村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？-Ameya360电子元器件采购网

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

发布时间：2024-05-30 11:11

作者：AMEYA360

来源：村田电子

阅读量：1334

　　去寄生电感降噪元件(LCT)是通过一起使用去耦电容器，可降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL，大幅遏制高频带噪音的元件。对DC-DC转换器等引起的电源线上的数MHz～1GHz的高次谐波噪音，具有出众的遏制效果。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　去寄生电感降噪元件(LCT)

　　产品概要

　　去寄生电感降噪元件(LCT)通过利用变压器技术，降低连接在LCT上的去耦电容器内部的ESL和在MLCC(多层陶瓷电容器)的从GND一侧端子至GND层的基板(通孔等)产生的ESL。从而很好地发挥MLCC具有的消除噪音性能，大幅遏制高频带噪音。

　　图1是10uF的MLCC单件(黒线)和将MLCC与LCT连接时(红线)的插入损耗特性比较。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图1 LCT的消除噪音效果

　　通过连接LCT，在比MLCC的自振频率高的频带插入损耗变大。从而对由DC-DC转换器等引起的电源线上的数MHz～1GHz的高次谐波噪音，具有出众的遏制效果。

　　降低ESL的原理

　　去寄生电感降噪元件(LCT)在元件内部内置两个线圈。通过使这两个线圈靠得很近，成为相结合的变压器构造，从而在两个线圈的中间部分产生负互感(−M)。利用村田制作所的陶瓷多层技术，这负互感实现了高精度的稳定的M值。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图2 等效电路

　　另外，零件外壳使用非磁性体(电介质材料)，所以没有直流叠加特性，能对电流变化采取稳定的静噪措施。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图3 内部构造示意图和外观图片

　　去耦电容器让电源噪音流向GND，降低噪音。可是在电容器内部有ESL(L3)。另外，在电容器至GND层之间也因通孔等而产生ESL(L4)。这些ESL降低了将噪音流向GND的性能。

　　LCT可以通过负互感(−M)来抵消这些ESL。L3+L4的值变为等于M值后，ESL被完全抵消，可以获得理想的电容器性能，让噪音有效流向GND层。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图4 LCT的降噪原理

　　LCT的主要优点

　　去寄生电感降噪元件(LCT)最大的优点是能以少量元件采取静噪措施(节省空间和削减成本)。

　　因为去寄生电感降噪元件(LCT)能改进去耦电容器的消除噪音性能，所以能以较少的MLCC采取静噪措施。另外，还可以削减用于降低高次谐波噪音的小容量MLCC等。

　　图5是通过增加LCT来削减MLCC的电路示例。在这个电路中，即使削减10个MLCC后，噪音电平也比初期电路小。如是降圧转换器(Buck converter)，则可用LCT有效消除漏至输入电源线的开关噪音。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图5 通过增加LCT来削减MLCC的电路示例

　　图6是图5电路示例的传导噪音比较结果。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图6 初期电路和装入LCT后的噪音比较

　　从图可知增加LCT后，即使削减10个MLCC也能降噪。尤其是在包括FM无线电频带的20至108MHz的频率，效果很大。

　　图7是用于行车记录仪的采用示例。类似方案也可实际应用于电子后视镜、行车记录仪、玩具。

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

　　图7 通过采用LCT，大幅削减了MLCC，降低了噪音。

　　主要用途

　　去寄生电感降噪元件(LCT)可用于受困于电源噪音的下列产品：

　　民生设备：照相机、游戏机、玩具、Digital Audio、Wi-Fi路由器、笔记本电脑;

　　产业设备：伺服放大器、相机传感器、控制板(CPU电源线)、基站、服务器、光传输装置;

　　车用设备：村田现在正在开发用于大电流的LCT和车载级LCT[用途详情请咨询AMEYA360]。

（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

行业新闻

AI服务器等高性能IT设备应用，村田推荐这款小型化、大容量、耐高温的0402英寸MLCC

　　株式会社村田制作所开始量产尺寸仅为0402英寸(1.0×0.5mm)且容值为47µF的多层陶瓷电容器(MLCC)。该规格的产品是本公司初款、也是产业内抢先面世的小型化、大容值MLCC(本公司调查截止至2025年7月9日)。由于可在高至105°C的高温环境下使用，因此，该电容器可置于芯片附近，特别适合数据中心(包括AI服务器)在内的各种高性能IT设备，以及其它多种民用设备。　　点击图片，了解最高使用温度105°C、温度特性为X6S的GRM158C80E476ME01产品详情。　　近年来，包括AI服务器在内的各种可应用于数据中心的高性能IT设备的部署速度不断加快。由于这些设备搭载了许多元器件，因此需要在有限的电路板上实现效率较高的元器件布放;所以对于电容器，除了需要满足小型化和大容量化的需求外，还需要满足能够在电路板或芯片发热导致的高温环境下稳定使用的高可靠性要求。　　为了满足这些需求，村田通过开发专有的陶瓷介电层及内部电纤薄层化技术，开始量产业内抢先面世的尺寸仅为0402英寸而最大容值则可高至47µF的突破性MLCC产品：　　相比于容值同为47µF的村田过往产品(0603英寸)，本产品的实装面积减少了约60%。　　此外，与尺寸同为0402英寸的村田过往产品(22µF)相比，本产品的容值提升约2.1倍。　　更重要的是，由于可在最高105°C的高温环境下使用，因此可以将本产品置于芯片附近，有助于提升客户产品及设备的性能。　　规格　　主要特长　　小型化0402英寸且电容值可达47µF的多层陶瓷电容器(MLCC)业内抢先实现量产　　可在最高105°C的高温环境下使用，因此可以将该电容器置于芯片附近　　可用于多种民用设备，如数据中心(包括AI服务器)在内的各种高性能IT设备　　村田今后将继续推进多层陶瓷电容器的小型化、容量扩大及高温耐受性的提升，并致力于扩充产品组合来满足市场需求，并为电子设备的小型化、高性能化和多功能化做出贡献。

2025-07-23 13:03 阅读量：684

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号

品牌

询价

ROHM Semiconductor

onsemi

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Texas Instruments

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments

型号

品牌

抢购

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Infineon Technologies

STMicroelectronics

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

Texas Instruments

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
remark

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址

村田电子：去寄生电感降噪元件(LCT)，为什么能够降低在电容器内部的ESL和在基板内产生的ESL？

村田电子：采用SiC的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？

村田新品 | 安规Y2/X1级汽车用金属端子型MLCC

AI服务器等高性能IT设备应用，村田推荐这款小型化、大容量、耐高温的0402英寸MLCC

村田电子：承载15A大电流的汽车用共模扼流圈