村田电子:晶振在使用时需要关注哪些参数

Release time:2023-05-06
author:Ameya360
source:网络
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  我们常常看到一句话:晶振是单片机系统的“心脏”。

  为什么这么说呢?单片机内部电路工作需要统一的节奏,类似于跑步打节拍,节奏对了才能有条不紊的各自行事。如果没有时钟,单片机压根就无法工作;如果时钟不对,单片机内部就会混乱不堪,也无法正确的工作。

  晶振产生时钟信号的起源

  其实我们工程师为了方便,缩写了晶振,全称则是晶体谐振器,是由石英晶体片或陶瓷晶体片经过加工并镀上电极而做成的。

  石英晶体或陶瓷晶体片有一个特殊的特性——压电效应,就是当我们在晶体上施加电压时,晶体中的晶格在电场力的作用下内部会出现较强的内应力而发生变形,晶体在电场的作用下,其内应力和形变都会发生变化,产生机械振动。当电场消失后,晶体的变形也会随之消失。

  当我们给晶振通入一个稳定的交变信号,晶振就会产生稳定的机械振动,下图所示为晶振的符号和等效电路。

村田电子:晶振在使用时需要关注哪些参数

  晶振两端施加的交变信号频率等于晶振谐振频率时,晶振的电抗为0呈现电阻特性。谐振频率也是晶振等效电路中C1,L1,R1串联支路的谐振频率,故也称串联谐振频率。

  晶振的反谐振频率指的是整个等效电路的谐振频率也称并联谐振频率。当输入信号的频率接近并联谐振频率时,晶振的电抗趋于无穷大。

  从Fa到 Fs之间的区域就是通常所谓的“并联谐振区”也是晶振正常工作的区域了。在此区域晶振呈电感特性,从而带来了相当于180 °的相移。

  那么在实际电路设计中,谁来提供稳定的交变信号呢?就是单片机(芯片)了。具体的参考电路如下图所示。通常皮尔斯振荡电路的晶振振荡电路,其实就是由单片机内部的反相器和反馈电阻,与外部的两个电容组成。有了芯片提供突变信号晶振就可以产生频率稳定的振荡信号了。

村田电子:晶振在使用时需要关注哪些参数

  不同晶振的区别

  上面简述的这部分晶振的特性,都是用来描述无源晶振(Crystal/Xtal)的,那晶振都有哪些分类呢?我们以村田的晶振为例,晶振的分类主要有陶瓷无源晶振(Ceramic Resonator)、石英无源晶振(Crystal Resonator)、有源晶振(Oscillator/XO)、温度补偿晶振(TCXO)、预编程晶振。

  陶瓷无源晶振:通过人工技术处理,将细微的粉末给予压电效应后燃结成型,制作成所需要产品的尺寸,且陶瓷频率受压电材料厚度决定,频率与厚度成正比关系,厚度越厚频率越大。陶瓷晶振的精度比石英晶振低,但是制作成本低、起振时间短。在一些消费类电子和汽车电子中,能看到陶瓷晶振的身影。像村田的CSTNR_G/CSTCR_G系列就是适用在汽车应用上,安全控制、车身控制,电池控制等等。

  石英无源晶振:利用原生的石英材料切割成不同形状加工制作,频率受切割的轴向、大小及厚度的影响产生不同的频率。石英晶振精度高,最高能达到±10ppm-300ppm,可运用到高精度仪器及设备中。例如村田的XRCGB25M000F1SBAR0,频率25MHz,精度±10ppm,换算成百分比就是±0.001%。

  有源晶振:一个完整的振荡器,里面除了石英晶体外,还有晶体管和阻容元件。

  预编程晶振:把晶振参数,如频率偏差、工作电压、负载电容、频率等提供给晶振厂家,通过电脑等设备编程,将频点、精度、频差等些参数写入空白芯片。

  晶振该如何选型

  说完了晶振的种类,那么在实际应用中,我们选晶振时,应该关注晶振的哪些特性?

  一般情况下,我们需要根据自己的应用,选择晶振的类型,比如是有源的还是无源的。如果是无源的话,需要关注下面这些参数:

  1)标称频率:在晶振的外壳上可以找频率,不同晶振对应不同的频率,选择多大频率的晶振,取决于系统的要求,比如STM32F103RCT6单片机的HSE时钟输入典型值是8MHz,因此选择相应8MHz频率的晶振即可。

  2)精度:指的是晶振的频率相对于标称值的最大允许偏差,一般用ppm来表示,即百万分之一,值越小精度越高。

  频率公差即初始频偏,由于生产制造时不可避免的系统误差而产生了晶振的频率偏差,频率温度特性即温漂大家很好理解,就是外界温度变化带来的频偏,原厂会保证在晶振工作范围内的最大频偏,而频率老化,车规应用关注的比较多,原厂会保证10-15年内的老化的频偏。

  3)ESR 等效串联电阻:晶振的内阻,和晶振的功耗有关系,如果ESR太高,功耗会增加,甚至无法起振。如果ESR越小,成本也会有所增加,因此可以根据实际情况进行选择。

  基本上所有的应用都需要晶振选型,比如在汽车电子应用中就涉及多个晶振,尤其是现在大火的ADAS。村田就曾总结过在ADAS中使用到的晶振,以及如何选型(以下视频):

  晶振测试方法

  最后,我们再讲一讲晶振的出厂测试,就是厂商对晶振出厂测试。出厂测试的内容可就非常多了,包括频率偏差、负载电容、振荡频率、起振余裕度、激励功率等专业参数测试。像村田就可以提供IC匹配的免费增值服务。对于上述测试有需求的客户可以寄送到村田实验室做匹配,然后应用工程师会直接把PCB送还。

  对于晶振的振荡稳定性(起振余裕度(负阻)、激励功率),频率稳定性(频偏)都有相应的测试方法。拿振荡频率测试来说,需要频谱分析仪、天线,按照下图准备好测量设备:

村田电子:晶振在使用时需要关注哪些参数

  测试时,让天线尽可能靠近振荡电路,但不能触碰到振荡电路,然后就可以读取频谱分析仪响应的峰值频率。

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杭晶电子:晶振的随机抖动、确定性抖动与相位噪声详解
  晶振是电子系统的时钟心脏,为CPU、FPGA、高速接口提供基准时序,而抖动(Jitter)是衡量晶振时钟精度的核心指标——它指时钟信号的实际边沿,与理想边沿之间的时间偏差,通俗来说就是时钟的“计时误差”。  晶振的抖动并非单一来源,可划分为确定性抖动(DJ)和随机抖动(RJ)两大类;同时工程中常用RMS Phase Jitter、RMS Period Jitter、CC Jitter等参数量化抖动,这些参数既相互关联,又描述了抖动的不同维度。  一、两大核心抖动:  确定性抖动DJ vs 随机抖动RJ  这是晶振抖动最本质的分类,二者的来源、特性、可优化性完全不同。  1. 确定性抖动(Deterministic Jitter, DJ)  有规律、可溯源、有上限的抖动,是“外界干扰带来的可修复误差”。  • 来源:电源纹波、PCB串扰、负载不匹配、EMI、占空比失真、同步开关噪声  • 特性:可复现、非高斯分布、有界、可消除  • 比喻:钟表被人规律地晃,停晃就好  2. 随机抖动(Random Jitter, RJ)  无规律、不可预测、无绝对上限的抖动,是晶振“天生底噪”。  • 来源:热噪声、闪烁噪声、载流子涨落等物理噪声  • 特性:高斯分布、不可彻底消除,只能减小  • 比喻:钟表自身微小自然波动  3. 总抖动TJ  实际总抖动为两者叠加,RMS 按功率叠加:  二、工程必懂:  4大抖动参数名词解释  1. RMS Phase Jitter Random(随机相位抖动 RMS)  • 只含随机抖动RJ,是晶振原生相位底噪  • 反映晶振本身质量,与电路干扰无关  2. RMS Phase Jitter(总相位抖动 RMS)  • 包含 RJ + DJ  • 是最常用、最能反映实际系统的相位抖动指标  3. RMS Period Jitter(周期抖动 RMS)  • 单个周期时长与理想周期的偏差 RMS  • 反映长期周期稳定性  4. Cycle-to-Cycle Jitter(CC Jitter,周期间抖动)  • 相邻两个周期的差值波动  • 反映瞬时跳变大小,高速接口最敏感  三、参数与 DJ/RJ 的关系表  关键总结:  • 只有随机相位抖动 = 纯RJ  • 其它都是 RJ + 总干扰DJ  四、工程应用:  怎么看、怎么排障  1. 看晶振本身质量 → 看 RMS Phase Jitter Random  2. 看系统实际表现 → 看 RMS Phase Jitter  3. 高速接口(PCIe/USB)→ 重点看 CC Jitter  4. 抖动偏大优先查:电源、地、串扰、负载(都是DJ)  五、抖动 与 相位噪声 的关系  (时域 ↔ 频域)  1. 本质一句话  相位噪声 = 频域指标  相位抖动 = 时域指标  二者是完全对应的一体两面,可以互相换算。  2. 最核心对应关系  • 随机相位抖动 RMS  ↔ 由 相位噪声在一定带宽内积分 直接算出来  • 确定性抖动 DJ  ↔ 对应相位噪声中的 离散杂散(spurious)  • 随机抖动 RJ  ↔ 对应相位噪声的 连续噪声基底  3. 工程换算  在一个频率偏移区间内对 相位噪声 ℒ(f) 积分,  直接得到 = RMS Phase Jitter  简单理解:  • 相位噪声仪看到的曲线高低 → 决定抖动大小  • 曲线越平、越低 → 抖动越小  • 出现尖峰(杂散)→ 就是确定性抖动 DJ  4. 直观对应  • 相位噪声 基底噪声 → 随机抖动 RJ(去不掉)  • 相位噪声 尖峰杂散 → 确定性抖动 DJ(能排查)  • 积分整个噪声 → 总 RMS 相位抖动  六、最终极简总结  1. 抖动分两类:  ○ DJ 确定性抖动:外界干扰,可消除  ○ RJ 随机抖动:晶振本底噪声,不可消除  2.  3. 常用参数:  ○ 随机相位抖动 RMS = 纯 RJ  ○ 总相位抖动 RMS = RJ + DJ  ○ 周期抖动 = 单周期稳定度  ○ CC 抖动 = 相邻周期跳变  4. 抖动 ↔ 相位噪声:  ○ 相位噪声(频域) ↔ 相位抖动(时域)  ○ 噪声基底 → RJ  ○ 杂散尖峰 → DJ  ○ 相位噪声积分 → 直接得到 RMS 相位抖动
2026-03-02 15:18 reading:229
泰晶科技丨晶振频率漂移:四大成因与机理分析
  在现代电子设备中,石英晶体振荡器(晶振)作为核心频率基准元件,其稳定性直接影响系统性能。然而,晶振频率随时间或环境变化发生偏移的现象——即频率漂移,成为工程师面临的常见挑战。一起探讨晶振频率漂移的四大核心原因,揭示其内在机理,为设计优化提供理论依据。  01 温度变化:频率漂移的首要因素  温度是影响晶振频率稳定性的关键变量。石英晶体的热膨胀系数虽小,但温度波动仍会导致其物理尺寸和弹性模量发生微小变化,进而改变振动频率。不同切割方式(如AT切、SC切)的晶振对温度敏感性各异,AT切晶振在25°C附近呈现抛物线特性,偏离此温度时频率偏差显著放大。例如,环境温度从25°C升至60°C时,AT切晶振的频率可能产生数十ppm的偏移,直接影响时间精度。温度补偿晶振(TCXO)通过内部电路校正频率,虽能缓解问题,但补偿模型在极端温度下仍存在局限性。  02 老化效应:时间累积的不可逆变化  老化是晶振长期使用中频率逐渐偏移的根本原因。这一过程涉及晶体内部的多重物理化学变化:制造过程中吸附的气体分子(如水汽、氢气)在振动和热作用下解吸迁移,导致晶片质量分布改变;内部金属支架和焊点的内应力随时间释放,影响弹性常数;电极材料在电流和振动下发生扩散或再结晶,改变附着力。老化率随时间递减,初期可能达每月1×10⁻⁷,后期降至1×10⁻¹⁰,但长期累积仍会导致显著频率偏差。  03 电源波动:电路稳定性的隐形杀手  电源电压的稳定性对晶振频率有直接影响。电压波动会改变振荡电路的有效电阻,进而影响谐振频率。例如,电源噪声或电压不稳定可能导致晶振停振或频率波动。设计时需采用稳压电源和滤波电路,确保供电电压恒定,避免因电源问题引入额外频率漂移。  04 机械应力:外部环境的动态干扰  机械应力是晶振频率漂移的另一重要因素。外部振动或冲击会改变晶体内部应力分布,破坏弹性动态均衡,导致谐振频率偏移。长期机械应力还可能引发晶体裂纹扩展,造成不可逆的频率变化。为应对这一问题,需优化封装结构,采用柔性绝缘材料缓冲应力,并在设计阶段通过仿真和测试识别潜在机械共振源。  结 论  晶振频率漂移是温度、老化、电源和机械应力共同作用的结果。理解这些因素的内在机理,有助于工程师在设计阶段采取针对性措施,如选用温度补偿晶振、优化电源设计、减少机械干扰,从而提升系统稳定性和可靠性。
2026-02-12 10:19 reading:404
杭晶电子丨抗辐照晶振的核心挑战:总剂量与单粒子效应深度解析
  概述:晶振在辐射环境中的特殊性  晶体振荡器作为电子系统的“心跳”,在高辐射环境中面临独特挑战。其核心由压电晶体和精密振荡电路构成,两者对辐射的响应机制不同,但最终都体现在频率稳定性这一关键指标上。辐射效应主要分为渐进式退化的总剂量效应和突发性故障的单粒子效应两大类。  一、总剂量效应——晶振的“慢性衰老”  1、对晶体本身的累积损伤  总剂量效应源于长期暴露于电离辐射下的能量积累,对石英晶体造成两种主要损伤:  晶格缺陷的渐进形成  · 辐射在晶体内部产生位移损伤,使原子脱离晶格位置  · 形成的空位、间隙原子等缺陷随时间积累  · 这些缺陷改变了晶体的弹性常数和质量负载效应  · 直接影响:谐振频率发生系统性偏移,频率-温度特性曲线变形  表面和界面电荷积累  · 电离辐射在晶体表面和电极界面产生固定电荷  · 电荷积累改变了晶体表面的边界条件  · 增加了声波传播损耗和散射  · 直接影响:品质因数Q值下降,相位噪声恶化  2、对振荡电路的渐进影响  振荡电路中的有源和无源元件随剂量积累而退化:  有源器件参数漂移  · MOSFET阈值电压系统性漂移,改变振荡电路的偏置点  · 晶体管跨导下降,导致环路增益裕度减少  · 直接影响:起振困难,输出幅度衰减,严重时停振  泄漏电流的指数增长  · 氧化物陷阱电荷导致PN结和栅极泄漏电流增加  · 电路静态功耗显著上升  · 热噪声增加,相位噪声性能恶化  · 直接影响:功耗超标,噪声基底抬升  反馈网络参数变化  · 负载电容、电阻的辐射敏感参数发生变化  · 改变了振荡器的相移条件  · 直接影响:中心频率偏移,调谐范围收缩  二、单粒子效应——晶振的“突发性心脏病”  1、对晶体单元的直接冲击  瞬态位移损伤  · 单个高能粒子(重离子或高能质子)穿过晶体  · 在粒子轨迹上产生局部晶格损伤  · 造成短暂的局部应力变化  · 直接影响:瞬时频率跳变,随后可能部分恢复  电荷沉积效应  · 粒子在晶体内部沉积电荷,形成瞬态电场  · 通过压电效应转换为瞬态机械应力  · 直接影响:相位突跳,短期频率稳定度急剧恶化  2、对振荡电路的瞬时干扰  单粒子瞬态(SET)在模拟电路  · 高能粒子击中振荡器核心的放大器或偏置电路  · 在电源线或信号线上产生瞬态电流脉冲  · 脉冲宽度从几十皮秒到几微秒不等  · 直接影响:  · 输出波形上叠加瞬时毛刺  · 相位连续性的突然中断  · 可能导致锁相环失锁或时钟同步失败  单粒子翻转(SEU)在控制逻辑  · 数字控制部分(如频率调谐寄存器、模式控制字)发生位翻转  · 配置参数被意外修改  · 直接影响:  · 输出频率跳变到错误值  · 工作模式异常切换  · 可能需要重新配置才能恢复  单粒子闩锁(SEL)的灾难性后果  · 寄生PNPN结构被触发,形成大电流通路  · 电流急剧增加(可能达到正常值的100倍以上)  · 直接影响:  · 电路功能完全失效  · 热失控可能导致永久损坏  · 必须断电重启才能恢复  三、针对晶振的专门防护策略  1、对抗总剂量效应的专门措施  晶体材料的优化选择  · 选用辐射硬化晶体:如SC切型石英比AT切型具有更好的抗辐射性能  · 特殊处理工艺:采用氢气退火等方法减少晶体初始缺陷  · 新型材料探索:磷酸锂铌(LNB)等替代材料在某些频段表现更优  电路的加固设计  · 采用辐射加固工艺的半导体器件  · 设计冗余偏置电路,自动补偿阈值电压漂移  · 使用容差设计,确保在参数漂移范围内正常工作  · 加入泄漏电流监测和补偿电路  结构优化  · 优化晶体封装,减少辐射敏感材料的使用  · 改善电极设计和连接方式,减少界面电荷积累  · 采用特殊涂层减少表面效应  2、应对单粒子效应的专门方案  电路架构层面的保护  · 在关键模拟路径上使用滤波和迟滞电路  · 对数字控制部分采用三模冗余和定期刷新  · 设计快速检测和恢复机制  · 使用误差检测与纠正编码保护配置数据  版图设计的优化  · 增加敏感节点的保护环  · 采用共质心布局减小梯度效应  · 优化电源分布网络,降低闩锁敏感性  · 对关键晶体管采用较大的尺寸,提高临界电荷  系统级的应对策略  · 设计多晶振冗余架构,支持热切换  · 实现实时频率监测和异常检测  · 开发自适应算法,识别并补偿瞬态效应  · 制定在轨维护策略,包括参数重调和故障恢复  3、测试与验证的特殊要求  针对晶振的辐射测试方法  · 频率稳定度的长期监测:评估总剂量效应下的退化趋势  · 相位噪声的实时测量:检测瞬态效应的特征  · 在束测试:模拟单粒子效应的实际影响  · 加速寿命测试:预测长期可靠性  测试关注的特定参数  · 频率偏移与总剂量的关系曲线  · 相位噪声谱的变化特征  · 起振时间和稳定时间的退化  · 输出波形完整性的保持能力  结论:平衡与优化的系统工程  晶体振荡器的辐射防护是一项需要在多个层面进行权衡的系统工程:  材料与工艺的平衡  · 晶体材料的抗辐射性能与频率稳定性的权衡  · 半导体工艺的加固程度与功耗、速度的平衡  电路设计的权衡  · 冗余保护带来的可靠性提升与复杂度、功耗增加的平衡  · 防护措施的强度与成本、体积的平衡  系统架构的优化  · 多级防护的协同设计  · 软硬件结合的容错策略  · 在线监测与自适应调整的集成
2026-02-09 14:25 reading:383
全球晶振主要厂商盘点!
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