英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

发布时间:2024-08-07 11:07
作者:AMEYA360
来源:英飞凌工业半导体
阅读量:961

  新品

可直接驱动的单端反激式辅助电源用

  1700V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

  CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ,采用TO247-3-HCC封装,适用于单端反激式辅助电源,主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特点包括:可由反激式控制器直接驱动,无需栅极驱动器IC、高耐压且损耗小、.XT互连技术可实现出色的散热性能,大爬电距离和电气间隙封装可提高可靠性。

  产品型号:

   ·IMWH170R1K0M1

   ·IMWH170R650M1

   ·IMWH170R450M1英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET


  产品特点:

  ·针对反激式拓扑结构进行了优化

  ·开关损耗极低

  ·12V/0V驱动电压

  ·与反激式控制器兼容

  ·栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V

  ·.XT互联技术

  应用价值:

  ·为辅助电源开发的产品

  ·效率高

  ·更好的热性能和耐热性

  ·TO247封装,便于绝缘设计

  ·无需栅极驱动器

  ·更高的功率密度

  竞争优势:

  ·与D2PAK-7L相比,TO247-3-HCC封装更具优势:

  ·更低的热阻确保了更大的输出功率

  ·TO247封装实现轻松绝缘设计

  ·大爬电距离适应环境污染

  应用领域:

  ·组串逆变器

  ·电动汽车充电

  ·通用电机驱动

  ·工业电机驱动和控制


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
英飞凌:用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
英飞凌:EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块
英飞凌:储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码