随着10nm芯片逐步渗透进消费电子产品,新的制程探索也在加速。目前已公布的7nm路线图中,GF和台积电的速度最快,三星事实落后。据韩媒报道,三星决定加快6nm的步伐,其中试产2019年初开启,量产在2019年下半年开工。此举旨在和台积电抢夺2019年高通和苹果的手机芯片代工合同。
Digitimes报道称,台积电目前已经流片了13张7nm样品芯片,2018年即可开始批量生产。
荷兰艾斯摩表示,EUV(极紫外)光刻机可用于7/6/5nm工艺,Intel、台积电、三星等都采购了相关设备。只是,目前唯一没有披露10nm以下明确规划的就是Intel了。
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model | brand | Quote |
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RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments | |
MC33074DR2G | onsemi | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics |
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