在追求更高效率、更高功率密度和更小体积的现代电力电子领域,碳化硅MOSFET 正逐渐成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的关键器件。作为国内功率半导体行业的领军企业之一,鲁光电子推出的LGE3M180065F 是一款性能优异的650V / 180mΩ 碳化硅MOSFET,为众多中高功率应用提供了高效、可靠的解决方案。
核心优势(基于SiC MOSFET特性)
1. 高频开关能力
开关损耗比硅IGBT降低70%,支持100kHz以上高频应用。
2. 低导通电阻(Rds(on))
正温度系数特性,易于并联均流。
3. 零反向恢复电流
体二极管无Qrr,消除桥式电路死区损耗。
4. 高温工作
结温(Tj)可达175°C,散热设计更简化。
3. 高可靠性: 高工作结温、优异的耐高温性能和强大的短路耐受能力,确保器件在恶劣环境下稳定工作。
二、特性曲线
三、典型应用领域
1.服务器/数据中心电源(SMPS): 用于高功率(5kW以上)的服务器电源和通信电源。高开关频率允许使用LLC等高效拓扑,显著提升电源效率,降低数据中心的运营成本。
2. 新能源光伏逆变器: 用于5-10kW组串式光伏逆变器的DC-DC升压环节,利用其高频率和高效特性,可以最大化太阳能板的发电效率,同时减小逆变器体积。
3. 工业电机驱动与变频器: 用于5-10kW驱动风机、水泵、压缩机等工业电机。其高速开关能力可实现更精确的电机控制和更低的谐波失真。
4. 不间断电源(UPS): 其5-10kW高功率特性,用于提升中大功率UPS的逆变效率,延长电池续航时间,同时减小设备体积。
5. 储能系统的功率转换: 用于5-10kW电池储能与电网之间高效的双向能量流动。
四、总结
鲁光电子的LGE3M180065F 碳化硅MOSFET以其650V/180mΩ的平衡性能,提供了一个强大而可靠的国产化功率开关解决方案。随着碳化硅技术的不断成熟和成本的持续下降,像LGE3M180065F这样的器件必将成为推动工业、能源和交通等领域迈向绿色、高效未来的核心力量。
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TL431ACLPR | Texas Instruments | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
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BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
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TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
BP3621 | ROHM Semiconductor |
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