士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

Release time：2023-09-07
author：AMEYA360
source：士兰微
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　　随着人们对环保意识的提高和汽车驾驶体验感的不断追求，新能源汽车的市场需求逐渐增大，已然成为汽车发展的大趋势，但是新能源汽车充电时间长、续航里程短等问题仍然是汽车厂商和车主们的痛点。因此，需要更好的汽车驱动产品来实现“充电五分钟续航百公里”的效果。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　针对这一需求，士兰微电子近期推出了一款高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块(B3模块), 它能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。

　　该模块产品阻断电压可以达到1200V，可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求，在5C倍率的充电速度下，可以实现5min充电0-80%。同时，该模块峰值工况下支持850V电压，输出电流350-400Arms，输出动能强，汽车加速快，这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

　　士兰微电子基于自主研发的精细沟槽 FS-V 技术开发的这款六单元拓扑模块，可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性，从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

　　与传统的驱动模块相比，士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高，可以将更多的功率输出到驱动轴，提高车辆的加速性能和行驶距离。此外，该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级，可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害，从而延长逆变器的寿命。

　　该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代(Field-Stop V)技术和最先进的精细沟槽技术，较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度，用于降低饱和压降，提高器件的功率密度，缩小芯片的尺寸;且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗;其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率;采用导热性优良的DBC，进一步降低模块热阻，提高输出能力。

　　产品验证数据显示，该模块的规格和同封装下的输出能力已经超过了同类竞品，达到了世界一流水平。这也意味着，士兰600A/1200V IGBT模块是一款创新产品，它可以为混动和纯电动汽车等应用带来更高的燃油效率和更快的充电速度，进而改善车辆的性能和驾驶体验。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

　　二十多年来，士兰微电子坚持走“设计制造一体化”道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，为汽车客户与零部件供应商提供一站式的服务。

　　士兰微电子应用于汽车电子的产品不仅涵盖了主驱、车载充电机、车身电子、底盘电子和智能座舱等功率器件，还包括驱动IC、电源IC、电机IC和MCU等系列产品，可以为客户提供更可靠、更具性价比、更高性能的产品和解决方案。在稳产保供的大方针下，全力以赴促进客户和行业的共同发展。

士兰微推出600A/1200V IGBT汽车驱动模块，提升充电速度与行驶动力

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士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工
行业新闻

士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工

　　2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。　　此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。　　同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。　　士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。　　公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。　　公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。　　中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。　　活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。　　此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
2026-01-05 16:05 reading：353
士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”
行业新闻

士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”

　　12月10日，以“智能破界，万物共生”为主题的2025物联网产业大会暨第22届慧聪品牌盛会在深圳隆重举行。士兰微电子凭借在半导体领域的技术实力与市场影响力，成功荣获 “国产半导体领军品牌” 。　　本次大会聚焦物联网技术与产业融合，汇聚行业专家、企业代表与生态伙伴，共同探讨智能化时代的创新路径与发展机遇。士兰微电子在评选中脱颖而出，体现了行业与市场对公司技术积累、产品竞争力及品牌价值的高度认可。作为国内集成电路设计与制造一体(IDM)的龙头企业，士兰微电子长期致力于集成电路、功率器件、化合物半导体等领域的研发与制造，产品广泛应用于物联网、安防、汽车、新能源、工业控制、算力服务器、消费电子等多个关键领域。公司持续推动技术创新与产业协同，为下游客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，助力万物互联的智能化转型。　　此次获奖，不仅是一份荣誉，更是一份责任。未来，士兰微电子将继续坚持自主创新，深化产业布局，携手合作伙伴共同推动国产半导体产业的蓬勃发展，为构建智能、融合、共生的物联网生态贡献更多力量。
2025-12-19 11:07 reading：434
士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
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士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块

　　新品　　士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。　　产品型号　　SGM600TL14D6TFD　　产品拓扑　　产品特点　　采用FS5+ 1400V IGBT 技术，损耗低，效率高，降低系统成本　　长时持续运行工况Tjop 175℃　　集成1400V SiC SBD　　1.1倍标称BV下限管控，适配于工业新能源应用　　5000m海拔下，安规满足2kV系统电压要求，封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统　　采用最优的封装技术及材料，满足长时175℃高可靠性要求　　高功率密度，高效率，模块支持输出功率高　　有一体焊接针和压接针两种方案可选，满足不同客户的安装要求　　应用领域　　光伏　　储能　　开发背景　　光伏电站的BOS成本逐年下降，为降低光伏电站的BOS成本，行业主要围绕两大技术路径持续优化：一是提升逆变器单机功率，以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量，以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下，士兰微电子自主开发了新一代功率模块，具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势，可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶，助力光伏产业持续降低BOS成本，推动行业向更高效、更经济的方向发展。
2025-12-19 11:02 reading：439
士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展
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士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展

　　12月17日，士兰微(600460.SH)发布公告称，公司与厦门方面合作的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目已获厦门市备案，标志着该项目正式进入落地实施阶段。　　该项目一期投资100亿元，其中资本金60.10亿元，项目由合资公司厦门士兰集华微电子有限公司实施，目标建成月产能2万片。　　对外投资概述　　杭州士兰微电子股份有限公司于2025年10月18日与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微电子有限公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　根据《战略合作协议》和《投资合作协议》，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称“士兰集华”)”，作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。一期项目投资100亿元，其中资本金60.10亿元，建成后形成月产能2万片。　　此前10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子股份有限公司正式签署战略合作协议，决定在海沧投资建设一条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，项目规划总投资达200亿元。　　根据士兰微的公告，该项目由公司联合全资子公司厦门士兰微，与厦门半导体投资集团、厦门新翼科技实业共同向子公司士兰集华增资51亿元，作为项目实施主体。项目计划分两期建设，一期投资100亿元，主要用于建设主体厂房、配套库房等设施，计划于2025年年底前开工建设，2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，届时将形成月产能2万片的规模。二期项目规划投资100亿元，在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片，对应年产量54万片。　　据悉，这条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化(IDM)模式运营，拥有完全自主知识产权。其产品主要面向汽车电子、工业控制、新能源、通信等高端应用领域，有望填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白。
2025-12-18 14:44 reading：455
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