上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”

发布时间：2025-12-04 16:17
作者：AMEYA360
来源：上海贝岭
阅读量：310

　　近日，2025年金牛企业可持续发展论坛暨第三届国新杯·ESG金牛奖颁奖典顺利举办，上海贝岭凭借在ESG领域的优异表现，荣获“第三届国新杯・ESG卓越央企金牛奖”。

上海贝岭荣获“第三届国新杯·ESG卓越央企金牛奖”

　　上海贝岭始终以实际行动勇担央企使命，积极履行社会责任，凝心聚力促进公司高质量可持续发展。公司治理方面，上海贝岭坚持依法合规经营，强化风险防控，持续完善公司治理体系，推动公司行稳致远。科技创新方面，公司坚持创新驱动发展战略，充分发挥科技创新能够催生新产业、新模式、新动能的作用，推动新质生产力加快发展。同时，上海贝岭积极贯彻落实乡村振兴战略，开展系列公益捐赠、消费助农等活动，传递社会关爱，让社会更美好。

　　践行绿色低碳发展方面，上海贝岭积极响应“双碳”目标愿景，践行长期可持续发展战略，将绿色管理、低碳运营付诸业务运营各环节，推进绿色研发，强化环保宣贯，在光伏逆变、储能、汽车电子等市场应用领域推出多款产品，持续提升产品绿色竞争力，厚植高质量发展的绿色底色，助力产业链上下游绿色可持续发展。

　　展望未来，上海贝岭将秉持高质量、可持续发展理念，积极践行社会责任，以科技创新为引领，塑造发展新动能，勇担使命，为我国集成电路产业发展添砖加瓦!


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　　近日，中国汽车工业协会公示 2025 中国汽车芯片创新成果推荐名单，上海贝岭自主研发的车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120 成功入选。该活动经多方严格评审，从众多产品中筛选优质芯片，BLQ3N120 的入选彰显其技术领先性与产业适配性。　　此次入选不仅是对上海贝岭技术实力的认可，更是发展动力。未来公司将加大研发投入，推出更多创新产品，助力汽车电子产品供应丰富与提升!　　产品特性　　上海贝岭推出的车规级特高压平面硅基MOSFET BLQ3N120，采用先进的晶胞结构，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量，在确保车规级品质的情况下，耐压可做到1200V。主要特点有：高击穿电压、低导通电阻、低阈值电压VTH、高结温等，填补了国内车规级、特高压平面MOSFET市场领域的空白。　　优势特征&参数　　• VDS：1200V　　• ID：3A　　• RDS(ON)：5Ω　　• IDSS：200nA(@VDS =1200V, VGS= 0V, Tj = 25℃)　　• VGS(TH)：3V ~ 5V　　• Fast Switching　　• Low Crss　　• 100% avalanche tested　　• AEC-Q101 qualified　　典型应用　　基于车规级、特高压平面MOSFET BLQ3N120特性，其可应用于新能源汽车电池管理系统(BMS)的总压检测、绝缘检测、粘连检测、主驱/PTC等的辅助电源、主动泄放电子开关等。　　比如，在BMS“三大检测”(总压检测、绝缘检测、粘连检测)采样通道通断控制应用中，早期解决方案是干簧管或光MOS，但其成本高。而BLQ3N120因具备耐压高、关断漏电流小、成本低等特点，可以替换干簧管或光MOS，完全胜任BMS“三大检测”通道通断控制需求，而且还具有成本更低的优势!　　MOSFET BLQ3N120在BMS“三大”检测中的应用　　再比如，在主驱等反激辅助电源应用中，BLQ3N120因具备耐压高、开关频率高等特点，还可以用作电子开关管。
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　　引言　　在现代电子系统设计中，运算放大器作为信号处理的核心元件，其性能直接决定了信号链路的品质与输出信号的可靠性。尤其在工业测量、医疗电子、仪表仪器等高精度应用场景中，对运放芯片的低失调低温漂特性、长期稳定性及复杂环境适应性提出了严苛要求。上海贝岭高精度零漂移系列运算放大器BL3801/BL3802/BL3804(合称BL380X)，凭借其优异的性能，为设计工程师提供了一个理想的解决方案。　　产品特性　　BL380X是1.8MHz增益带宽积的高性能运算放大器,工作温度范围支持-40℃至+125℃，支持多通道，多种封装，能够满足多种应用场景下对信号处理精度和工作温度的严苛要求。　　BL3801内含单通道运算放大器、BL3802内含双通道运算放大器、BL3804内含四通道运算放大器，运算放大器的性能一致。　　特性如下：表/1(规格参数)　　典型应用原理图如下：图1 BL308X典型应用原理图　　产品优势　　• 极致精度表现：在 5V 供电条件下，典型失调电压仅 10μV，-40℃至 + 125℃工作温度内最大值不超过 30μV，配合0.01µV/℃的低温漂特性，彻底解决了通用运放因温度波动导致的误差累积问题。　　• 信号高还原：轨到轨输入/输出特性可充分利用电源范围，配合 145dB 的信号电压增益与 115dB 的电源抑制比(PSRR)，确保微弱信号的完整放大与还原。　　• 可靠稳定运行：ESD(HBM)水平可达到±8KV，LU可达±800mA, 0.1ms 的过载恢复时间实现快速信号响应，保证系统可靠运行，180μA 的典型静态功耗兼顾性能与能效。　　行业应用　　BL380X的核心优势特性可以解决行业痛点，在工业控制、医疗仪器等对精度要求严苛的领域，BL380X的性能优势转化为实实在在的设计价值。　　• 工业测量的 “稳定器”：针对压力传感器、应变计等设备在 - 40℃至 + 125℃工业环境中的长期运行需求，其超低失调电压与低温漂特性可将信号调理误差控制在μV 量级，使系统的测量精度得到提升。　　• 医疗电子的 “精准镜”：在心电图、便携式血糖仪等医疗设备中，0.5nA 的低输入偏置电流特性可精准放大传感器输出的 nA 级微电流信号，将血糖、心率等生理参数的测量误差控制在更小的范围内，同时 180μA 低功耗设计延长设备续航时间。　　• 测试仪器的 “灵敏度放大器”：在数字万用表、数据采集卡等设备中，10μV 失调电压与高增益特性支持 μV 级电压测量，配合轨到轨输入 / 输出能力，帮助仪器实现更高的测量分辨率。　　支持多种封装　　应用领域　　工业测量、医疗电子、仪表仪器和物联网采集终端　　上海贝岭提供系列化的产品选择，专业的技术支持，以及稳定的供应，为用户的产品设计和批量使用保驾护航。　　订购型号与封装信息表/2(选型列表)
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　　一、概述　　中国产业升级持续提速，制造业智能化、自动化迈入新阶段，市场对高精度电机控制器的需求日益迫切。伺服控制器作为精准控制与自动化生产的核心部件，其市场规模正随产业升级浪潮持续扩大。在机器人等热门领域，高性能伺服控制器是实现设备精准动作、复杂任务执行的关键支撑。功率器件作为伺服控制器的核心组成，直接决定产品的功率输出、控制精度与运行可靠性。依托多年设计与生产积淀，上海贝岭针对性优化产品参数，面向高性能伺服控制器场景推出 650V FBL 系列 IGBT 产品。该系列产品电流等级覆盖 8A-30A，可充分匹配伺服控制器的核心性能需求。　　二、伺服控制器应用拓扑　　伺服控制器的控制核心基于闭环反馈控制，微处理器(MCU)通过实时对比上位机给出的指令信号和电流、位置传感器反馈的电流、位置信号，动态调节输出功率，使得电机能够精准执行位置、速度或力矩指令。由隔离驱动器驱动和六颗绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)组成的三相逆变桥是精准控制的核心。图1 伺服控制器拓扑图　　三、贝岭IGBT技术平台　　650V FBL系列产品基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的4代产品工艺，采用微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，使得产品在导通压降Vce(sat) 与开关损耗Esw之间取得良好折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，可实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　四、650V FBL系列产品核心优势　　能效领跑——低饱和压降Vce(sat)和低正向压降VF　　在伺服控制器应用中，典型开关频率范围为8-16kHz，IGBT和与其并联的快恢复二极管(Fast Recovery Diode, FRD)的导通损耗Econ占器件总体损耗的比例较高。IGBT的导通压降Vce(sat)和FRD的正向压降VF是影响导通损耗Econ的关键参数。图2和图3分别展示了在节温25℃和125℃时，贝岭 FBL系列产品和市场主流IGBT系列产品导通压降Vce(sat)典型值的对比;图4和图5分别展示了在节温25℃和125℃时，FRD正向压降VF典型值的对比。在常温，高温下，贝岭 FBL系列产品的IGBT饱和压降和FRD正向压降均优于竞品，可直接减少伺服控制器导通损耗，不仅能降低设备运行时的能耗成本，还能减轻散热模块负担，缩小设备体积，延长整机寿命，提高系统可靠性。图2 25℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比图3 125℃时IGBT饱和压降Vce(sat)典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V，测试电流Ic为各产品标称电流值图4 25℃时 FRD正向压降VF典型值对比图5 125℃时 FRD正向压降VF典型值对比　　*数据测试条件为相同封装，测试电流IF为各产品标称电流值　　动态性能升级——低开关损耗Esw　　IGBT作为开关器件，其在应用中的开关损耗也不容忽视，图6 展示了在节温25℃时，贝岭FBL系列产品与竞品的开关损耗对比。在器件开通时刻电压压摆率相同的条件下，贝岭 FBL系列产品的开关损耗与竞品接近，其中10A 和30A 产品更具优势，可更好地适配伺服控制器高频开关需求，使得电机启停、转速调节响应更快，设备执行精准动作时更流畅，减少控制偏差。图6 25℃时 IGBT开关损耗对比　　*数据测试条件为相同封装，栅-发射极电压Vge为15V/0V，测试电流Ic为各产品标称电流值，相同开通电压压摆率　　抗短路能力强劲——超长耐受　　贝岭650V FBL系列IGBT产品针对伺服控制器应用，着重优化器件的短路耐受能力，器件可在高栅极驱动电压(18V)和高节温(175℃)的双高条件下，依旧维持较长的短路时长，保障伺服控制器的安全运行。图7展示了BLG30T65FBL在420V 母线电压下(栅极驱动电压18V、节温175℃)，器件短路耐受波形。即便在高温、高电压的恶劣工况下，也能避免器件因短路损坏，减少伺服控制器突发停机，降低产线运维成本。图7 BLG30T65FBL高温、高栅压下短路耐受波形　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭针对伺服控制器、通用变频器、工业缝纫机、跑步机、通用风机、园林工具等应用设计有多条650V IGBT产品线，涵盖电流等级8A-80A器件，欢迎垂询!具体型号参考表1。在高压伺服驱动器中，除了核心的功率器件，高效可靠的电源管理和信号处理芯片同样是确保系统稳定、可靠运行的关键，上海贝岭可提供电机控制相关的完整配套解决方案，具体型号参考表2。表1 功率器件选型列表表2 贝岭电机控制系统选型列表
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　　01 概述V2G示意图　　随着电动汽车的普及，市场对高效率、快充基础设施的需求日益紧迫。新一代电动车续航与电池容量不断提升，亟需配套快速直流充电方案。　　V2G(车辆到电网)技术进一步拓展了充电设施的功能边界，可将电动汽车电池电能回馈至电网，在用电高峰时提供支持。为实现这一功能，充电桩需集成双向转换器，使电动车不仅能充电，还能参与电网调节，提升电网对间歇性可再生能源的接纳能力。　　02 充电桩电路拓扑充电桩电路拓扑图　　直流充电桩分为前级AC/DC电路和后级DC/DC电路。交流/直流级(也称为 PFC 级)是电动汽车充电站中的第一级功率转换。它将来自电网的输入交流电源 (380– 415VAC) 转换为大约 800V 的稳定直流链路电压。前级拓扑主要有Vienna PFC和T 型 NPC PFC。　　直流/直流级是电动汽车充电站中的第二级功率转换。它将 800V 的传入直流链路电压(对于三相系统)转换为较低的直流电压，以便为电动汽车的电池充电。后级电路拓扑主要有LLC电路和双有源桥。　　03 上海贝岭IGBT技术特点　　贝岭IGBT7 平台采用先进的沟槽场截止(T-FS)技术制成。充电桩应用开关频率较高，BLG80T65FDK7以较低的Vce(sat)和开关损耗，能降低充电器热量损耗提高效率。该器件在25℃和175℃下的trade-off曲线表现更优，体现出其在导通损耗与开关损耗之间的良好平衡，为高功率密度充电桩设计提供了理想的半导体解决方案。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 产品耐压高　　③ 低饱和压降VCE (sat)，VCE (sat)呈正温度系数，易于并联使用。　　④ 开关性能优化，低栅极电荷(Qg)，低开关损耗　　⑤ 漏电小　　⑥ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑦ 符合175℃结温的工业级考核标准　　3.1 低开关损耗　　在充电桩应用中，开关频率在20KHz—50KHz左右，其开关频率越高，开关损耗占比越高。在25℃和175℃条件下，我司BLG80T65FDK7产品Eon、Eoff和总损耗Ets均优于竞品H5系列。低开关损耗可提高充电桩系统的整体效率，并减轻散热负担，提高可靠性。　　3.2 低饱和压降Vce(sat)　　在温度25℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小16%左右。在温度175℃下，我司BLG80T65FDK7的Vce(sat)比竞品H5系列小14%左右。饱和压降明显优于竞品，有利于降低导通损耗。Vce正温度系数有利于单管并联使用，有利于两个IGBT的电流和温度达到一个动态平衡状态，从而避免了“电流集中”到某一个器件上导致过热损坏。　　3.3 低漏电流Ices　　常温25℃条件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲线和竞品一致;高温175℃条件下，我司BLG80T65FDK7的漏电远小于竞品。对于充电桩这类要求持续高负荷运行的设备而言，BLG80T65FDK7较小的漏电特性可提高系统能效和稳定性。　　04 上海贝岭SiC MOS技术特点　　BLC16N120是一款N沟道增强型平面SiC MOSFET，采用第二代平面栅技术，具有低导通电阻、低电容、低栅极电荷、高开关频率和低开关损耗等优越性能。随着我国新能源汽车的发展，高转化效率、高功率密度的SiC MOSFET器件成为未来发展的必然趋势。本产品通过其创新性结构设计，可推动充电桩高效一体化高质量发展。　　产品特点：　　① 高开关频率　　② 低导通损耗，低导通电阻　　③ RDS(ON)温升系数　　④ 低开关损耗　　⑤ 低Crss，可进一步提高系统效率　　⑥ 高Cgs设计，可抑制高速开关过程中的过冲现象　　⑦ HV-H3TRB加严可靠性验证，保证极端运行环境下使用寿命　　⑧ 符合175℃结温的工业级考核标准　　4.1 低RDS(ON)温升系数　　在温度25℃下，我司BLC16N120的Rdson与竞品C，R，I，Z相同。在温度175℃下，我司BLC16N120的Rdson 为22.4mΩ，比竞品C，R，I，Z低15%—45%左右。我司BLC16N120在175℃时Rdson为常温1.45倍，温升系数低，易于高功率密度并联使用，可降低充电桩系统温升。　　4.2 低HDFM　　，是一个用于评估功率开关器件综合损耗的重要因数。该指标用于衡量器件的导通损耗和开关损耗，其数值越小，通常意味着器件在实际应用中的整体效率越高。我司BLC16N120的HDFM与竞品I相当，远低于竞品C，R，Z。　　4.3 高抗串扰能力　　对于充电桩高效率功率变换器而言，器件的抗串扰能力是系统鲁棒性与可靠性的核心指标。栅源电容与栅漏电容的比值(Cgs/Cgd)是衡量器件抗串扰能力的一个重要参数。该比值越大，通常表征器件的抗串扰能力越强。在全桥的拓扑结构中，器件具有高抗串扰能力，抵御桥臂直通风险的能力较强。　　05 直流充电桩贝岭选型方案　　为全面支持不同功率等级的充电桩设计，上海贝岭提供了覆盖650V与1200V电压等级的系列化半导体解决方案。该方案包含功率器件与关键IC芯片，为充电桩系统提供从功率转换到控制管理的完整技术支撑。功率器件包括高效IGBT、SiC MOS以及用于辅助电源的Planar MOS，满足主功率单元对高效率、高可靠性的要求。
2025-11-19 17:53 阅读量：408
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