上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

发布时间:2024-09-26 10:36
作者:AMEYA360
来源:上海贝岭
阅读量:917

  一、引言

  逆变焊机作为一种先进的焊接设备,在现代工业中占据了重要的地位。与传统的变压器式焊接设备相比,具有诸多优点,如:

  高效节能

  由于逆变焊机的工作频率很高(通常在20kHz~100kHz),因此它能更有效地利用电能,减少能量损失。

  轻便便携

  相比传统焊机,逆变焊机体积小、重量轻,易于携带。

  焊接性能好

  逆变焊机能提供更稳定的电弧,减少飞溅,提高焊接质量。

  可调节性强

  用户可以根据不同的焊接材料和厚度来调整焊接参数,灵活性更高。

  如图1所示,逆变焊机工作原理是先将电网提供的工频交流电转变为直流电,然后通过电子开关(IGBT/MOSFET)将直流电逆变成高频交流电,最后通过整流得到适合焊接工艺要求的电流和电压。

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  图1 逆变焊机工作方框图

  二、逆变焊机拓扑介绍

  逆变焊机主电路拓扑已经较为成熟,主要的拓扑有双管正激式、推挽式、半桥式、全桥式等。

  图2.1为半桥式拓扑结构。该拓扑由两个功率管组成桥式电路,其对称交替导通有利于变压器完全复位,磁芯利用率高,输出响应快,且半桥分压电容器的存在能够较好抗磁偏。该拓扑广泛应用于中小功率逆变焊机。但在相同功率下,半桥式功率管要承受更大的电流。

  图2.2为全桥式拓扑结构。该拓扑由四个功率管组成桥式电路,主要应用于大电流、大功率场合,变压器磁芯利用率高,成本也相应较高。

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  三、逆变焊机IGBT损耗分析

  目前市面上大部分逆变焊机采用的为硬开关电路,电路拓扑如图2.1和2.2,通过测试分析,该应用场景IGBT器件的损耗主要来源于以下四个部分,如图3.1所示:

  1、IGBT器件内部合封二极管续流和反向恢复过程损耗Ediode

  2、IGBT开启损耗Eon

  3、IGBT通态损耗Econ

  4、IGBT关断损耗Eoff

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  如图3.2所示,逆变焊机硬开关应用中,关断损耗Eoff占比最大,其次为导通损耗Econ。

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  图3.2 IGBT损耗占比

  四、上海贝岭650V/80A IGBT产品优势

  为适应逆变焊机客户大电流IGBT单管需求,上海贝岭研发推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDK7,助力高效率逆变焊机设计。该器件具有开关速度快、关断损耗小、导通电压低等特点,可满足客户高效率设计要求。

  4.1、器件技术

  上海贝岭650V/80A IGBT产品BLG80T65FDK7采用了第七代微沟槽多层场截止IGBT技术,进行了特殊工艺控制,优化了VCE(sat)和Eoff参数,提升了产品的可靠性。

  4.2、饱和压降VCE(sat)

  逆变焊机中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大,影响导通损耗的主要参数为VCE(sat),常温下贝岭BLG80T65FDK7导通压降比竞品低12%,导通损耗比竞品更低。

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  4.3、关断损耗Eoff

  BLG80T65FDK7具有较小的寄生电容,这保证了器件有更高的开关速度,开关频率高达50kHz以上,如图4.2所示,通过测试IGBT的损耗,BLG80T65FDK7关断损耗比竞品低5%。

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  4.4、系统优势

  IGBT开关频率的提高还可以显著提升逆变焊机对电流的控制精度,同时器件损耗的减小,可在大功率输出工况下提升焊机的工作效率,显著降低正常工作时IGBT器件的温升。上海贝岭BLG80T65FDK7基于优异的器件设计,为逆变焊机系统顺利通过温升、输出短路等测试提供了保障。如图4.3,常温自然散热情况下,贝岭BLG80T65FDK7和竞品壳温基本一致,满足客户的需求。

上海贝岭650V/80A IGBT助力高效率逆变焊机设计

  五、上海贝岭功率器件选型方案

  上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为逆变焊机主逆变和辅助电源设计提供助力,具体型号参考表1:

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
A级!上海贝岭2025年最新ESG评级结果出炉
上海贝岭新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片布局
  自 2023 年《智能物联电能表内置负荷开关技术指标》正式发布以来,其中一项重要变化尤为关键:“内置开关的动触点与静触点之间的电气间隙不小于 5.5mm。” 这一标准的提升虽增强了智能电表的安全性,却也给其设计及元器件选型带来了新的挑战。为此,针对新一代国家电网智能电表内置标准的验证与制定工作,始终在有条不紊地推进。  负荷开关触点间距增大,对智能电表设计最直接的影响是负荷开关驱动电流的攀升。从现有样品测试结果来看,其驱动电流已从 2020 版标准的 150~400mA,大幅增至 1~2A 甚至更高。驱动电流的增大还带来另一重影响:2020 版电表所采用的现行变压器,受限于尺寸,功率输出已达极限。若要输出如此大的驱动电流,电表电源势必需要调整。  目前,开关电源方案(AC-DC)是较为成熟的选择,但有工程师提出,中国挂网电表已超 6.6 亿只,如此大规模应用开关电源时,其可靠性及对电网的影响尚无法通过数据完全验证,因此更倾向于沿用原有的 “线性变压器 + 后接大电容” 设计。此处暂不深入讨论两种方案的利弊,但值得注意的是,开关电源与线性变压器因输入端电压波动导致的后端输出电压波动存在显著差异,这也使得两者对负荷开关驱动芯片的耐压要求大不相同:开关电源输出相对稳定,对应驱动芯片的耐压通常 20V 左右即可;而线性变压器因采用非稳压变比输出,耐压要求通常需达到 36V 以上,如下图所示:  设计的差异并不仅限如此,因自国网电能表统一招标以来,负荷开关(继电器)的驱动芯片惯用SOT23-6封装,许多企业和工程师已经习惯了沿用这种封装,但也有工程师认为驱动电流增大,SOT23-6封装体较小,并不稳妥,倾向于功率更大、尺寸更大的SOP8封装。  由于设计思路、方案理解存在差异,加之负荷开关尚未量产定型,诸多不确定性导致智能电表生产企业的工程师在选型时思路不一。因此,在这种存在分歧的背景下,若想用单一产品覆盖新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片的布局,难免会捉襟见肘。  作为国内智能电表芯片领域的核心供应商,上海贝岭股份有限公司始终以行业需求为导向,通过深入调研市场动态,积极与各生产企业工程师开展多维度技术交流,精准把握行业痛点与发展趋势。在此基础上,公司推出了系列化产品矩阵,为工程师们的选型工作提供了丰富且适配的选择,具体产品信息如下表所示:  从列表中不难发现,上海贝岭针对新一代国网电表内置负荷开关驱动芯片的布局,已形成全面覆盖:电压层面兼顾中压与低压需求,驱动电流范围从 0.7A 延伸至峰值 6.5A,封装形式则包含 SOT23-6、SO8P、ESOP8 等多种规格。这一系列产品矩阵,不仅为新标准的快速落地提供了坚实支撑,更能灵活适配多样化的设计思路,为行业升级注入强劲动力。
2025-08-11 16:16 阅读量:388
上海贝岭650V80A IGBT在光伏逆变器上的应用
  当今世界的主要能源来源还是化石能源,而化石能源在使用后会排出大量的污染物,严重影响到人类的健康问题。太阳能因其取之不尽用之不竭且无环境污染等优点,已经成为人类追求新能源的首选;太阳能的应用非常广泛,其中最主要的发电应用有光热发电、光伏发电等;在太阳能的多种应用中,光伏发电是目前世界上最为普遍的一种方式。  光伏逆变器是太阳能发电系统的心脏,它将太阳能电池板产生的直流电转化为符合电网电能质量要求的交流电,其性能直接影响发电效率、电网兼容性和系统可靠性。  绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有大电流、高电压、易驱动等良好的特性,广泛应用于光伏逆变器。上海贝岭一直积极研发新一代的IGBT技术,为满足市场终端需求,推出650V/80A IGBT单管BLG80T65FDH7,助力客户光伏逆变器应用高效率、高可靠性设计。  典型应用拓扑  上海贝岭IGBT单管BLG80T65FDH7,额定电流80A,耐压650V,对目前主流户用光伏逆变器拓扑Heric等都有很好的匹配, 同时也适用于三相NPC1和NPC2(横管)的应用。  表1 主流光伏逆变拓扑  BLG80T65FDH7 产品特点  上海贝岭BLG80T65FDH7采用新一代微沟槽多层场截止IGBT技术,通过微沟槽结构增加载流子注入效率,优化导通压降;场截止层加速关断时的载流子抽取,降低开关损耗;多层场截止结构提高高温稳定性;同时内部采用超快速软恢复二极管进行反并联。技术特性精准匹配光伏逆变器对高效、高频、高可靠性的需求。  性能特点:  优化开通损耗和关断损耗,开关频率高  低导通压降Vce(sat),减小器件的导通损耗  Vce(sat)正温度系数,易于并联使用  高BVces耐压能力  低VF和快软恢复二极管  HV-H3TRB加严可靠性验证,保证极端运行环境下使用寿命  符合175℃结温的工业级和车规级考核标准  BLG80T65FDH7 产品核心优势  4.1 效率优势——低饱和压降Vce(sat)  光伏应用中IGBT的导通损耗占总损耗比例较大,影响导通损耗的主要参数为VCE(sat),常温25℃和高温175℃下贝岭BLG80T65FDH7导通压降达到国际大厂水平,且比竞品略低。且随着结温上升,VCE(sat)正温度系数,有利于解决并联应用中的均流和热平衡问题。  图4.1 VGE=15V 饱和压降对比  4.2 动态性能升级——低开关损耗  在光伏逆变应用中,单管IGBT一般设计工作在20kHz左右,并且有高频化的趋势,因此降低IGBT开关损耗也尤为重要,上海贝岭BLG80T65FDH7降低导通压降,同时优化了开关损耗,如图4.2所示, BLG80T65FDH7开启损耗和竞品相差不大,关断损耗比竞品略低,总开关损耗略小于竞品,性能达到国际大厂 S5系列水平。  图4.2 IGBT开关损耗对比  4.3 IGBT合封二极管——较低VF 和Qrr  BLG80T65FDH7合封较低VF的二极管,有利于降低二极管续流过程的导通损耗。如表2所示,贝岭IGBT合封二极管VF和竞品相差不大。  表2 IGBT合封二极管压降对比  相同测试条件下,BLG80T65FDH7合封二极管 Qrr比竞品更小,在高频应用中损耗更小,更有优势。  图4.3 IGBT合封二极管Qrr对比  4.4 温升表现良好——板级温升测试  上海贝岭BLG80T65FDH7基于优异的器件设计,各项参数和功率器件国际大厂I公司接近,部分参数更优,为光伏应用通过系统测试提供了保障。如图4.4,在常温环境下,上海贝岭BLG80T65FDH7和I公司产品在10kW光伏逆变平台测试,壳温基本一致,产品性能满足客户的需求。  图4.4 IGBT壳温对比  上海贝岭功率器件选型方案  上海贝岭功率器件产品系列齐全,包括MOSFET、IGBT等产品,满足客户各类光伏逆变器设计需求,具体型号参考表3:  表3 功率器件选型表  上海贝岭IC器件选型方案  上海贝岭在光伏逆变器领域产品配套齐全,除功率器件以外,还可以提供各类电源管理IC和信号链IC供客户选择,具体型号参考表4:  表 4 IC器件选型表
2025-08-06 16:05 阅读量:401
上海贝岭高精度BL108X系列产品荣获年度创新技术产品奖
  7月24日,由国际电子商情携手深圳市新一代信息通信产业集群联合主办的 2025 第六届国际AI+IoT生态发展大会在深圳科兴科学园国际会议中心隆重举办。同时,2025国际AIoT生态发展大会主峰会上还颁发了“2025年度AIoT创新奖”。在本次大会上,上海贝岭携自主开发的高精度SAR ADC产品BL108X系列,斩获年度创新技术产品奖。  上海贝岭数据转换器事业部从2009年成立,已超过16年的研发历程,在Pipeline、SAR、Sigma-Delta三类架构ADC芯片研发中具有丰富的经验,精度从12位-24位,速率从1KS/s-3GS/s,涵盖范围比较广,针对不同应用场景提供各类专业的解决方案。上海贝岭拥有完善的质量管控体系,BL108X ADC产品系列兼顾高可靠性与高稳定性,已成功应用于电力领域等关键基础设施。此次获奖不仅是对上海贝岭技术创新能力的充分肯定,更是展现了国产高精度ADC芯片在关键技术领域的应用成果!  展会现场  上海贝岭开发的高精度SAR ADC产品BL108X系列具有高精度、多通道、高采样速率、零转换延迟的特点,涵盖了1~16通道、16~18位分辨率、100KS/s~1MS/s采样速率,可提供QFN、QFP、TSSOP等多种封装形式。该产品广泛应用于工业自动化、智能电网、轨道交通等领域。  技术创新性  使用薄膜电阻工艺  采用分段级联大摆幅信号量化架构及分段级联低噪声信号量化电路  开发多通道模拟信号动态非线性优化方法及电容失配静态非线性的数字校准算法  引入repeat,dither等降噪技术  开发针对变温环境下的温度补偿技术  BL108X系列SAR ADC芯片产品规格
2025-08-04 16:36 阅读量:672
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码