英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

Release time：2024-08-07
author：AMEYA360
source：英飞凌工业半导体
reading：850

　　新品

可直接驱动的单端反激式辅助电源用

　　1700V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

　　CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封装，适用于单端反激式辅助电源，主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特点包括：可由反激式控制器直接驱动，无需栅极驱动器IC、高耐压且损耗小、.XT互连技术可实现出色的散热性能，大爬电距离和电气间隙封装可提高可靠性。

　　产品型号：

　　 ·IMWH170R1K0M1

　　 ·IMWH170R650M1

　　 ·IMWH170R450M1英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET


　　产品特点：

　　·针对反激式拓扑结构进行了优化

　　·开关损耗极低

　　·12V/0V驱动电压

　　·与反激式控制器兼容

　　·栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V

　　·.XT互联技术

　　应用价值：

　　·为辅助电源开发的产品

　　·效率高

　　·更好的热性能和耐热性

　　·TO247封装，便于绝缘设计

　　·无需栅极驱动器

　　·更高的功率密度

　　竞争优势：

　　·与D2PAK-7L相比，TO247-3-HCC封装更具优势：

　　·更低的热阻确保了更大的输出功率

　　·TO247封装实现轻松绝缘设计

　　·大爬电距离适应环境污染

　　应用领域：

　　·组串逆变器

　　·电动汽车充电

　　·通用电机驱动

　　·工业电机驱动和控制


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英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块
行业新闻

英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块

　　英飞凌EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。　　EasyDUAL™ 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。　　产品型号：　　■ FF75R12W1T7E_B11　　■ FF100R12W1T7E_B11　　■ FF150R12W2T7E_B11　　■ FF200R12W2T7E_B11　　■ FF300R12W2T7E_B11　　产品特点：　　高度为12毫米的Easy系列模块　　杂散电感极低　　采用IGBT T7技术过载能力高达175°C　　PressFIT针脚　　应用价值：　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　产品优势：　　采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP™ IGBT T7技术的共射极结构，尤其适用于矩阵变换器应用。　　该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。　　应用领域：　　矩阵变换器
2025-05-19 10:48 reading：273
英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
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英飞凌：储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块

　　英飞凌1200V 500A NPC2三电平模块，采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。该模块采用大电流PressFIT压接式引脚，配备NTC温度传感器，并针对储能应用进行了优化，非常适用于1000 VDC 100kW功率变换系统。　　产品型号：　　■ F3L500R12W3H7_H20　　产品特点：　　高度为12mm的Easy系列模块　　杂散电感极低　　过载时允许最高工作结温175°C　　低Vce,sat饱和压降　　耐湿性　　大电流引脚　　应用价值　　易于设计　　提高功率密度　　最佳性价比，降低系统成本　　竞争优势：　　降低系统成本　　易于设计的产品　　逆变器和Boost升压电路设计自由度高　　最高功率密度　　应用领域：　　储能
2025-05-19 09:50 reading：274
英飞凌：EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列
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英飞凌：EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

　　英飞凌的新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速栅极驱动器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT开关，设计采用英飞凌的绝缘体上硅(SOI)技术。　　1ED21x7x具有出色的坚固性和抗噪能力，能够在负瞬态电压高达-100V时保持工作逻辑稳定。可用于高压侧或低压侧功率管驱动。　　1ED21x7x系列非常适合驱动多个开关并联应用，例如轻型电动汽车。基于1ED21x7x大电流栅极驱动器的设计，可在一个三相系统中节省多个NPN/PNP管和外部自举二极管。　　在其他应用，如图腾柱PFC，电感器过流保护是个设计难点，1ED21x7x提供简单、易于设计的电感器过流保护。　　产品型号：　　■ 1ED2127S65F　　■ 1ED21271S65F　　■ 1ED2147S65F　　■ 1ED21471S65F　　产品特点　　英飞凌SOI技术　　最大耐压电压+650V　　输出源/灌电流+4A/-4A　　最大供电电压为25V　　集成超快、低RDS(ON)自举二极管　　负VS瞬态抗扰度为100V　　过流和欠压检测　　多功能RCIN/故障/启用(RFE)，故障清除时间可编程　　传播延迟小于100ns　　DSO-8封装　　符合标准RoHS　　应用价值　　无闩锁　　负VS瞬态抗扰度为100V　　高压尖峰抗扰度　　强大的输出功率水平　　功能集成在单一器件中　　电压和电流监控　　竞争优势　　系统可靠性高　　易于设计的产品　　降低系统成本　　系统故障保护　　应用领域　　叉车　　LEV　　电池分断器　　高功率应用　　电机驱动器
2025-03-21 09:24 reading：517
英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板
行业新闻

英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

　　电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。　　为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正(PFC)电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC，电源系统可以减少失真，保持稳定高效的供电。　　英飞凌新品EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交错图腾柱PFC(功率因数校正)的完整系统解决方案。图腾柱PFC电路采用EiceDRIVER™ 1ED21271S65F和CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H。　　测试结果显示，在230 VAC半负载条件下，功率达98.7%。　　产品型号：　　■ EVAL-1EDSIC-PFC-5KW　　所用器件：　　■ EiceDRIVER™ 1ED21271S65F驱动CoolSiC™ MOSFET　　■ CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H　　■ EiceDRIVER™ 2ED2182S06F驱动CoolMOS™　　■ CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 600V IPQC60R010S7　　■ Controller:XMC™ 4200 Arm® Cortex®-M4　　■ 辅助电源：ICE2QR2280G　　产品特点　　采用CoolSiC™和CoolMOS™的交错图腾柱设计，由电平位移驱动器驱动1ED21271驱动　　高压侧电源开关的硬件击穿保护　　CCM图腾柱PFC　　提高性能和稳健性　　应用价值　　半负载时效率高达97.8%　　输入电压范围：100-240伏　　固定400V输出直流电压　　峰值电流限制50A　　竞争优势　　高压侧驱动器集成保护　　高速直通保护　　创新的PFC级设计　　框图　　应用领域　　暖通空调(HVAC)　　家用电器　　功率变换系统　　通用驱动器
2025-03-21 09:17 reading：490
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