三星停电事件带动买方备货意愿

Release time：2020-01-13
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source：国际电子商情
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2019年12月31号三星华城厂区发生的跳电事件虽未对整体内存的供给造成重大影响，但事件的发生促使相关买方的备货意愿增强……

根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)最新调查，随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。

因此，TrendForce再次修正2020年第一季DRAM合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

在标准型内存，虽然第一季的价格仍在议定中，但TrendForce预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关税的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在2019年第四季出货，导致2020年第一季的出货较为疲弱。但考虑今年DRAM的供给位成长幅度仅不到13%，加上三星跳电事件的影响，PC OEM已做好DRAM即将涨价的可能，当前都以建立更佳的库存水位为目标，因此在采购上愿意接受持平或更高的模块合约价格；若原厂能够在第一季增加供货量，买方甚至愿意接受更高的价格，以确保安全的库存水位。

行动式内存方面，虽然第一季智能型手机市场在5G的议题下所有支撑，但因5G芯片初期供应数量有限，加上传统淡季影响，拉货动能依旧偏弱，因此TrendForce原先预测行动式内存Discrete/eMCP价格将较前一季下跌0~5%。然而自去年12月中开始，除了服务器内存与绘图用内存需求增温，带动整体价格走势提前反转之外，NAND Flash的供应告急同样激励eMCP的价格表现，因此将行动式内存的价格预估由“小跌”调整为“大致持平”。

至于利基型内存，由于三星华城厂区Line 13的DRAM生产重心主要为20/25nm的利基型内存产品，加上受到现货市场价格上扬的影响最为直接，使得利基型内存价格将提早反弹。目前来看，虽然锁定季度合约价(quarterly lock-in price)的第一线大客户有机会守住持平，不过原厂的供货达标率 (fulfillment rate)不到六成，加上采购端截至去年底皆未积极备货，导致库存偏低，月合约价可能将开始逐月向上；此外，重复下单(double-booking)的出现亦可能导致原厂的供货达标率进一步恶化，因此第一季DDR3和DDR4的价格预估将较前一季上涨0~5%。

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三星获165亿美元订单！
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三星获165亿美元订单！

　　7月29日消息，三星与特斯拉达成165亿美元芯片制造协议，马斯克确认与三星合作细节，不仅强调“将亲自参与提升生产效率”，还指出“这还只是最低金额”。　　据报道，知情人士透露，三星周一宣布获得价值22.8万亿韩元的芯片制造合同，客户正是已与其代工部门有业务往来的特斯拉。　　马斯克在社交平台X上连续发帖称：“三星在得克萨斯州新建的巨型工厂将专门用于生产特斯拉的下一代AI6芯片。其战略重要性毋庸置疑。”　　“三星已经同意让特斯拉协助最大限度地提高制造效率。这是一个关键时刻，我会亲自督促，加快进度。而且晶圆厂离我家不远，很方便。”　　该合同期限从2024年7月26日开始，将持续至2033年12月31日。合同金额相当于三星电子2024年全年营收300.9万亿韩元的7.6%。　　这份长期供货协议有望提振这家韩国科技巨头亏损的代工业务。最新财报显示，2025年第二季度，三星电子实现销售额74万亿韩元，同比下降0.09%;营业利润为4.6万亿韩元，同比下降55.94%，不及此前市场6.69万亿韩元的预期。其中半导体业务营业利润估计不足1万亿韩元，晶圆代工部门被认为是业绩不佳的主要原因。
2025-07-29 14:13 reading：529
三星将在2028年前采用玻璃中介层技术
行业新闻

三星将在2028年前采用玻璃中介层技术

　　近日，据ET新闻报道，三星电子计划从 2028 年开始在芯片封装中采用玻璃中介层，预计可以提供更好的性能、更低的成本和更快的生产，将彻底改变 AI 芯片封装。　　在芯片制造中，中介层是 2.5D 芯片封装的关键部件，尤其是对于 AI 芯片来说，比如GPU和高带宽内存(HBM)需要依靠中介层来连接这两个组件，以实现更快的通信。虽然传统的硅中介层很有效，但其成本远高于玻璃中介层，而且玻璃中介层对超精细电路具有更高的精度和更高的尺寸稳定性。玻璃中介层的优势绝对超过了传统的硅中介层，这使它们成为下一代 AI 芯片的关键技术。　　一位行业官员指出，“三星已经制定了一项计划，到 2028 年从硅中介层过渡到玻璃中介层，以满足客户需求。”这一动向与 英特尔、AMD 等竞争对手的类似计划一致，他们都在迅速转向新的玻璃中介层技术。　　不过，三星的玻璃中介层技术与其他厂商有所不同，因为它正在开发低于 100×100 毫米的玻璃单元以加快原型设计，而不是使用尺寸为 510×515 毫米的大型玻璃基板。尽管较小的尺寸可能会损害效率，但它能够更快地进入市场。　　三星还计划利用其天安园区面板级封装或 PLP 生产线，该生产线使用方形面板而不是圆形晶圆。总体而言，这将使该三星处于比 AI 行业竞争对手更好的位置。此外，三星还调整了其 AI 集成解决方案战略，该战略将把代工服务、HBM 内存和先进封装整合到一个保护伞下。　　随着 AI 行业的迅速发展，从长远来看，三星在快速向玻璃基板中介层的过渡可能会使其在竞争中占据优势。由于技术将逐渐改进，该公司还可以从外部订单中受益，这将使其能够增加收入。
2025-05-26 11:33 reading：860
三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD
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三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”
2024-09-24 10:07 reading：1105
三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统
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三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统

　　三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证　　强大的车载存储解决方案产品阵容　　将确保供应链长久、稳定、可靠。　　2024年8月27日，三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙® 数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。　　▲三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)　　和高级驾驶员辅助系统(ADAS)　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100¹ 验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴，三星凭借在存储器解决方案领域的设计、生产和封装能力的领先优势，不仅能够提供快速的开发周期，同时能够保障可靠性、验证和卓越的产品控制，满足汽车行业的严格要求。　　AEC-Q100标准是针对车载封装集成电路产品的应力测试标准。　　三星正在开发下一代LPDDR5车规芯片，预计今年第四季度可以提供样品。LPDDR5将能够支持三星车轨内存能达到的最高数据传输速度，即每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在极端温度条件下，依旧保持卓越性能。
2024-08-27 11:02 reading：1264
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