新洁能车规产品“叒”增加新成员，获TÜV莱茵AEC-Q101认证！

Release time：2023-10-17
author：AMEYA360
source：网络
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　　2023年10月16日，新洁能车规级功率MOSFET系列产品“叒”增加新成员，3款车规级功率器件获得国际著名第三方TV莱茵AEC-Q101认证。新洁能副总裁王成宏，T?V莱茵太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵，江苏省电子质检院院长宋继军等代表出席了本次颁证仪式。

新洁能车规产品“叒”增加新成员，获TÜV莱茵AEC-Q101认证！

　　认证是基于失效机理的分立半导体元件应力测试鉴定，由AEC委员会制定，适用于车用分立半导体元件的综合可靠性测试认证，是分立半导体元件应用于汽车领域的重要保证。获得AEC-Q101认证的功率半导体器件代表着优异的品质与高的可靠性。新洁能此次通过AEC-Q101认证的产品主要应用于域控制器、冷却风扇、自动启停、油泵/水泵、防反接等领域。

　　此次3款车规级产品获得TV莱茵AEC-Q101认证，既标志新洁能车规级功率MOSFET器件产品质量及可靠性进一步获得国际权威机构的肯定，也是对新洁能内部完善的质量管理体系与业界领先的功率半导体设计与验证能力的肯定。同时进一步推进了汽车器件国产化替代进程。

　　未来展望

　　新洁能副总裁王成宏在颁证仪式上表示：

　　感谢T?V莱茵和江苏省电子质检院对无锡新洁能功率MOSFET产品AEC-Q101认证工作所付出的努力，我们期待未来在更多领域与T?V莱茵和江苏省电子质检院深入合作。此外，新洁能将继续瞄准汽车电子这一高景气赛道作为重点发力方向，持续加大研发投入，丰富车规产品类型，从客户布局、应用类型、产品升级方面积极开拓汽车电子业务。致力于向汽车客户提供零缺陷产品,持续满足客户需求、提高客户满意度。


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新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆
行业新闻

新洁能第三代40V SGT-MOS：定义中低压功率器件新标杆

　　作为国内MOSFET功率器件研发的先行者之一，新洁能始终致力于功率半导体核心技术的突破，其研发团队持续创新，正式推出第三代SGT产品Gen.3 SGT MOSFET，电压涵盖25-150V系列产品，构建全场景解决方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列凭借革命性的性能升级，为消费级、工业级以及车规级应用领域树立新标杆。　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用国际先进屏蔽栅沟槽工艺技术，芯片具有超高集成度，全面提升了器件的开关特性和导通特性，其特征比导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)相比上一代产品降低33%，品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)降低31%，具备更高的电流密度、功率密度和鲁棒性。并且三代40V SGT-MOS通过三维沟槽结构创新与低阻晶圆工艺技术升级，提高全温度区间Ron稳定性，突破传统导通损耗与散热的极限平衡。以同面积的MOS芯片相比，Gen.3在150℃结温下Ron增量较Gen.1 减少16%，在保持超低Ron的同时，实现温升效率行业领先，有效解决高温场景下的效率衰减难题，助力系统小型化与长期可靠性，重构中低压功率器件的热管理能力。NCE世代产品与最优竞品Rsp性能对比　　全系产品分为高VTH和低VTH 2个细分方向， 提供不同档位RDS(ON) 产品供客户挑选，灵活匹配不同的应用领域，如电机驱动、锂电池保护、同步整流、新能源汽车和AI算力等。同时全系产品包含DFN5*6、DFN5*6-DSC、DFN3*3、DFN3*3-DSC、sTOLL、TOLL、TOLT、TO-220、TO-263等封装形式，能够提供更灵活的交期与本地化服务。40V产品系列丰富，本文优先推荐DFN5*6、DFN5*6-DSC、sTOLL、TOLL封装重点产品型号。　　产品型号　　产品特点　　◆ 超低特征导通电阻Rsp(导通电阻Ron*芯片面积AA)　　◆ 极优品质因子FOM(导通电阻Ron*栅极总电荷Qg)　　◆ 更小阈值电压Vth Range，利于并联应用　　◆ 更优温升效率，有效解决高温场景下的效率衰减难题　　◆ 极高功率密度　　◆ 更优抗振荡能力　　◆ 更强鲁棒性　　◆ 更齐全的封装形式　　◆ 更齐全的电阻、电流型号规格　　应用领域　　◆ 新能源汽车　　◆ AI算力　　◆ 通信服务器　　◆ 不间断电源UPS　　◆ 锂电池保护　　◆ 电动工具　　◆ 无人机　　◆ 适配器　　新洁能40V Gen.3 SGT MOSFET以“更优设计、更高效率、更高品质”为核心竞争力，重新定义中低压功率器件技术边界。
2025-06-09 09:58 reading：347
新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片
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新洁能推出NSG4427 2A 双通道 低侧同相栅极驱动芯片

　　新洁能NSG4427是低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。并联两通道使用可以实现驱动能力增强。　　产品特性　　PIN2PIN替换Infineon IR4427，Microchip TC4427　　双通道输入输出同相位　　兼容3.3V输入逻辑　　工作范围：5V~25V　　锁存保护：可承受0.5A反向电流　　驱动电流能力：　　--拉电流/灌电流=2A/2A　　SOP8封装功能框图　　推荐的应用范围　　变频水泵　　家用空调　　汽车座椅电机　　开关电源　　双通道典型应用电路双通道典型应用双通道并联典型应用　　PCB布局参考双通道PCB布局双通道并联PCB布局
2025-05-28 09:14 reading：284
新洁能SJ MOSFET G4.0 800V and 900V产品介绍
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　　超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级结”单元，通过电荷补偿技术突破传统功率半导体“硅极限”的高压器件，其核心设计通过优化电场分布实现低导通电阻与高击穿电压的平衡。另超结MOSFET具有更低的导通电阻和更优化的电荷分布，因此其开关速度通常比普通MOSFET更快，有助于减少电路中的开关损耗。由于其出色的高压性能和能效比，超结MOSFET更适合于高压、大功率的应用场景。　　新洁能Gen.4在原有超结MOSFET技术的基础上，通过进一步技术升级，提升器件的结构密度，降低特征导通电阻;提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力，另导通电阻温度特性等方面均有明显提升。　　Gen.4超结MOSFET(Super Junction MOSFET IV)最新推出800V and 900V 系列产品，800V 新增带快速恢复二极管系列产品。　　相同规格产品高温下Rdson倍数值对比：Gen4相比Gen3 减小16%;Gen4和国际I 产品达到相同水平。　　FOM 对比: Gen4 相比Gen3 and 国际I 产品降低25%。　　产品型号
2025-04-30 17:43 reading：423
新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块
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新洁能：金兰功率半导体发布Q2系列100~150KW三电平逆变/储能模块

　　在“双碳”目标驱动下，光伏逆变、储能系统及工业变频领域对功率模块的高效率、高功率密度需求持续攀升。三电平(NPC)拓扑凭借更低的开关损耗、更高的电压利用率，成为中高压场景的主流方案。据《2025全球电力电子技术白皮书》预测，三电平模块市场年增长率将超18%，其中650V平台因适配1000V光伏系统，占据核心份额。　　产品介绍　　新洁能全资子公司：金兰功率半导体(无锡)有限公司推出LQ2系列105kW、125KW、135KW　　INPC逆变储能一体模块，全方位助力客户应对能源高效化挑战。　　产品特点　　均采用焊接Pin的LQ2封装(兼容 Flow 2出针)　　使用第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT，损耗更小　　模块内外管均使用快管，集逆变储能应用为一体　　封装材料 CTI > 500　　紧凑型模块封装设计实现高功率密度　　可根据客户特殊工况定制模块　　核心技术　　优异的动静态参数，低压降、低动态损耗，适配高频高功率应用场景　　通过全套芯片级&封装级可靠性验证　　低翘曲及优异底面导热硅脂涂覆效果　　选用ZTA/AMB基材，保证更优异的散热能力和更好的可靠性　　竞争优势　　芯片优势：搭载第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT　　定制化扩展：支持客户多功率段定制化需求　　精益化生产：MES、ERP系统保障模块生产信息可追溯　　应用领域　　储能系统　　光伏逆变器　　其他三电平应用
2025-03-20 09:26 reading：543
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