更为显著。

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集成电路

发布时间：2025-05-28 09:21 阅读量：405 继续阅读>>

东芯半导体获选中国<span style='color:red'>IC设计</span>成就奖之年度最佳存储器！

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东芯半导体获选中国IC设计成就奖之年度最佳存储器！

　　2025年是IC设计成就奖举办的第23年，一路伴随和见证产业的成长与发展，是中国电子业界最重要的技术奖项之一，颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!活动评选并表彰业内优秀的IC设计公司、上游服务供应商、热门模块/设计方案和热门产品。　　深耕存储，创新不断，颁奖晚宴上，东芯半导体3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很荣幸获选了“2025年度中国IC设计成就奖之热门IC产品奖：年度最佳存储器”。同时，进入“Aspencore2025中国IC设计Fabless100排行榜--TOP 10 存储器公司”，这不但是对我们成果的肯定，也鼓舞我们持续研发创新，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案!”　　作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司，现有六大产品矩阵,提供定制化解决方案。东芯半导体实现全球化运营布局，构建完整生态体系，以“存储”为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。

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东芯半导体

发布时间：2025-05-12 14:39 阅读量：336 继续阅读>>

上海贝岭股份有限公司荣获2025中国<span style='color:red'>IC设计</span>成就奖之年度杰出市场表现奖-工业！

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上海贝岭股份有限公司荣获2025中国IC设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业！

　　2025国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)已圆满闭幕。　　今年是AspenCore连续第23年举办IC设计调查及奖项评选，中国IC设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项之一，每一年颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!上海贝岭凭借展现卓越的设计能力与技术服务水平，荣获2025中国IC设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业!、产品推荐：

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上海贝岭

发布时间：2025-04-29 09:39 阅读量：510 继续阅读>>

高温<span style='color:red'>IC设计</span>必懂基础知识：环境温度和结温

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高温IC设计必懂基础知识：环境温度和结温

　　随着技术的飞速发展，商业、工业、军事及汽车等领域对耐高温集成电路(IC)的需求持续攀升‌。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题‌。　　这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。通过深入分析高温产生的根源，我们旨在缓解其引发的问题，从而增强集成电路在极端条件下的稳健性并延长使用寿命，同时优化整体解决方案的成本。　　环境温度　　IC 及所有电子设备的一个关键参数是其能够可靠工作的温度范围。具体的工作温度范围是根据其应用和行业来定义的(图 1a)。　　例如，对于汽车 IC 而言，温度范围取决于电子元件的安装位置。如果位于乘员舱内，温度范围最高可达 85°C。如果位于底盘或发动机舱内，但不直接位于发动机上，则温度范围最高可达 125°C。靠近或直接位于发动机或变速箱附近，温度范围可达 150°C 或 160°C。在靠近刹车或液压系统的底盘区域，温度最高可达 175℃。这些对高温的要求适用于内燃机汽车，同时也适用于混动和全电动汽车。　　当汽车发动机运行时，主动冷却系统会有效控制温度。然而，在最极端的情况下，如车辆行驶后停放在酷热环境中，此时主动冷却系统停止工作，发动机及其它部件的热量逐渐扩散，导致电子设备温度上升。即便如此，当汽车再次启动时，所有系统仍需在温度升高的条件下保持正常工作。　　对于适中的温度条件，可以定义 IC 在静态工作温度下的预期使用寿命。例如，在 125°C 的条件下可以连续工作 10 年。然而，对于像 175°C 这样的高温，使用 bulk CMOS 工艺实际上是不能实现的。通常，IC 不需要在其整个生命周期内都以最高温度运行。在汽车行业，常采用热曲线图来替代固定的静态温度规范，将整个使用寿命划分为不同的工作模式和温度区间(段)，只有一小部分时间需要在极高温度下工作(图 1b)。　　图 1. 不同应用的温度范围及温度曲线示例　　将电子元件布置在更靠近应用的高温区域，通过减少噪音和干扰可以提高传感器的精度和分辨率。对于大功率应用，尽量减少大电流开关回路可减少干扰。采用局部闭环控制系统可减轻重量并提高性能。然而，缩小模块尺寸会因功率密度提高和散热问题而增加电子元件的温度。　　结温　　IC 工作时会有功耗，导致 IC 内部的实际半导体结温高于环境温度。温度的升高取决于 IC 内部耗散的功率以及裸片与环境之间的热阻。这种热阻取决于封装类型、PCB、散热片等(见图 2)。　　图 2. 结温升高　　对于功率开关、功率驱动器、DC-DC 转换器、具有高压降的线性稳压器(例如，在使用 DC-DC 转换器不经济的情况下，用于汽车电池驱动模块)或传感器执行器来说，裸片高功耗是不可避免的。　　热阻取决于封装类型和热管理方式(图 3)。对于常用的小型封装，结到外部环境的热阻大约为 50-90K/W(SOIC 封装)，以及大约 30-60K/W(QFP 封装)。在某些应用中，结至环境的热阻可达每瓦数百开尔文。　　图3. 不同封装类型IC散热示例

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IC设计

发布时间：2025-04-18 16:59 阅读量：506 继续阅读>>

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传中国大陆IC设计厂启动“B计划”

　　地缘政治因素影响下，业界传出部分中国大陆IC设计厂商为分散风险，在计划持续对台积电下单同时启动B计划，一旦形势变化，后续考虑转单三星，持续生产较先进制程芯片。　　供应链厂商提到，如果前期流程准备完毕，中国大陆IC设计厂商最快明年中开始尝试在三星投产。　　报道称，对于中国大陆IC设计厂商来说，准备中国台湾、韩国两个生产方案会增加成本，且两套方案不一定都会投入量产，但基于风险管控，厂商进行了相关评估计划。　　业内人士认为，后续若中国大陆IC设计厂商转单三星，同样要遵守美国相关管制规定。　　依据台积电财报显示，今年第二季度以客户总部所在地区分，北美仍占最大比例为65%，不过第二则是由中国大陆市场急速拉升至16%，相较今年首季仅9%以及去年同期12%皆大幅提升，并取代亚太区再度成为第二大市场，亚太区域占比降至9%，日本维持6%，其余为EMEA区域。　　此外，第二季度台积电HPC(高性能计算)营收占比达52%，超过手机芯片且首次过半，外界猜测由于地缘政治预期客户或进行预防性囤货，分析师陆行之认为应是中国大陆数字货币矿机厂商比特大陆下单。　　法人分析，中国大陆客户出现大幅拉升，预期是为避免后续更多出口管制因素的提早备货，随着美国总统大选再次引发地缘政治与相关出口管制议题，预期相关地缘政治急单效应将持续至下半年，有助台积电营运持续超标表现。

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台积电

发布时间：2024-07-29 15:39 阅读量：779 继续阅读>>

CHIPWAYS荣获2023年度硬核芯之“最具创新精神<span style='color:red'>IC设计</span>企业奖”

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CHIPWAYS荣获2023年度硬核芯之“最具创新精神IC设计企业奖”

　　近日，第五届硬核芯生态大会暨2023汽车芯片技术创新与应用论坛圆满落幕。本届大会汇集半导体全产业链的领军者，广邀电子制造企业高管、项目负责人、电子工程师、投资者、资深学者与行业大咖同台演讲，为推动中国芯高质量发展贡献顶尖的思想和智慧。　　作为压轴环节，“2023年度硬核芯评选”获奖榜单重磅揭晓。在本次评选中，上海琪埔维半导体有限公司从165家企业、183款产品中脱颖而出，一举斩获“2023年度最具创新精神IC设计企业奖”一项大奖。　　CHIPWAYS深耕国产汽车半导体领域多年，始终坚持创新是引领企业发展的第一动力，在汽车三电领域核心车规芯片上做出了多项历史性突破。CHIPWAYS是一家能够提供动力电池管理系统（BMS）一站式量产级芯片套片组（包括车规级MCU、车规级多节电池组监控器BMS AFE、车规级数字隔离通讯接口芯片等）的车规芯片设计公司，2023年，在电机领域，CHIPWAYS率先研发出混合工艺电机驱动控制单芯片，该芯片集成电源芯片、电机预驱和LIN收发器，内置电机核心算法，满足汽车智能电机控制应用。在电池领域，CHIPWAYS XL88xx系列芯片成为我国业内率先通过ISO 26262 ASIL D产品认证的车规级BMS AFE芯片，该芯片支持4~18串电池采样，兼具高精度、高安全和低功耗的特点，为动力电池管理保驾护航。　　此次荣获硬核芯“最具创新精神IC设计企业奖”，代表了业内对CHIPWAYS研发实力和研发成果的认可。CHIPWAYS在未来将继续发挥多年来在车规半导体领域积累的核心能力，以创新为引擎，驱动企业高质量发展，用卓越产品和服务，为我国汽车电子产业贡献自身力量。

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CHIPWAYS

发布时间：2023-11-07 09:17 阅读量：2081 继续阅读>>

航顺芯片荣获2023年度硬核芯之“最具创新精神<span style='color:red'>IC设计</span>企业奖”

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航顺芯片荣获2023年度硬核芯之“最具创新精神IC设计企业奖”

　　10月30日，由《芯师爷》主办的“第五届硬核芯生态大会暨评选颁奖盛典”在深圳圆满落幕。在“2023年度硬核芯”评选中，航芯凭借对芯片技术的持续创新与研发投入，从众多优秀的企业中脱颖而出，一举斩获“2023年度最具创新精神 IC 设计企业奖”。　　“硬核芯评选”作为业内兼具高创新性和影响力的产业活动，旨在挖掘、表彰优秀中国芯企业，助力中国半导体产业发展。在此次评选中，航芯能从众多参选企业中角逐胜出，是行业与市场对航芯技术创新能力的高度肯定。　　航芯深耕芯片设计领域多年，坚持自主研发，开拓创新，致力于推进中高端芯片国产化的创新发展，为客户提供安全可靠的产品和供应保障。以“安全+通用MCU”两大主要业务为核心，聚焦工业控制、汽车电子、物联网、消费电子等应用领域，不断丰富产品布局，满足多元化应用需求。航芯系列产品通过了商密二级、EAL5+、车规级AEC-Q100等认证，同时也获得了众多客户的广泛认可与量产应用。

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航顺芯片

发布时间：2023-11-01 11:40 阅读量：1751 继续阅读>>

类比半导体荣获潜力模拟<span style='color:red'>IC设计</span>公司奖

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类比半导体荣获潜力模拟IC设计公司奖

　　近日，由知名电子科技媒体<电子发烧友>举办的2023第五届中国模拟半导体大会暨2023年中国模拟半导体飞跃成就奖颁奖典礼在中国深圳成功举办。在众多企业领导、行业专家及产业链上下游合作伙伴的见证下，电子发烧友网公布了本次获奖名单。国内优秀的模拟及数模混合芯片设计商上海类比半导体技术有限公司(下称“类比半导体”或“类比”)凭借出色的设计能力和产品创新应用，荣膺“潜力模拟IC设计公司奖”。　　2023中国模拟半导体飞跃成就奖旨在表彰在中国模拟半导体行业具有突出贡献的企业、新锐科技创新企业，鼓励更多优秀的人才投入到模拟设计的技术创新中。同期举办的第五届模拟半导体大会邀请了众多来自国内模拟半导体厂商及专家进行技术和产品分享，对于推动中国模拟半导体产业的发展具有重要意义。　　作为一家模拟及数模混合芯片和解决方案供应商，类比半导体专注于信号链、电源管理、MCU/DSP等领域的芯片设计，产品主要面向工业、通讯、汽车等市场。凭借核心技术优势以及创新能力，公司已形成包括模拟前端、线性产品、智能驱动、电源管理、数据转换器、音视频等在内的产品线布局，量产产品型号超过400余颗，产品得到了客户的高度认可。　　未来，类比半导体将秉持为客户提供高品质芯片的核心使命，持续创新，加大研发力度并积极开拓市场，为客户提供更多高品质、高可靠、高性能的芯片解决方案，与上下游企业携手并进，共同推动中国科技产业的长足发展。

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类比半导体

发布时间：2023-10-08 09:16 阅读量：2201 继续阅读>>

帝奥微荣获2023中国<span style='color:red'>IC设计</span>成就奖之“年度技术突破<span style='color:red'>IC设计</span>公司”

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帝奥微荣获2023中国IC设计成就奖之“年度技术突破IC设计公司”

　　作为中国最具影响力之一的电子系统和IC设计盛会，2023年3月29-30日，2023届国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）在上海国际会议中心顺利举办。　　凭借业内领先的研发设计能力和产品创新理念，江苏帝奥微电子股份有限公司（简称帝奥微）荣获2023 年度中国IC 设计成就奖之“年度技术突破IC设计公司”。　　帝奥微始终重视新技术和新产品研发上的投入，在车载芯片产品的应用领域展开积极布局，目前在模拟开关、运放、LDO、转换器、照明/电机驱动等方向均有突出的汽车产品应用。此次展会，带来了包括DIA2602、DIA2641、DIA3000、DIO7855、DIA57100等在内，众多汽车电子应用领域的芯片产品和终端产品用于现场展示。　　前沿技术产品　　DIA2602: 高压、低噪声、低功率的双路放大器。具有3.5 MHz的高增益带宽积，2.5 V/μs的转换速率，每路放大器在4.5 V时的静态电流通常为0.75 mA。设计用于在高电压和低噪声系统应用中提供最佳性能。即使在重负载时也提供轨对轨输出。最大输入失调电压为3.5 mV。适用于汽车标准的Grad1温度范围-40°C～+125°C。　　DIA2641:高带宽、高压摆率、低噪声的高压运放产品。设计用于在低噪声甚至低电压系统中提供最佳性能。芯片都能在重载时提供轨对轨输出。快速输出转换速率(150 V/?s)确保即使在更高的速度下也能保持较大的峰值到峰值输出波动。适用于汽车标准的Grade1温度范围-40°C～+125°C。工作范围为2.7 V ~ 13.2 V。　　DIA7865: 300mA、高电压、极低静态电流、低压差线性稳压器，可在3V～40V的输入电压范围内工作。轻负载时的静态电流一般仅4.5?A，在始终打开的系统中，低静态电流（IQ）对节能和延长电池寿命至关重要，因此非常适用于需要极低待机功耗的电源设计和需要多个电池的场景。　　DIA57100:全桥电机驱动器，该驱动器包含四个高达10A以上的峰值电流双向驱动电机的N沟道 MOSFET。其对称的设计提供了优越的制造能力。通过将INA和INB信号直接连接到微控制器，可以控制电机的转动方向和制动。SEL0引脚将MultiSense上可用的信息发送到微控制器。MultiSense引脚允许通过传递与电机电流值成比例的电流来监控电机电流。适用于汽车标准的Grade1温度范围-40°C～+125°C。　　DIO8018:具有2路大电流供电的低压差LDO（LDO1/2输出电流高达1.5A）和多路用于噪声敏感电源的高PSRR LDO电源轨（LDO3-7的Vsys to Vout，PSRR在1KHz高达92dB）。既能满足DVDD所需的大电流和快速动态响应，又能满足AVDD所需的高PSRR和低噪声，同时还能满足超小尺寸的需求，是多摄像头应用的完美解决方案。　　与会中，帝奥微作为国内具备多年技术研发经验的IC设计企业，和众多国内外知名IC设计同行、代理商、行业服务方等一起，就集成电路行业发展、车载芯片研发设计等话题，现场与同行交流业内发展趋势，探讨未来发展方向。

关键词：

帝奥微,IC设计

发布时间：2023-04-11 09:47 阅读量：2736 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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