Littelfuse：使用灌封友好型轻触开关保护PCB上的电子元件-Ameya360 electronic components purchasing network

Littelfuse：使用灌封友好型轻触开关保护PCB上的电子元件

Release time：2025-06-30

author：AMEYA360

source：Littelfuse

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　　在电子产品领域，确保印刷电路板(PCB)的长期使用寿命和可靠性至关重要。印刷电路板是所有电子设备的核心部件，如何选择恰当的方法来保护其关键元器件免受损害和恶劣环境条件的影响，这一点尤为关键。本应用说明对比了保护安装在PCB上的电子元器件的两种主要方法：敷形涂层(conformal coating)和灌封(potting)。每种技术都具有显著的优势和劣势，因此，根据性能优化和应用需求做出恰当的选择至关重要。

　　1.敷形涂层

　　敷形涂层提供了一种轻量且多功能的保护解决方案。该方法是在印刷电路板上涂上一层薄薄的绝缘材料保护材料，使其贴合元件的轮廓。这种涂层能保护印刷电路板免受环境污染物(如湿气、灰尘和化学品)的侵害。其应用方法包括：

　　喷涂：此方法使用气溶胶罐或喷枪来涂覆涂层材料。它既适用于小批量也适用于大批量生产，并允许进行选择性涂覆。

　　浸涂：将PCB浸入装有涂层材料的槽中，确保完全覆盖。此方法对于大批量生产非常高效，但可能需要进行遮蔽处理以防止特定区域被涂覆。

　　刷涂：这种手动方法适用于小批量生产或返工。它允许精确涂抹，但比较耗时。

　　敷形涂层的厚度通常介于25至75微米之间，这种薄度最大限度地减少了对组件重量和空间的影响。这种薄度也便于对元器件进行检查和维修，这在测试或维护阶段是一个显著优势。此外，可用的涂层材料种类多样(如丙烯酸、聚氨酯、有机硅或环氧树脂)，使得保护措施能够根据每种应用的具体要求进行定制。然而，需要注意的是，这种方法对机械应力和振动提供的保护有限，并且可能不适用于具有尖锐边缘或复杂几何形状的组件。在极端环境下，其有效性也会降低。

　　2.灌封

　　灌封以其坚固耐用的保护而著称。该工艺涉及将 PCB 或特定元器件完全封装在树脂中。树脂固化后，形成一道抵御机械应力、振动和极端环境的坚固防护层。此方法能确保卓越的电气绝缘性能，这对于关键应用至关重要。此外，灌封提供了更高水平的物理安全性和防篡改性，使其成为需要最高可靠性的应用的理想选择。灌封还通过屏蔽湿气、灰尘、化学品和腐蚀，提供全面的环境保护。灌封材料的机械稳定性可吸收振动和冲击，防止元器件损坏。再者，难以去除的树脂阻碍了逆向工程，增强了防拆解/防篡改能力。某些用于灌封的树脂还能增强散热，这对高功率应用非常有益。

Littelfuse：使用灌封友好型轻触开关保护PCB上的电子元件

图1使用KSC XA轻触开关的印刷电路板，填充灌封材料的过程

　　然而，必须指出的是，维修经过灌封的组件通常极其困难，甚至不可能。此外，添加树脂会增加组件的重量和体积，而且总体成本通常高于敷形涂层。尽管如此，在抗冲击性方面，灌封是最佳选择。如果设备需要承受潜在的冲击损伤，灌封可提供最高级别的保护。当需要显著的减震、散热以及增强保密性与安全性时，灌封同样适用。

　　3.C&K Littelfuse解决方案：灌封友好型轻触开关

　　KSC PF系列开关专为满足表面积小的产品的尺寸和性能要求而设计，同时能承受液体和振动等严苛环境因素。KSC PF轻触开关将紧凑的表面贴装技术(SMT)外形尺寸(6.2 x 6.2 x 5.2mm)与灌封友好的延伸式防护框相结合，增强了对灌封层厚度的容忍度，加快了生产速度，并提升了质量。传统使用扁平防护框的方法不允许在防护框上方进行灌封。而采用延伸式防护框后，这个问题得到了有效避免，从而简化了生产过程并确保了更好的控制。KSC PF开关具有IP67密封等级，使用寿命高达100万次，并且专为SMT设计，使得PCB组装更加简便。

　　KSC XA系列开关同样提供带有延伸式防护框的版本，以允许灌封材料覆盖。

Littelfuse：使用灌封友好型轻触开关保护PCB上的电子元件

图2 KSC4系列轻触开关标准版，带扁平外壳

Littelfuse：使用灌封友好型轻触开关保护PCB上的电子元件

图3 使用延伸式防护框的KSC PF系列轻触开关(灌封友好型)

　　注：1. KSC4系列的最大灌封高度为2.9毫米，灌封高度不得超过框架顶部;2. KSC PF系列的最大灌封高度为3.5毫米。

　　重点应用

Littelfuse：使用灌封友好型轻触开关保护PCB上的电子元件

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行业新闻

Littelfuse新型TMR开关提供超低功耗磁感应

　　Littelfuse宣布推出两款下一代隧道磁阻(TMR)磁性开关：LF21112TMR全极开关以及LF11215TMR双极开关。这两款紧凑型器件具有出色的磁灵敏度、热稳定性和超低功耗，为智能电表、可穿戴设备、消费电子产品、工业自动化和家庭安全系统提供节能传感解决方案。LFxxxxxTMR开关　　扩展TMR传感器产品组合　　通过将TMR技术与超低功耗CMOS设计相结合，这两款开关相较于传统的霍尔效应传感器和旧式磁性开关技术，均展现出卓越的性能表现。这些产品的推出标志着Littelfuse磁传感器产品组合向电池敏感型和常开应用领域的重大拓展。　　· LF21112TMR：公司首款全极TMR开关，能够同时检测南北磁极，使磁体放置更灵活，并简化了设计。典型电流消耗仅为200nA，是超低功耗应用的理想选择。　　· LF11215TMR：一款双极数字TMR开关，以1.5μA的超低电流消耗和仅17高斯的高磁灵敏度提供高速、精确检测。在需要定向检测的更复杂传感应用中表现出色。　　双极与全极有何区别?　　全极开关(如LF21112TMR)在暴露于任一磁极时都会触发响应，非常适合空间受限的设计和难以控制磁体对准的应用。双极开关(如LF11215TMR)由特定磁极(通常为北极)触发，并由相反磁极(南极)复位。这种方向灵敏度对于需要旋转或方向感应的应用非常有利。　　主要功能与特色　　两种器件均采用紧凑型SOT23-3封装，并具有以下特点：　　· TMR技术可实现更高的灵敏度和热稳定性;　　· 推挽式CMOS输出，提供干净的数字信号;　　· 施密特触发器输入可降低噪声并提高可靠性;　　· 出色的抗外磁干扰能力;· 宽工作电压：1.8V-5.0V。　　这些开关可帮助工程师设计出更小、更智能、更节能的产品，同时降低机械复杂性并延长电池寿命。　　市场与应用　　这些创新型开关非常适用于：　　· 智能水电表(煤气、水、热);· 电池供电的可穿戴设备和物联网传感器;　　· 电器和电动工具的盖板与盖罩检测;　　· 家庭和楼宇自动化中的篡改检测;· 轻型工业和机器人设备中的旋转和线性位置传感。　　“LF21112TMR和LF11215TMR扩展了Littelfuse TMR传感器产品组合，这些解决方案致力于应对当今紧凑型、电池供电和常开设备中的关键设计挑战。”Littelfuse全球产品经理Julius Venckus表示，“两款开关都集成了隧道磁阻技术和超低功耗CMOS设计，在业界领先的电流水平下实现卓越的磁灵敏度与热稳定性 — 全极性检测仅为200nA，双极性检测则为1.5μA。这些创新使工程师能够延长电池寿命，简化磁对准，并确保在嘈杂、热要求苛刻的环境下进行可靠传感。从智能电表和可穿戴设备到工厂自动化和家庭安全系统，无论您是需要灵活的电极检测还是精确的方向切换，这些TMR解决方案都能提供设计更智能、更持久的应用所需的性能和效率。”　　常见问答：TMR磁性开关　　1. 与霍尔效应传感器相比，TMR开关有何优势?　　与霍尔效应传感器相比，隧道磁阻(TMR)开关具有更高的磁灵敏度，功耗也大大降低。这种组合可延长电池寿命，并确保在智能电表和可穿戴设备等紧凑型常开设计中实现可靠的传感性能。　　2. 全极和双极TMR开关有何不同?　　全极开关(如LF21112TMR)可响应任一磁极，从而简化对准并带来更大的设计灵活性。与LF11215TMR一样，双极开关由一个电极激活，相反电极复位，从而实现精确的方向或旋转感应。　　3. 是什么让这些开关成为电池供电和物联网设备的理想选择?　　其超低功耗(全极仅为200nA，双极仅为1.5μA)使其成为能量敏感型应用的理想选择。该器件采用集成式CMOS设计，可保持高响应能力，同时延长可穿戴设备、传感器和计量设备的产品使用寿命。　　4. LF21112TMR和LF11215TMR最适合哪些应用?　　这些开关非常适合电池供电应用和空间受限的环境，例如智能水电表、可穿戴设备、物联网设备、家电和自动化系统。其紧凑的SOT23-3封装、1.8-5.0V的宽工作电压范围和强大的抗磁干扰能力，均有助于轻松集成到现代紧凑型电子产品中。　　5. 这些TMR开关能否取代现有设计中的霍尔效应传感器?　　可以。这两种型号通常都可以直接集成到现有的霍尔效应开关电路中，无需进行重大重新设计。推挽式CMOS输出和标准的SOT23-3尺寸简化了替代过程，而宽电压范围和增强的灵敏度可帮助工程师提升性能并降低功耗。TMR的激活方向在“X”轴上，而霍尔效应则是在“Z”轴上。

2025-11-25 16:39 reading：274

model	brand	Quote
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

model

brand

Quote

ROHM Semiconductor

onsemi

Texas Instruments

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

model	brand	To snap up
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

model

brand

To snap up

ESR03EZPJ151

ROHM Semiconductor

BU33JA2MNVX-CTL

ROHM Semiconductor

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

BP3621

ROHM Semiconductor

TPS63050YFFR