瑞萨电子荣获“维科杯·OFweek2025汽车行业优秀解决方案奖”

发布时间：2025-08-08 10:26
作者：AMEYA160
来源：瑞萨电子
阅读量：263

　　2025年7月31日，在由OFweek维科网主办的“全数会2025工业智能传感与汽车芯片专题论坛”上，“维科杯·OFweek 2025汽车行业年度评选”结果也正式揭晓。瑞萨凭借“基于跨域融合MCU平台的轻量级ZCU虚拟化平台”，荣膺“维科杯·OFweek 2025(第四届)汽车行业优秀解决方案奖”。

瑞萨电子荣获“维科杯·OFweek2025汽车行业优秀解决方案奖”

　　基于跨域融合MCU平台的轻量级ZCU虚拟化平台是瑞萨电子与中科创达深度融合双方技术优势所推出的创新方案，旨在聚焦极低资源下的虚拟化性能优化与智能调度设计，通过对底层架构的完善与算法创新，为智能汽车域控制器的发展提供全新技术路径。

瑞萨电子荣获“维科杯·OFweek2025汽车行业优秀解决方案奖”

　　该方案核心采用瑞萨RH850/U2A高性能MCU——作为瑞萨跨域MCU系列的首款产品，RH850/U2A旨在满足将多应用集成于单芯片，以实现针对电气电子架构(E/E架构)的统一电子控制单元(ECU)设计。该MCU采用28nm制程技术，并融合了瑞萨用于底盘控制的RH850/Px系列和用于车身控制的RH850/Fx系列的关键功能，进一步提升了产品性能。

　　在核心设计方面，RH850/U2A MCU配备四个采用双核锁步结构的400MHz CPU核心。每个CPU核心都集成了基于硬件的虚拟化辅助功能，允许不同ISO26262功能安全级别的多种软件系统在高性能模式下独立运行且不受干扰。此外，还可减少虚拟化占用的资源，以保障实时执行。

　　另外，该MCU包含EVITA Full级别的信息安全功能支持，以加强对网络攻击的防护，使设备能够随着安全要求的发展，实现安全、快速的完全无等待OTA(Full No-Wait OTA)软件更新。

　　同时，RH850/U2A MCU还配备多种网络接口，这使其能够处理大量传感器数据，让客户能够支持面向未来的高速网络功能并满足高通信吞吐量的要求。

　　目前，基于RH850/U2A高性能MCU平台的ZCU方案已经得到各大主机厂的广泛应用。张佳浩表示“非常荣幸瑞萨电子与中科创达联合研发的‘基于跨域融合MCU平台的轻量级ZCU虚拟化平台’获得此项殊荣!面对汽车电子架构复杂化、跨域协同与成本控制的严峻挑战，瑞萨依托RH850/U2A的强大性能，为构建高效、安全、经济的跨域融合解决方案提供了核心动力。目前，该方案已在多家主流汽车制造中成功落地应用，标志着智能汽车正式从‘域控分立’迈入‘跨域融合’的新阶段”。

　　未来，瑞萨将继续深耕芯片级创新，携手合作伙伴推动汽车E/E架构的持续变革，为更智能、更安全的出行赋能!


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　　糖尿病影响着全球超过10%的人口(数据来源：国际糖尿病联盟)，由于其并发症种类繁多且缺乏直接有效的治疗方法，带来了巨大的健康风险。　　连续血糖监测(CGM)已被证明能够彻底改变患者生活的革命性技术，通过赋予患者对日常生活的自主决策权，显著提升了他们的生活质量。　　CGM测量的是皮肤间质液的葡萄糖浓度(图1)。因此，与血液测量相比，它的侵入性更小，并且可以舒适地佩戴在患者皮肤上数天。　　图1：图片来自DiabetesWise.org。该图描述了血管上方的皮肤层，并显示了可靠的血糖信息如何存在于间质液中，而不是血液中。　　通过CGM系统每隔几分钟收集一次的数据，可以传输到医疗读取器或智能手机，然后与医疗机构共享，供专业人员记录和分析。此外，来自联网患者的持续数据流正在推动基于先进人工智能的预测模型的发展，以实现更有效的糖尿病管理和研究。　　CGM技术的研究重点是开发更准确、更安全、更小型化、更耐用且更具成本效益的解决方案。其目标是确保长期可及性和广泛应用，而电子产品在克服这些挑战方面发挥着关键作用。　　大多数商用CGM系统采用放置在患者皮肤上的电化学安培传感器。这些传感器测量与血糖浓度成比例的小电流，然后由模拟前端(AFE)电路处理并转换为数字信号。该信号由微控制器(MCU)处理，并通过低功耗蓝牙(BLE)传输到医疗读取器。该系统由一次性纽扣电池供电。　　瑞萨电子和Xmoore Microelectronics近期开发的参考设计介绍了CGM技术的一些最新进展。该设计采用紧凑高效的系统，包含模拟前端(AFE)、低功耗蓝牙(BLE)SoC和用于数据存储的小型外部闪存。低功耗蓝牙SoC不仅可以处理血糖数据，还可以将其无线传输到医疗读取器或智能手机，为患者和医疗保健提供者带来极大的便利。　　如图2所示，该参考设计展示了一种超紧凑的解决方案，其中低功耗蓝牙SoC和AFE均由1.5V氧化银纽扣电池供电，无需任何外部直流升压电路，这在尺寸和电源效率方面带来了显著提升。整个系统(包括电池)仅占18毫米的空间，这使得CGM制造商能够生产出比目前市面上更小、更薄的皮肤贴片。这种小型化设计减少了传统CGM设备通常带来的笨重感和不适感，从而提高了患者的舒适度，并鼓励患者更好地遵守血糖监测方案。此外，使用低电压商用电池进一步降低了设备的总成本。　　图2：该参考设计采用了Xmoore开发的模拟前端(AFE)和瑞萨提供的蓝牙®片上系统(SoC)。　　如图3所示，这款成本效益高且紧凑的解决方案使参考设计在市场上极具竞争力。更小的尺寸，加上BLE SoC和AFE的高能效，确保CGM系统在功能或性能方面保持经济实惠。这种成本效益对于让更广泛的人群更容易获得持续血糖监测尤为重要，尤其是在保险覆盖范围有限或患者难以获得昂贵医疗设备财政补贴的地区。　　图3：该参考设计集成了Xmoore开发的模拟前端(AFE)和瑞萨提供的蓝牙®片上系统(SoC)。　　该系统由标准1.5V电池供电，可集成到一个18毫米的紧凑贴片中，大小与一枚一角美元硬币相当。　　通过提高糖尿病管理工具的可及性，这项技术可以在减少糖尿病相关的长期健康并发症方面发挥关键作用。随着越来越多的患者能够使用可靠且经济高效的连续血糖监测(CGM)系统，糖尿病相关健康问题的负担将显著减轻，从而改善全球数百万人的健康状况，提高生活质量。　　综上所述，瑞萨和Xmoore Microelectronics联合推出的全新CGM参考设计为糖尿病护理带来了激动人心的突破。微型化、高能效和低成本的结合使其成为市场上极具竞争力的解决方案。通过为患者提供更高的舒适度并降低总体成本，该参考设计有望扩大改变生活的糖尿病管理工具的可及性，最终在全球范围内改善糖尿病的预防和管理效果。　　瑞萨DA14531超低功耗蓝牙®片上系统配备2.4GHz收发器和Arm® Cortex®-M0+微控制器，采用紧凑的3.0mmx2.2mm封装。其配置可延长电池续航时间，它允许在1.5V电池放电周期中持续运行，即使输出电压已低于其额定值。当需要更大RAM时，DA14535也是一个不错的选择。　　XMOORE AFE XMB1000可与2至4端子电化学传感器配合使用，并集成0°C至50°C温度传感器。该器件可在低至1V的电源电压下工作而不会降低性能，并采用2.0mmx2.0mm的BGA封装，仅需极少的被动元件。
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　　2025年7月24日，由ASPENCORE主办的MCU及嵌入式技术论坛在深圳举行。作为受邀嘉宾之一，瑞萨电子嵌入式处理器事业部中国市场部 刘杰文出席活动，并发表题为《智驱未来：瑞萨嵌入式产品矩阵》的主题演讲，系统阐述瑞萨在嵌入式领域的战略布局、核心产品与技术优势。瑞萨电子嵌入式处理器事业部中国市场部 刘杰文　　深耕高增长市场，打造全栈解决方案　　瑞萨电子由日立、三菱电机及NEC的半导体部门合并而成。自2017年起，公司通过战略收购持续完善模拟与嵌入式产品生态，致力于为汽车、工业/基础设施及物联网等高增长市场提供一站式解决方案。　　在发展战略上，瑞萨聚焦多元化产品、端点智能、数据安全与功能安全和生态建设四大方向。活动现场，刘杰文重点介绍了公司的MCU、MPU产品及技术优势。　　MCU产品介绍　　瑞萨提供广泛的MCU产品组合，包括RL78、RX、RA几大系列，可满足从微功耗终端到高性能边缘计算的全场景需求。其中，RL78是瑞萨超低功耗MCU产品家族，拥有卓越的性能、高扩展性及集成度，并支持多种安全保护，是电池供电设备的理想选择。　　RX MCU产品家族包含四个系列：具有出色性能和强劲功能的旗舰RX700系列;标准RX600系列;兼具高效能和高性能的RX200系列;具有极低功耗的入门级RX100系列，这些产品实现了从小型到大型应用的无缝扩展。另外，针对电机控制场景，瑞萨推出RX-T系列，适用于单电机、双电机及多电机驱动场景，可满足工业、家用电器和机器人等应用的电机需求。　　作为瑞萨高性能MCU的代名词，RA系列率先采用Arm® Cortex-M85内核，主频达480MHz，为嵌入式系统带来了卓越的处理能力。该系列搭载的Helium技术进一步突破性能边界，即便在小型低功耗的嵌入式系统中，也能轻松应对多样化的算力需求。同时，RA系列产品通过集成TrustZone技术，构建了硬件级的隔离环境，可确保数据的安全性和系统的可靠性。其中，公司最新推出的RA8P1为第二代RA8系列产品，主频高达1GHz，不仅集成了新一代存储介质MRAM，还搭载Ethos-U55 NPU，拥有0.25TOPS的强大算力，同时支持千兆网口，树立了MCU处理性能的新标杆。　　MPU产品介绍　　瑞萨的MPU产品线同样强大，包括RZ/G、RZ/T、RZ/N、RZ/A、RZ/V等多个系列，覆盖从通用处理到专用AI加速的广泛需求。其中，RZ/T、RZ/N是用于工业网络及实时控制的产品，具有兼容性的可扩展阵容。在演讲中，刘杰文特别提到专为高性能工业自动化打造的MPU——RZ/T2H与RZ/N2H，他表示：这两款产品搭载4核CA55与2核CR52的强大处理器架构，不仅支持多协议工业以太网实现高效通信，还具备9轴电机驱动能力，可充分满足工业自动化领域的复杂控制需求。　　RZ/V系列集成DRP-AI加速器，兼具高AI推理性能和低功耗特性，具有从0.5TOPS到80TOPS的广泛扩展性，能够为各种AI应用提供高附加值。RZ/V2H是瑞萨推出的高端AI MPU，其采用瑞萨专有的DRP-AI3、四核Arm® Cortex®-A55(1.8GHz)Linux处理器，以及双核Cortex®-R8(800MHz)实时处理器，是自主机器人和机器视觉等应用的理想之选。　　RZ/G系列是基于Arm® Cortex®架构和RISC-V架构的可扩展MPU平台，具有先进的图形、视频引擎和高速接口，非常适用于工业自动化、楼宇自动化HMI、工业摄像头和网关应用。　　在嵌入式设计领域，瑞萨提供从硬件IP到专用软件和工具的全栈支持。公司不仅拥有高性能的处理器内核，还推出了丰富的开发工具和软件包，如FSP，可为开发者提供高效、灵活的开发环境。　　多领域部署，推动产业智能升级　　瑞萨的嵌入式产品在多行业中展现出显著优势。在演讲中，刘杰文分享了公司在物联网、新能源、工业自动化、协作机器人以及嵌入式AI领域的部署战略。他表示：“瑞萨有160+本地解决方案，可以为中国客户提供高度适配且多元化的选择。”　　在物联网领域，瑞萨推出涵盖用户界面、人工智能、模拟/传感、逆变控制、系统主控以及数据/功能安全等方面的产品和解决方案，为白色家电、消费电子以及医疗健康等领域的创新提供支持。　　在新能源领域的电力应用端，瑞萨的高性能产品深度融入电力网关、电能质量分析、智能电表及流量计表等各类方案，成为推动电力智能化发展的关键力量。而在能源存储与转换的关键环节，瑞萨精准聚焦光伏逆变、储能、充电桩、电池分容化成等热门应用场景，以专业的技术支持与定制化的产品方案，为新能源产业的蓬勃发展奠定坚实基础。　　在工业自动化领域，瑞萨能够提供涵盖各层级的产品与技术。公司旗下的MCU/MPU产品可广泛应用于工业网络/网关/IO设计中。同时，融合端侧AI技术，借助R-IN等网络解决方案与IO-Link等连接方案，可为工业自动化系统的高效、稳定、安全运行提供有力保障。　　在人机协作中，瑞萨利用高性能应用处理器达成精准的系统控制及多轴、高精度电机操控;视觉处理上，借助DRP - AI技术实现高效AI推理;端点AI方面，其产品可增强机器人对环境的感知与响应能力。同时，瑞萨重视功能安全，通过TUV SIL3认证确保运行可靠，并借助工业网络通信、多元人机交互及完善数据安全方案，为协作机器人应用提供保障。　　刘杰文指出：在嵌入式AI的部署上，瑞萨构建了从云端到终端的AI产品布局，提供全面的AI/ML工具和解决方案，能够满足不同场景下的嵌入式AI应用需求，助力客户快速实现产品的智能化升级。例如，借助Reality AI工具，我们可以对传感器信号数据进行清洗、特征空间提取以及模型训练，最终将训练好的模型转换并部署到芯片中。除了支持用户自主训练模型外，我们还提供丰富多样的预训练或已验证的模型资源。比如，通过近期新发布的Nvidia Tao平台，开发者能够将Nvidia已验证的100多个模型直接部署到我们的芯片上，无需从零开始搭建。　　与此同时，瑞萨也深耕本地化生态，坚定推行“在中国，为中国”策略，以加速中国市场的本土创新。公司构建了由数十家本地合作伙伴组成的强大协作网络，致力于提供定制化解决方案、专业的技术支持与培训服务。不仅如此，瑞萨在全球范围内支持大学教育，公司的嵌入式大学计划致力于培养下一代嵌入式开发者，为中国市场持续输送人才。
2025-07-31 13:49 阅读量：373
瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计
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瑞萨电子推出64位RZ/G3E MPU，专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计

　　7月29日，全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E(MPU)。RZ/G3E作为一款通用型产品，针对高性能人机界面(HMI)应用进行优化，集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元(NPU)，可实现高性能边缘计算，并具备AI推理功能，从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能，该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统，包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。　　高性能边缘计算与HMI功能　　RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核，以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用，同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计，可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清(1920x1080)视频，其输出接口包括LVDS(双链路)、MIPI-DSI和并行RGB接口;此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口，可用于视频输入与感知应用。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示：“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上，增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU，我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力，满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。”　　RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口，包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0(2通道)、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2，以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。　　低功耗待机与快速Linux恢复　　从第三代RZ/G3S开始，RZ/G系列就包含先进的电源管理功能，可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时，功耗可低至约50mW;深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据，从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。　　全面的Linux软件支持　　瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包(VLP)，并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户，瑞萨提供Linux BSP Plus，支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外，Canonical的Ubuntu，以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。　　RZ/G3E的关键特性　　CPU：四核Cortex®-A55(最高1.8GHz)、Cortex®-M33　　NPU：Ethos™-U55(512GOPS)　　HMI：双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器　　内存接口：32位LPDDR4/LPDDR4X(带ECC)　　5G通信连接：PCIe 3.0(2通道)、USB 3.2 Gen2、USB 2.0x2、千兆以太网x2、CAN-FD　　工作温度：-40°C至125°C　　封装选项：15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA　　产品生命周期：根据产品生命周期计划(PLP)提供15年供货保障　　瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案　　瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统(SoM)解决方案——高性能边缘计算SoM丨瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案：例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM(Size-M规格)，以及MXT的OSM(Size-L规格)。　　成功产品组合　　瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合，开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。　　供货信息　　RZ/G3E和评估板套件现已上市;该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。如果你想购买相关产品，可咨询AMEYA360的销售人员。
2025-07-30 11:29 阅读量：338
瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
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瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

　　Gabriele Clapier，Power System Marketing Manager："随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。"　　GaN和Cascode D-Mode架构的优势　　与传统的硅基器件相比，GaN具有许多优势，包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷，这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率，从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。　　GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置，通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对，以创建常闭器件。　　这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性，同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性，使其成为高效电源应用的首选解决方案。　　主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车　　可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用，因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统，通过提供更快的充电和更高的能源转换率，实现便携性的设计目标。　　随着电动汽车的加速采用，智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面，了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。　　现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用，可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能，同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度，正在彻底改变功率转换，这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计，并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。　　GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能，在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如，在上述EV系统中，将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中，可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率，减小了尺寸和重量，最终延长了行驶里程和可靠性，这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。　　在不断增长的电动两轮车市场中，高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数，RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能，从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统，延长电池寿命并改善加速性能。　　总结　　GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术，瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步，这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。
2025-07-24 13:33 阅读量：409
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