一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

Release time：2025-06-26
author：AMEYA360
source：罗姆
reading：1109

　　近年来，为实现无碳社会，电动汽车的普及速度进一步加快。在电动汽车领域，为延长车辆的续航里程并提升充电速度，所采用的电池正在往更高电压等级加速推进，同时，提升OBC和DC-DC转换器输出功率的需求也日益凸显。另一方面，市场还要求这些应用实现小型化和轻量化，其核心是提高功率密度，同时亟需在影响功率密度提升的散热性能改善方面实现技术性突破。

　　新品直击

　　针对这些挑战，罗姆于2025年4月推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC和LLC转换器等应用。其通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中，可有效减少客户的设计时间，而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。您可查看产品新闻或下载产品参考资料获取产品详细信息。

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　产品特点

　　1.构建大功率电源电路拓扑(PFC、LLC)的理想产品阵容

　　- 内置4枚/6枚1,200V/750V耐压的SiC MOSFET，可构建更简洁小巧的电源电路

　　- 产品阵容丰富，提供多种导通电阻(13mΩ~62mΩ)，用户可根据需求选择合适的产品

　　2.采用导热性能优异的绝缘材料，散热性能出色，绝缘设计简便

　　- 与散热性好的分立器件封装产品相比，其卓越的散热性能可有效抑制封装发热

　　3.与同等小型功率模块相比，输出功率更高

　　- 采用具有高散热性封装和低导通电阻的SiC MOSFET，电流密度是其他公司DIP模块的1.5倍

　　产品阵容

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　HSDIP20是罗姆SiC功率器件家族的新成员，作为SiC领域的深耕者，罗姆自2010年在全球率先实现SiC MOSFET的量产以来，已经自主开发了从SiC晶圆制造到元器件结构、制造工艺、封装和品质管理方法等SiC元器件所需的各种技术。

　　另外，罗姆还提供各种形式的SiC元器件，其中包括SiC裸芯片、SiC SBD和SiC MOSFET等分立器件以及SiC模块。不仅如此，为满足SiC市场不断扩大的需求，罗姆于2023年开始生产8英寸衬底，并计划从2025年开始量产并销售相应的元器件。

　　产品矩阵

　　- 罗姆SiC功率器件系列产品

　　- SiC支持页

　　- 第4代SiC MOSFET

　　- 应用合作案例

　　新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”

　　TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。您可查看产品新闻或下载产品参考资料。

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　产品阵容

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　宽爬电距离封装，SiC肖特基势垒二极管

一站式扫货！罗姆SiC功率器件指南请收好

　　采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高!与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理。更多内容您可点击查看产品新闻或点击下载产品参考资料。

　　产品阵容

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　　未来，ROHM将继续开发新产品，通过提供满足市场需求的优质功率元器件，为汽车和工业设备的节能和效率提升贡献力量。


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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
行业新闻

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
2026-05-28 09:23 reading：302
罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石
行业新闻

罗姆丨方案介绍 智驾升级，看罗姆如何筑牢ADAS感知系统基石

　　2026年，L4级自动驾驶正加速在限定场景(如自动驾驶出租车、无人配送)落地，产业处于从L2普及向L3/L4探索。在这一进程中，ADAS(高级驾驶辅助系统)作为智驾功能的核心载体，其性能影响整车安全上限。ADAS的完整工作流程始于环境感知——由摄像头、雷达、激光雷达等构成的感知网络，为后续决策与控制提供基础数据。感知的精度与可靠性，直接影响系统能否正确应对复杂路况。　　罗姆围绕ADAS环境感知环节，提供从电路保护、电源管理、信号传输到核心光源等多类产品，覆盖车载摄像头与激光雷达等多个模块，您可点击查看罗姆ADAS解决方案。　　车载摄像头　　随着ADAS等级提升，单车摄像头数量不断增加，部分车型已搭载10个以上。摄像头模块面临小型化、低功耗、高画质和高可靠性等多方面要求。罗姆围绕这些需求，从基础的电路保护到核心的电源管理与信号传输，提供保护二极管、电源管理IC(PMIC)、串行/解串器(SerDes IC)等产品。　　保护二极管- ESD(静电放电)保护二极管　　采用DFN1006-2W封装的两款产品符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101的要求，还适用于采用SerDes IC通信的ADAS、AD(自动驾驶)摄像头以及ECU(电子控制单元)等应用。　　- 创新型保护用肖特基势垒二极管　　RBE01VYM6AFH在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡，可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用，提供高可靠性的保护解决方案。　　PMIC BD868xxMUF-C系列符合ISO 26262及其ASIL-B标准的PMIC BD868xxMUF-C系列，适用于ADAS等产品中应用日益广泛的车载摄像头模块。该系列特点如下：　　· 内置3个DC-DC系统和1个LDO系统　　· 3.5mm见方的业界超小封装，可减少安装面积　　· 内置异常状态通知机构(可以检测到电压异常等状况并通过I2C来反馈)　　· 支持各制造商的CMOS图像传感器　　SerDes IC BU18xMxx-C用来传输影像的SerDes IC BU18xMxx-C可以根据分辨率优化传输速率，因此与普通产品相比，功耗可降低27%。此外，通过传输速率优化功能和展频功能，还可将EMI峰值l降低20dB左右。不仅如此，该IC还具有冻结检测功能，可以检测图像的冻结状态，从而还可提高整个ADAS系统的可靠性。　　激光雷达(LiDAR)　　LiDAR是实现L2+级以上自动驾驶的核心测距与空间识别传感器，罗姆可提供光源器件和电源管理产品。　　高输出功率半导体激光二极管RLD8BQAB3是面向LiDAR等距离测量和空间识别应用开发而成的超小型表面贴装型125W高输出功率8通道阵列激光二极管。支持1～8通道激光二极管单独发光和总输出光功率达1kW的超高输出8通道同时发光，客户可根据应用需求选择合适的照射方法。　　LDO稳压器 IC BUxxJA3DG-C系列面向汽车ADAS中性能日益提升的小型车载应用(如传感器和雷达等)，其特点如下：　　· 以小型封装实现300mA的输出电流：采用SSOP5封装(2.9mmX2.8mm)，将输出电流从以往的200mA提高到300mA　　· 从下限1.7V起即可工作(BU12JA3DG-CA)：支持在1.8V的电源系统中使用，可实现更低损耗和更低发热量(而且噪声更低)　　· 低输出噪声特性：与普通的低噪声型LDO相比，输出噪声减少约40%，仅为55uVrms(BU33JA3DG-C时)　　迈向高阶自动驾驶，环境感知始终是不可动摇的技术底座。罗姆凭借PMIC、SerDes IC、激光二极管、保护二极管等器件，配合ComfySIL™功能安全方案，为车载摄像头和激光雷达提供关键支撑。未来，罗姆将持续深耕汽车电子，以更高效、可靠的元器件方案，助力智能驾驶走向更安全、更便捷的水平。
2026-05-14 09:55 reading：498
技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升
行业新闻

技术解码 | 罗姆助力AI服务器能效提升

　　数字化转型(DX)和AI的迅猛发展，为社会带来了巨大的便利，而支撑其运行的数据中心耗电量却持续攀升。　　为了助力解决这一社会课题，罗姆已将融合多年来积累的“功率电子”和“模拟”技术优势，更大程度地提高服务器能效当作使命。其中，服务器总功耗中占比较大的“电源”的效率提升，以及通过“电机”驱动的冷却系统的进一步节能，是实现无碳社会的重要课题。　　从业界先进的SiC(碳化硅)功率元器件，到可实现高精度控制的模拟IC以及各种分立器件，罗姆集这些产品的开发、生产制造、销售于一体，为客户提供前瞻性的解决方案。　　罗姆的半导体技术可高水平兼顾客户服务器系统的“节能”和“小型化”需求，同时还有助于提高其可靠性。罗姆将与客户携手共创可持续发展的数字社会。　　AI服务器主板(Server Board)　　随着生成式AI的普及和数字化转型的加速，现代服务器面临着前所未有的算力需求，以及随之而来的功耗激增问题。要改善数据中心电源使用效率指标(PUE)，从传统12V分散式供电向48V集中式供电架构的转型，以及电源单元的小型化和效率提升已成为当务之急。　　罗姆利用多年积累的高效电源IC技术，结合包括GaN(氮化镓)器件在内的高性能MOSFET，为客户提供综合解决方案。通过可充分激发产品特性的驱动技术，大幅降低功率转换损耗。通过同时实现更低发热量和更高功率密度，助力服务器主板的处理能力提升及节能降耗。　　电源供应单元(PSU)　　罗姆可一站式提供下一代服务器PSU所需的全部电源解决方案。针对高电压大电流化的一次侧电路，可提供业界先进的SiC元器件和高速GaN元器件产品群，助力应用产品大幅提升效率。另外，针对AI服务器等主流的50V输出二次侧整流用途，可提供80V耐压等高性能LV MOS产品群，可将导通损耗降至超低水平。当然，罗姆还拥有性价比超高、也非常适用于图腾柱PFC低速侧开关应用的丰富的Super Junction MOSFET(SJ-MOSFET)产品群。　　在这些种类繁多的产品群基础上，罗姆还可提供系统层面的综合解决方案，其中包括可更大程度激发产品性能的栅极驱动器和控制IC。这正是罗姆的优势所在。本页面将介绍罗姆支撑未来AI数据中心的最新科技和解决方案。　　备用电池单元(BBU)　　在BBU(备用电池单元，用来在电源异常时保护数据)设计中，能够充分发挥锂离子电池性能的先进电池管理系统至关重要。罗姆提供可高精度监测电池健康状态(SoH)的电池电量监控IC(电量计IC)等产品，助力BBU的小型化和可靠性提升。　　此外，在保障服务器稳定运行和可维护性的热插拔电路中，能够承受大电流负载的宽SOA(安全工作区)范围至关重要。尤其是大量使用GPU的AI服务器，对其稳定性的要求非常严苛。罗姆兼具宽SOA范围和低导通电阻的100V耐压功率MOSFET，可满足其严苛要求，并可提高系统的可靠性和稳健性。　　罗姆不仅提供这类元器件级解决方案，还针对多样化的电源架构，提供满足从传统的12V/50V级电源，到可显著改善数据中心整体节能性能的400V级HVDC(高压直流供电)机架应用需求的丰富产品群。
2026-04-15 13:05 reading：693
罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！
行业新闻

罗姆热插拔控制器（HSC）解决方案，满足 AI 服务器多样化需求！

　　在上一篇中，我们详细解读了罗姆适配 800VDC 20～33kW 级电源单元的全套解决方案，而 AI 服务器的高效、稳定运行，除了核心电源单元，热插拔控制器(HSC) 也是供电系统中保障设备可靠性的关键部件。针对 AI 服务器高功率升级下对 HSC 的新需求，罗姆打造了专属的热插拔控制器用全套产品，包含核心 MOSFET、配套电阻及控制器 IC，精准匹配高电流、宽安全工作区的应用场景，以下为核心产品详情。　　服务器热插拔控制器与罗姆产品　　热插拔控制器是 AI 服务器供电系统的关键保护部件，核心作用为：在电源导通状态下插拔供电模块时，有效防止浪涌电流瞬间施加在元器件上，避免器件因电流冲击损坏，从而提升整个供电系统的运行可靠性。　　罗姆可为服务器热插拔控制器提供全环节产品配套，覆盖浪涌电流抑制、电流检测、控制驱动等核心环节，完美适配服务器 48V 输入供电架构。　　针对 AI 服务器HSC对宽 SOA 范围、低导通电阻、高耐压、小型化的核心需求，罗姆专门发售 HSC 用 Nch MOSFET 新品RY7P250BM与RS7P200BM，同时配套 PMR 系列电流检测通用型电阻器，及开发中的 BD12780MUV-LB 12V 热插拔控制器 IC，形成完整的 HSC 产品解决方案。　　“RY7P250BM”和“RS7P200BM”产品简介　　特点　　⚫ 100V耐压的功率MOSFET ，非常适用于48V热插拔电路　　⚫ 标准8080尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　⚫ 被美国云平台企业认证为推荐器件 ⚫ 小一号的5060尺寸封装　　⚫ 同时实现业界超宽SOA范围和超低导通电阻(RDS(on))　　※截至2025年11月27日 ROHM使用8080封装尺寸100V耐压功率MOSFET调查的数据　　两款 Nch MOSFET 可通过热插拔控制器平缓导通，以特定脉宽向电路施加电压和电流，有效抑制浪涌电流的产生;同时搭配罗姆的电流检测电阻与控制器 IC，实现电流的精准监测与器件的智能控制，全方位保障 AI 服务器热插拔过程的安全性与稳定性。　　总结　　罗姆拥有SiC、GaN、Si及LSI业务 是为数不多的半导体制造商之一， 通过与全球头部企业建立的合作伙伴关系，致力于为AI服务器市场贡献力量。　　罗姆可以提供的产品不仅包括以高功率 效率和高功率密度助力降低功耗的SiC、 GaN产品，还包括适用于HSC的Si MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC 等外围元器件，可满足最新AI服务器的多样化需求。罗姆的功率元器件×模拟技术助力满足AI服务器的高电压趋势与节能化需求，为实现应用AI技术的丰富多彩的未来社会贡献力量!
2026-03-26 14:12 reading：746
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