ARK方舟微：DMZ42C10S & DMX(S)22C40A 系列产品用于智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案

Release time：2025-11-17
author：AMEYA360
source：ARK
reading：275

　　01 特点

　　1、N沟道耗尽型(常开)

　　2、优异的热稳定性

　　3、超低泄漏电流

　　4、DMZ42C10S具有更低的导通电阻：6Ω(Max)@25℃

　　5、DMX(S)22C40A具有更高的耐压：400V

　　6、切换速度极快

　　02 应用

　　1、点火模块

　　2、常闭开关

　　3、固态继电器

　　4、转换器

　　5、恒流源

　　6、线性放大器

　　7、调节器

　　8、智能变送器

　　03 解决方案(1)：智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案

　　下图为具备HART功能的智能变送器电路示意图, DMZ42C10S & DMX(S)22C40A系列产品用于给AD421的VCC供电，该系列产品支持高电压输入，具有极佳的抑制瞬态浪涌能力，可对复杂电磁环境中的传感器、变送器实现有效的过压过流保护。该系列产品的参数、品质完全达到国外同类产品水平，其性能已达到甚至超过常用的BSS169、DN2530、DN2535、DN2540、DN3545、CPC3909、BSP179、LND150等产品，可实现完美替代。

ARK方舟微：DMZ42C10S & DMX(S)22C40A 系列产品用于智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案

ARK方舟微：DMZ42C10S & DMX(S)22C40A 系列产品用于智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案

　　04 解决方案(2)：非隔离式电源中的应用方案

　　该电路无需使用其它DC-DC元件，仅使用一颗耗尽型MOSFET器件，即可将较高电压转换为稳定的低电压提供给LDO电路输入端，并且具有良好的瞬态浪涌抑制能力，电路结构简单。

ARK方舟微：DMZ42C10S & DMX(S)22C40A 系列产品用于智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案


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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流
行业新闻

ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。
2025-11-17 14:19 reading：278
ARK方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL
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ARK方舟微：可靠易用的高压稳压元件：DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL

　　01产品简介　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL是ARK(方舟微)利用特有的UltraVt®专利技术开发的一款具有超高阈值电压的耗尽型功率MOSFET。该系列产品相对于DMZ(X)1015E产品，具有更高的击穿电压，其漏-源击穿电压(BVDSX)超过130V，且具有ESD防护设计，可在-55℃至150℃的温度范围内稳定工作。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL可直接作为高压稳压器使用，利用其(超高)亚阈值特性，可直接将输入的高电压转换为稳定的低电压，给PWM IC等负载供电。　　DMZ(X)1315E /DMZ(X)1315EL专为满足IC在宽范围电压输入场景下的供电需求而设计，其简单易用的稳压特性，非常适合用于QC 2.0/3.0/4.0快充、USB Type-C PD快充、USB Type-C直充、具有宽输出电压范围的电源适配器等多种电源系统中，可有效简化PWM IC供电方案，提高电源系统的稳定性。　　02产品特性　　★ 产品类型：N沟道(超高阈值)耗尽型MOSFET。　　★ 阈值电压：　　DMZ(X)1315E：-27V|VGS(OFF)| >17V@ID=8μA);-11.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：11.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　DMZ(X)1315EL：-20V|VGS(OFF)| >13V@ID=8μA);-10.5V>VGS(OFF)@ID=5mA(数值上：10.5V<|VGS(OFF)|@ID=5mA)。　　★ 高耐压：允许输入电压高达130V。　　★ ESD能力：具有ESD防护能力。　　★ 功能特点：具有可靠易用的稳压特性。　　03应用领域　　■ QC2.0/3.0/4.0快充系统　　■ USB Type-C PD 电源系统　　■ USB Type-C 直充系统　　■ 宽输出电压范围电源适配器　　■ 直流接触器
2025-04-18 16:48 reading：653
ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D
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ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

　　ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下：       一、基本信息　　1. 产品名称：FTE03R20D　　2. 产品描述：200V N沟道和P沟道增强型MOSFET　　3. 产品电路图：　　4. 产品基本参数：　　二、产品特性　　集成栅源电阻和齐纳二极管　　可以避免二次击穿　　阈值、导通电阻和输入电容低　　开关速度快　　有独立且电气隔离的N沟道和P沟道　　三、产品介绍　　FTE03R20D是由高电压，低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管，这对于高压脉冲应用至关重要。　　FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管，采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力，又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。　　与所有MOS结构一样，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性，非常适合各种开关和放大应用。　　四、常见应用　　1. CMOS逻辑电路：N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起，用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性，通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。　　       2. 功率开关应用：增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力，在功率开关电路中扮演重要角色。　　3. 电源管理：在电源管理领域，N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻，这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。　　4. 放大器电路：在放大器电路设计中，N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性，以实现更高的增益和更好的频率响应。　　N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。
2025-03-24 10:00 reading：685
突破工业接口壁垒！ARK（方舟微）DMZ42C10S 让 PLC
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突破工业接口壁垒！ARK（方舟微）DMZ42C10S 让 PLC "万能适配" 成为现实！

　　一、行业背景：工业自动化升级，PLC接口兼容性成关键瓶颈　　随着工业4.0的推进，PLC(可编程逻辑控制器)作为自动化系统的“大脑”，需连接多种设备(如驱动器、传感器)。然而，不同厂商设备的接口电压标准各异(5V/12V/24V)，导致PLC与驱动器间的信号传输常需外置转接电路或特制电缆，成本高、布线复杂、占用空间大，严重制约系统灵活性与效率。　　根据数据统计，全球工业自动化设备市场规模已达5200亿美元(MarketsandMarkets 2025)，但PLC与驱动器、传感器间的多电压接口壁垒仍困扰着85%的制造企业。以汽车焊装产线为例，24V伺服系统、12V光电传感器、5V通信模块并存，传统方案需配置3组独立接口模块，导致以下问题：　　1. 布线复杂度提升40%　　2. 机柜空间占用增加25%　　3. 维护成本上升30%(数据来源：ARC咨询集团报告)　　二、痛点分析：传统方案的三大缺陷　　1. 多电压适配困难：不同电压级接口需定制连接器，增加库存和管理成本。　　2. 外置电路复杂：额外添加电阻、PTC限流元件或隔离模块，占用PCB空间。　　3. 高频信号受限：传统限流方案(如PTC)工作频率低(通常<100kHz)，难以满足高速脉冲信号(如500kHz)需求。　　三、解决方案：耗尽型MOSFET + 自适应限流电路　　1. 方案核心：耗尽型MOSFET——DMZ42C10S　　2. 步进电机驱动控制器接口电路设计适配电路，利用耗尽型MOSFET恒流控制电路基本原理，仅需一颗耗尽型MOSFET(DMZ42C10S)，配合一颗限流电阻，即可实现5V-24V宽电压输入适配，无需外置电路 。　　电路工作原理：　　1. 耗尽型MOSFET和限流元件(通常为电阻)构成限流单元　　2. 自适应限流：当输入电压升高时，MOSFET栅源电压VGS降低，自动限制电流增长，形成负反馈。　　3. 公式支撑：限流电阻值 I(MAX)= |VGS(OFF)| / R，精准设定最大电流。　　性能优势：　　1. 宽电压兼容：5V-24V输入下，电流波动<±2%。　　2. 高频支持：工作频率高达500kHz，满足高速脉冲需求。　　3. 高鲁棒性：DMZ42C10S耐压达100V，抗浪涌能力强。　　技术优势对比传统方案：　　实测数据：　　1. 输入24V脉冲信号时，电流稳定在17mA，信号失真率<1%。　　2. 在-40℃~85℃环境下，接口电路性能无衰减。　　四、ARK(方舟微)DMZ42C10S关键参数说明　　1. 耐压值(Vds)：100V，轻松应对工业环境电压波动。　　2. 导通电流 530mA：从容应对工业标准电流输出要求。　　3. 导通电阻(RDS(on))：典型值2Ω，功耗低、发热小。　　4. 工作频率：支持500kHz，满足高速信号传输。　　5. 封装：SOT-23，体积小，适合高密度PCB布局。　　以上产品参数源于ARK(方舟微)耗尽型MOSFET产品DMZ42C10S产品手册，对比分析数据源自方舟微电子公司实验室测试结果。　　额外需要说明的是：DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
2025-03-24 09:54 reading：815
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