士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

发布时间：2025-06-10 11:02
作者：AMEYA360
来源：士兰微
阅读量：803

　　1.产品概述

　　士兰微SQ9000是一款车规级LED驱动控制器，采用高精度峰值电流控制模式可支持BUCK、BUCK-BOOST、SEPIC、BOOST等拓扑结构的应用。这款控制器具备 4.5V 至 65V 的极宽输入电压范围，支持开关频率外部可设置，以及具备抖频调制技术，展现出卓越的EMI性能。此产品含有全面的保护功能，包括 LED 过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、开关管限流保护和热关断保护，确保器件在各种情况下的安全稳定运行。此产品完全符合AEC-Q100 Grade1标准，适用于汽车LED前大灯、逃生指示应急照明以及LED通用照明等。

　　2.SQ9000产品特点

　　基于士兰优异DTI工艺平台自主开发设计——国产方案、自主可控

　　宽输入电压范围4.5V--65V，适用于12V、24V电池系统——宽域适配、应用灵活

　　宽温度范围内可实现±4%高精度LED恒流——全温稳流、精准调控

　　支持模拟调光和PWM调光，可独立控制LED电流——独立控流、双模调光

　　集成P沟道MOSFET驱动，对PWM调光信号实现快速响应——P管直驱、瞬态同步

　　含有全面的保护功能，以及电流监测和故障状态指示——多重防护、状态反馈

　　采用HTSSOP-20带底部散热封装——绿色封装、强化散热

　　3.典型应用原理图

士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　4.整机DEMO

士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　5.车灯套片方案士兰其他可选产品

士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000


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　　摘要　　快充行业迎来新一波技术迭代，士兰微电子多款高集成SoC方案全面支持PD3.2 AVS协议，为移动电源、旅行充电器和电动工具等设备带来高效、安全、便捷的快充体验。　　01 技术前瞻　　近日，苹果正式发布iPhone 17系列，宣布全系支持基于USB PD 3.2 SPR AVS协议的全新40W动态快充，可实现“约20分钟充至50%”的极速体验。这一变化不仅带动了官方配件升级，也极大推动了第三方快充配件市场的技术演进。　　作为国内领先的集成电路IDM企业，士兰微电子早已布局多协议快充领域，其推出的SD59D24与SD59D25系列高集成快充SoC芯片，兼容支持PD 3.2 AVS、PPS、UFCS等多种主流快充协议，可为不同功率、不同应用场景提供完整解决方案，助力客户迅速响应市场变化，抢占先机。　　02 多口大功率移动电源的理想选择　　针对多设备用户和高端移动电源市场，士兰微推出多款支持多口输出、智能功率分配的快充控制芯片：　　SD59D24B：集成4路USB端口(最多AACC配置)，兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，SFCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4等快充协议;内置8路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度CCCV控制单元，实现锂电池充放电管理。　　SD59D24C：同样支持4路USB端口，侧重双C口配置，集成4路PWM驱动和高精度ADC，适用于追求C口普及的快充移动电源方案。兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，SFCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4等快充协议;内置4路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度ADC，实现锂电池充放电管理。　　SD59D25 / SD59D25A：均集成3路USB接口，支持双C口配置，兼容PD3.2.SPR AVS，QC4.0+，FCP，SCP，AFC，BC1.2，APPLE2.4，UFCS等快充协议;内置4路死区可控的PWM驱动控制，可以实现双向、升/降压开关电源转换;内置高精度ADC，实现锂电池充放电管理。　　03 突破性二合一解决方案：旅行充电器+移动电源　　SD59D25AC是一款创新型的二合一控制芯片，既可作为移动电源使用，也可切换为旅行充电器模式。支持PD3.2.SPR AVS、UFCS等最新协议，内置TL431和光耦控制接口，可直接控制AC-DC电源模块，实现充电器模式的恒压恒流输出。　　该芯片极大提升了产品集成度，减少外围元件，加速产品开发周期，是兼具便携性与多功能性的理想选择。　　04 140W大功率移动电源&电动工具快充方案　　针对高端用户和大功率应用，士兰微也提供了专业的解决方案：　　SD59D25H：支持140W输出功率，支持PD3.2.EPR AVS、UFCS等最新协议，集成3路USB接口，支持数字通信和负载控制，适用于大功率移动电源、户外电源等高端应用场景。　　SD59D25S：专注于单口大功140W快充，支持PD3.2.EPR AVS、UFCS等最新协议，适用于电动工具、高端单口充电设备等对体积和功率密度有较高要求的领域。
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　　近期，国家发改委、能源局联合印发了《新型储能规模化建设专项行动方案(2025—2027年)》，发挥新型储能支撑建设新型能源体系和新型电力系统作用，培育能源领域新质生产力，进一步扩大内需，推动新型储能规模化建设和高质量发展。　　这标志着新型储能发展进入规模化建设新阶段。“光伏+储能”已不再是可选项，而是必然趋势。对于逆变器厂商而言，这既是机遇，也是挑战——如何打造更高效率、更可靠、更能适应市场化竞争的光储产品?　　一、逆变器迎来“升维”挑战　　当前，光伏行业正经历新一轮的变革。一方面，光伏、储能应用场景对逆变器的效率、功率密度要求高，主流光伏组串逆变器的功率正从320kW向450kW+迈进，设备亟需“减重增肌”;另一方面，储能装机规模激增，光储深度融合对逆变器的转换效率、功率密度和长期可靠性提出了近乎苛刻的要求。　　与此同时，全国范围内新能源上网电价市场化改革全面推进，光伏电站的收益将直接由市场交易决定。这意味着，逆变器的每一分效率提升、每一处可靠性增强，都将直接转化为电站业主的真金白银。　　核心的突破口，就在于逆变器的“心脏”——功率半导体。　　二、士兰微三电平拓扑模块的特点　　面对行业挑战，士兰微电子基于完全自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术，推出了SGM600TL14D6TFD三电平拓扑模块。它并非简单的部件升级，而是为应对下一代光储2kV系统设计的功率器件半导体解决方案。　　该方案采用最新的FS5+IGBT芯片技术，实现光伏新能源转换效率最大化;采用士兰自主开发D6封装：可选焊接和压接，可满足2kV系统安规要求。　　01 为何它能提升效率?　　核心在于“三电平拓扑”与“低损耗芯片”　　“三电平拓扑”结构相比传统的两电平拓扑有两方面的优势：一是可以用低电压规格芯片满足高电压应用场景，一般来说，功率器件的电压越低，同等条件下损耗越低，采用低电压规格芯片可以提升效率;二是三电平技术开关电压只有半bus电压，开关损耗近似只有两电平的一半，也可带来效率的提升;另外，开关电压减半，dv/dt也近似减半，可降低功率器件开关的电磁干扰。　　假如把传统的两电平技术比作单档位的汽车，提速慢且费油。那么三电平技术则像一台多档位变速器，换挡更平顺(开关损耗降低近一半)，运行更安静(电磁干扰EMI显著减小)，从而让能量转换一路“畅通无阻”。　　更重要的是，士兰SGM600TL14D6TFD模块采用了士兰微最新一代FS5+微沟槽IGBT芯片，其本身的导通损耗和开关损耗就更低。“低VCE(sat)”特性让电流通过时的“阻力”更小，如同拓宽了高速公路，减少了拥堵和能量浪费。　　02 为何它能助力设备小型化?　　秘诀是“高电流密度”与“高开关频率”　　组串电站光伏逆变器的发展趋势是提升功率，且逆变器体积要小、重量不能增加太多。士兰SGM600TL14D6TFD模块具有“高电流密度”与“高开关频率”的特性，可以提升芯片的通流能力、降低功率器件的损耗，提升逆变器的效率。　　“高电流密度”意味着在同样大小的芯片面积上，能通过更大的电流，这直接允许逆变器在功率大幅提升的同时，不必被迫使用更庞大的散热系统。　　同时，“低开关损耗”使得逆变器可以运行在更高的开关频率下，低损耗使得散热器尺寸更小，减小了外围无源器件的体积和成本，从而降低了整机成本。　　这带来的直接好处是：逆变器后端的电感和电容等磁性元器件的体积可以做得更小。两项技术结合，共同实现了逆变器“功率提升，体积不增”的轻量化设计。　　03 为何它更可靠?　　凭借“正温度系数”与“铜底板技术”　　光伏、储能应用场景对逆变器的可靠性要求越来越高，光伏逆变器和储能变流器生命周期长，对模块的长期可靠性要求高，对模块的芯片和封装都提出了严苛的要求，芯片和封装175℃结温下要求满足长期可靠性要求，封装要求满足高功率循环和温度循环能力。　　在需要多芯片并联的大功率模块中，最怕的就是“有的芯片忙死，有的芯片闲死”。“正温度系数”就像一个自动调节系统：当某个芯片因电流过大而温度升高时，其自身电阻会略微增大，从而抑制电流的继续增加，实现了芯片间的“均富济贫”，确保了系统在高温下的稳定运行。　　此外，模块采用的“铜底板技术”其导热性更好，能快速将芯片产生的热量均匀散开，避免局部“高烧”。这不仅提升了散热效率，其更大的热容量还能“熨平”温度波动，显著提升模块在严苛环境下的使用寿命。　　三、客户价值：从技术参数到商业收益的直观转化　　对于逆变器制造商和终端电站投资者而言，SGM600TL14D6TFD模块带来的价值是清晰可量化的：　　支持功率跃迁：当前光伏组串电站整机大多为320kW，士兰SGM600TL14D6TFD模块支持整机功率提升至500kW@16kHz、450kW@24kHz，且支持系统电压提升到2kV。　　显著降低系统成本：对于一个既定容量的电站，逆变器用量可减少约40%，相应的电缆、施工、土地等建造成本也随之下降。据某行业标杆客户参考数据，按100G瓦的装机容量计算，在整个光伏电站的生命周期里，因电压提升就可以带动收益约165亿元人民币。　　提升市场竞争力：在电价市场化交易中，更高的逆变器效率意味着在同等光照条件下能有更多电力上网交易，直接提升电站收益;模块的高可靠性也保障了电站在沙漠、沿海、高海拔等多样环境下的长期稳定运行，减少运维开支。　　四、携手士兰，共创光储未来　　士兰微电子作为国内少数拥有“芯片设计-晶圆制造-封装测试”全产业链能力的IDM企业，始终致力于以持续稳定的产能供应、敏捷高效的技术响应以及具备竞争力的成本优势，为客户创造长期价值。　　在光储充赛道，士兰微电子已打造出覆盖Si基IGBT分立器件与模块、MOS分立器件，SiC基MOS分立器件与模块、SBD分立器件，以及Si基和SiC混合模块方案的完整产品矩阵。这些产品在功率密度与能效方面表现卓越，助力系统效率不断突破。　　展望未来，士兰微电子期待与您同行，以自主“芯”动力，共创光储新标杆，携手迈进绿色能源新时代。
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200亿！士兰微拟投在厦门建设12英寸芯片生产线
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　　10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》，计划投资200亿元在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。10月19日晚间，士兰微正式发布公告，详细介绍了该项投资合作。　　士兰集华为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体。士兰集华成立于2025年6月，目前尚未产生营业收入。　　项目规划总投资200亿元　　公告显示，为加快完善士兰微在半导体产业链的布局，公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府于10月18日在厦门市签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技于同日签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　依据上述协议，士兰集华作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。该项目规划总投资200亿元，规划产能4.5万片/月，分两期实施。　　一期项目投资100亿元(其中：资本金60.1亿元、占60.1%，银行贷款39.9亿元、占39.9%)建设主体厂房、配套库房、110KV变电站、动力站、废水站、大宗气站等公用辅助设施以及部分工艺设备购置，建成后形成月产能2万片;二期项目规划投资100亿元，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片(年产54万片)。　　士兰集华一期项目资本金为60.1亿元，本次拟新增的注册资本为51亿元，由士兰微及厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技以货币方式共同认缴，其中：公司和厦门士兰微合计认缴15亿元，厦门半导体认缴15亿元，新翼科技认缴21亿元。本次出资无溢价。本次增资完成后，士兰集华的注册资本将由0.1亿元增加至51.1亿元。一期项目资本金中剩余的9亿元由后续共同引进的相关其他投资方认缴出资。　　二期项目规划投资100亿元，在一期项目的基础上实施(暂定其中60.1亿元为资本金投资，其余39.9亿元为银行贷款)，具体方案需各方在完成相关审批流程后，另行签署投资协议等相关文件。　　士兰集华目前注册资本为1000万元，全部由士兰微以货币方式出资。士兰集华目前处于项目前期筹备阶段，尚未产生营业收入。　　上半年业绩同比扭亏　　士兰微2025年半年报显示，公司专注于硅半导体、化合物半导体产品的设计与制造，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件产品。　　2025年上半年，公司实现营业收入63.36亿元，同比增长20.14%;实现净利润2.65亿元，同比扭亏为盈。　　对于下半年市场情况，士兰微在最新披露的投资者关系记录表中表示，下半年特别是第四季度是汽车市场的旺季，也是白电市场的旺季，公司会处在产销紧平衡的状态。其他消费、工业板块预估维持上半年状态。
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