力芯微推出新品微光充PMIC

发布时间：2025-10-21 15:23
作者：AMEYA360
来源：力芯微
阅读量：434

　　2025年10月21日，KES韩国电子展正式开幕。力芯微于A馆A104展位展示了其高性能微光充PMIC ET95640，并提供了详细的产品演示视频与技术讲解

　　产品介绍

　　ET95640是一款高度集成的超低功耗微光充电池管理芯片，专为物联网、可穿戴设备等低功耗应用设计。该芯片能够从光伏(太阳能)、热电发生器(TEG)等高阻抗微弱能源中高效提取能量，并支持对锂离子、锂聚合物、超级电容等多种可充电电池进行充放电管理。

　　芯片内置冷启动电路，最低仅需275mV或5µW的输入即可启动工作，有效解决了微弱能量环境下的设备供电难题。同时具备Buck架构、5V线性充电器，以及灵活的GPIO配置资源，可大幅延长电池寿命，甚至实现设备的“免维护”长期运行。

　　产品特性

　　超低功耗冷启动能力

　　启动电压最低至275mV

　　启动功率仅需5µW

　　支持能量收集源电压调节(MPPT)

　　可从能量收集源提取高达110mA电流

　　完善的电池保护机制

　　可配置过放与过充保护电压

　　支持多种可充电电池(锂电容、锂离子、锂聚合物等)

　　高效降压转换器

　　转换效率高于90%

　　输出电流可达135mA

　　输出电压可通过GPIO配置

　　极低功耗运输模式

　　电池漏电流小于10nA

　　5V线性充电器

　　支持预充电/恒流/恒压充电模式

　　可在无能量收集源时快速充电

　　支持封装：QFN24 (4mm×4mm)

　　管脚定义

力芯微推出新品微光充PMIC

　　典型应用

力芯微推出新品微光充PMIC


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　　产品概述　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。　　EM14DN30Z产品介绍　　产品特性　　· 漏源电压：30V;　　· 最大通流：14A;　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V　　· 背靠背双向阻断功能;　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)图1. EM14DN30Z封装信息　　EM14DN30Z三大核心亮点　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：　　亮点1　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。　　亮点2　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。　　亮点3　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。　　EM14DN30Z典型应用　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：　　浪涌防护升级　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形　　场景全面覆盖　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。图4. 单Type C 有线充典型应用图图5. Type C 有线充与无线充双输入应用　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!
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　　概述　　ET9668是一款内置9mΩ功率开关管的OVP芯片，最高支持28V工作电压。其内置的过压保护关断模块可以保证关断响应时间低于50ns，常规表现在10ns左右，这种响应速度是“OVP控制芯片+外置FET”的方案所无法达到的。同时，该芯片还内置了200V浪涌保护模块，这样能够最大程度的减少产品电源接口保护电路的元件数量，降低设计难度。　　该产品已经通过客户全套测试并开始批量上市，为客户的旗舰AI智能手机保驾护航。　　ET9668典型特性　　全温度范围6A持续电流能力　　内置9mΩ(典型值)N型功率管　　输入电压范围：2.8V至28V　　内置21.9V和12.4V过压阈值可选　　最大50ns过压关断响应时间　　内置±200V浪涌保护　　定制的OTG模式　　VBUS动态放电管理　　±4KV ESD保护能力(HBM)　　WLCSP20封装　　ET9668引脚信息　　采用WLCSP20球封装，尺寸1.88mm * 2.34mm，工作温度范围为-40℃至85℃。
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