在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域,碳化硅应运而生,成为推动下一代功率转换系统发展的关键。鲁光电子推出的LGE3D10065G,便是一款在紧凑的DFN8x8封装内集成了优异性能的碳化硅二极管,为众多高效能应用提供了理想的解决方案。

核心特性优势:
1.零反向恢复:消除了开关过程中的电流“拖尾”现象,显著降低了开关损耗和开关噪声。
2.开关速度极快:不受反向恢复限制,可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。
3.优异的温度特性:其反向漏电流和开关特性随温度变化很小,在高温下依然能保持高效稳定。
二、特性曲线
三、典型应用领域
基于上述卓越性能,鲁光LGE3D10065G广泛应用于以下领域:
1.高频功率因数校正电路:
在通信电源、服务器电源的PFC升压电路中,它是升压二极管的绝佳选择。其零反向恢复特性可以显著降低开关损耗,使PFC级能够工作在更高频率。
2. 开关电源/太阳能逆变器:
用于反激、正激、LLC谐振等拓扑中的续流或钳位二极管。在高频下实现高效率,有助于提升整个电源的功率密度。
3. 工业电机驱动与不间断电源:
在变频器的整流或缓冲电路中,其高性能可以降低系统损耗,提高功率密度和动态响应速度。
4. 高频焊接与感应加热:
这些应用要求极高的开关频率,传统硅二极管无法胜任,而碳化硅二极管正是理想之选。
四、总结
鲁光LGE3D10065G 650V/10A碳化硅二极管,以其零反向恢复、高开关频率、高效率、出色的高温稳定性,完美地满足了现代电力电子设备对高性能和高可靠性的苛刻要求。是替代传统硅二极管的战略性选择,能够显著提升产品竞争力,推动绿色能源和高效电力应用的发展。
在线留言询价
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码,即可关注
请输入下方图片中的验证码: