上海贝岭股份有限公司荣获2025中国IC设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业！

发布时间：2025-04-29 09:39
作者：AMEYA360
来源：上海贝岭
阅读量：822

　　2025国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai)已圆满闭幕。

　　今年是AspenCore连续第23年举办IC设计调查及奖项评选，中国IC设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项之一，每一年颁奖典礼已成为半导体产业领袖的年度盛会及行业领航标!上海贝岭凭借展现卓越的设计能力与技术服务水平，荣获2025中国IC设计成就奖之年度杰出市场表现奖-工业!

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　　在近日落幕的“2025中国电机智造与创新应用暨电机产业链交流会(秋季)”上，上海贝岭凭借80～100V SGT系列产品在电机驱动与控制领域领先的技术实力、可靠的产品品质与完善的服务能力，成功斩获“产业链品质供应商”荣誉称号。　　这份荣誉，是行业对上海贝岭技术硬实力与市场口碑的双重认证，标志着公司在电机驱动领域的长期深耕与持续创新获得了产业链上下游的高度肯定。　　在大会同期举办的“伺服电机智能控制与机器人技术创新研讨会”上，上海贝岭工业市场经理康博先生发表了《功率“芯”生态：贝岭IGBT与驱动链的协同赋能之道》主题演讲，深度分享了上海贝岭通过技术协同创新，赋能伺服驱动、工业机器人等高端应用的具体实践，引发了现场嘉宾的广泛共鸣。　　80～100V SGT系列产品介绍　　获奖基石：80～100V SGT系列产品　　本次斩获“品质供应商”荣誉，与上海贝岭80～100V SGT系列产品的卓越市场表现密不可分。该系列产品以高性能、高可靠性、高一致性为核心，已成为电机驱动领域的明星产品线。　　1.核心技术，定义性能新标准　　上海贝岭80~100V系列SGT MOS基于GTA最新的中高压SGT工艺平台，采用双层EPI优化了电场分布，因此采用更高掺杂浓度的EPI也能保持BV不掉，从而显著降低了导通电阻;得益于精心调试的工艺，获得较高密度元胞的同时wafer可以减薄至100um(非taiko)，有效降低了衬底电阻。　　2.丰富布局，满足多元应用场景　　产品线覆盖 80V 与 100V 两个电压平台，提供多种封装选择(如:PDN5*6、TO220、 TO263-7等)，电流能力完备，可灵活适配电动工具、两轮车电机控制器、BMS、低压伺服、便携式移动储能等多种应用对功率和体积的严苛要求。　　3.品质实证，铸就客户信任　　卓越的品质离不开严格的制程管控。以BLP***N10型号为例，其在2024年生产交付数量超1.1亿颗，以海量交付验证了其稳定可靠的品质，成为众多客户的首选。　　感恩同行，再启新程　　此次获评“产业链品质供应商”，既是对过去的嘉奖，更是迈向未来的新起点。上海贝岭将始终秉持“以客户为中心”的理念，持续深化技术研发，完善产品生态，与合作伙伴携手共进，为推动中国电机与控制技术的创新发展注入更强劲的“芯”动力。
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　　2025年10月30日，由盖世汽车主办的第七届金辑奖颁奖盛典在上海圆满落幕。上海贝岭凭借车规级特高压MOSFET BLQ3N100E/BLQ3N120，荣获 “金辑奖2025最佳技术实践应用奖”，公司执行总监唐振宁先生出席并领奖。　　“金辑奖”旨在推动中国汽车产业的技术进步与生态升级，本届围绕“中国汽车新供应链百强”主题，重点关注车规级芯片等十大领域。其“最佳技术实践应用奖”专门授予那些已将前沿技术转化为稳定、量产产品的企业。上海贝岭的车规级特高压MOSFET产品，正是这一理念的杰出代表。　　产品型号：BLQ3N100E/BLQ3N120　　工艺类型节点：0.35μm MOS工艺　　封装信息：TO252/TO263　　车规认证等级：AEC-Q101　　应用领域：汽车BMS、车载辅助电源、预充电路、电子泄放开关等　　上车情况：国内多家主流主机厂、Tire1　　产品亮点：硅基N沟道增强型MOSFETs，耐压分别高达1000V/1200V，采用先进的MOSFET技术，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。　　产品简介：本系列是N沟道增强型特高压平面MOSFET产品，凭借其先进的半导体工艺和结构优化，在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。优化的雪崩耐受能力则保障了设备在复杂电压波动下的稳定运行，结合紧凑封装设计，为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。可适用于新能源汽车动力电池管理系统、车载辅助电源等场景。　　技术参数：BLQ3N120以1200V耐压、低至5Ω的典型导通电阻，结合27nC的栅极电荷优化，在高压场景中显著降低导通与开关损耗;　　BLQ3N100E则以1000V耐压、6.2Ω为基础，通过13.8nC的超低Qg和内置ESD保护结构，兼顾高频开关效率与抗静电能力。　　两者均通过100%雪崩能量测试及AEC-Q101车规认证，支持-55℃至150℃结温范围。　　以技术实践，推动产业前行　　此次获奖，不仅是行业对上海贝岭技术研发与产品落地能力的肯定，也是对我们在车规级功率半导体领域持续创新的鼓励。未来，上海贝岭将继续深耕汽车电子赛道，以更多“芯”力量，助力中国汽车新供应链的崛起与全球竞争力的提升。
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　　上海贝岭自2018年战略布局工控和储能市场以来，持续深耕光伏储能、伺服变频、工业电源、BMS、电动工具、电动车等核心领域，致力于为客户提供高性价比的半导体产品与系统解决方案。　　公司产品涵盖电源管理、信号链产品和功率器件3大产品领域，依托功率器件、电源管理、接口芯片、隔离器、存储器、马达驱动、数据转换及标准信号八大产品线，全面构建模拟和数模混合产品解决方案平台。在高压电机驱动领域，公司产品覆盖率可达80%以上。　　主功率链产品介绍　　在高压电机驱动主功率链中，上海贝岭可提供650V全系列IGBT以及栅极驱动产品配套：　　① 650V10A~75A系列IGBT产品　　基于贝岭G2 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H4代产品工艺，采用3um pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的H FS工艺，获得良好Vcesat-Eoff折衷，以及优秀的短路能力;终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　该系列提供3个版本产品：　　低频版：先进的正面结构设计，可以实现Vge≤15V，tsc=5us的短路能力，以及足够低的Vcesat，推荐应用频率2~25kHz，目前已在高压伺服、工业缝纫机、跑步机等市场批量应用　　低频版plus：通过正面结构设计的进一步优化，实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，以及Vcesat typ=1.55V，对变频器等电机驱动应用提供更匹配的应用支持　　高频版：通过良好的Vcesat-Eoff折衷特性，可以支持客户最高60kHz的应用频率需求　　650V 10A~75A系列IGBT产品图片(封装形式)　　② 650V80A~200A系列IGBT产品　　基于贝岭G3 Trench FS IGBT工艺平台，对标市场主流的H5代和H7代产品工艺，采用更加先进的1.6um pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的H FS工艺，获得足够低的Vceast和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力;终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。　　该系列提供3个版本产品：　　低频版：Vcesat_typ=1.5V，可以实现Vge≤15V，tsc=3us的短路能力，推荐应用频率2~25kHz　　高频版：Vcesat_typ=1.5V，推荐应用频率：20~30kHz，推荐应用领域：光伏储能，工业焊机　　特高频版：Vcesat_typ=1.6V，推荐应用频率：30~50kHz，推荐应用领域：充电桩，工业电源，工业焊机　　为满足不同客户需求，该系列产品还可以提供低频版plus的定制化需求(实现Vge≤16.5V，tsc=5us的短路能力，Vcesat typ=1.5V)。　　650V80A~200A系列IGBT产品图片(封装形式)　　③ 栅极驱动产品-SA3626A/BL2601A　　SA2636A 是一款最高耐压650V的全桥驱动器，用于驱动三相系统中的MOSFET或IGBT。其低侧兼容3.3V逻辑控制，提供300mA/600mA的拉灌电流能力。芯片集成欠压锁定及可调电阻过流检测功能，故障时立即关断所有开关并输出错误信号，内置290ns死区时间以提升系统安全性。　　BL2601A是一款高压半桥栅极驱动芯片，专为驱动双NMOS或IGBT设计，工作电压可达600V。芯片内置VCC/VBS欠压保护(UVLO)，输入兼容3.3-15V逻辑，上下管延时匹配典型50ns，提供+0.3A/-0.6A的驱动能力，采用SOP8封装。　　高压电机驱动系统全链路芯片　　一站式选型指南　　在高压电机驱动系统中，除了核心的主功率变换链，高效的电源管理和精确的信号处理同样是确保系统稳定、可靠运行的关键环节。上海贝岭凭借全面的模拟芯片产品线，可为此提供完整的配套解决方案：其电源管理芯片(如PWM控制器、DC-DC转换器、LDO及稳压器)为系统中的控制电路、传感器和接口提供稳定、洁净的各级供电;而信号链芯片(包括隔离接口、运算放大器、EEPROM等)则负责实现关键的信号隔离、调理、通信与数据存储功能。二者与主功率链协同工作，共同构筑高性能、高集成度的电机驱动平台。
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