台湾心头大石落地!台积电3纳米厂落脚台南

Release time:2017-10-09
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台积电3纳米新晶圆厂拍板落脚台湾!晶圆代工龙头台积电昨(29)日宣布,3纳米晶圆厂将落脚南部科学园区的台南园区,台湾终于放下心头大石!

台湾积体电路制造股份有限公司29日表示,经审慎评估后,本公司拟投资兴建的3纳米先进制程新厂,将择定于南部科学工业园区台南园区,以持续充分发挥本公司在该园区既有的完整聚落与供应链优势。台积电对于政府明确承诺解决包含土地、用水、供电、环保等相关议题表示肯定与感谢。

这桩投资案是全球第一宗宣布的3纳米投资规划,台积电并未说明3纳米晶圆厂的具体投资计划,经济部预估此投资案规模至少新台币5千亿元。

台积电今年下半年大量产出10纳米,预计明年开始量产7纳米,生产重心均放在中科;下世代制程的5纳米预计2019年试产,2020年量产,5纳米已确定将在南科建厂生产。

据设备业者分析,台积电的制程推进仍依着摩尔定律前进,推算3纳米量产的时间点应该是在2022年左右,新厂将大量采用极紫外光(EUV)微影技术,因此推估总投资金额将超过200亿美元(约折合新台币6000亿元),将是台湾科技业有史以来最大投资案。

台湾政府松一口气:非常感谢张忠谋

台积电3纳米晶圆厂落脚台湾,这是继华邦电之后,第2家原本传出将到海外设立晶圆厂半导体大厂,最后回心转意将继续留在台湾投资,给台湾政府和产业界吃下了一颗定心丸。

鸿海集团宣布在美国威斯康星州投资100亿美元(约3000亿元台币),为台湾产业投下震撼弹,华邦电于大厂出走传闻甚嚣尘上。数日前,华邦电子宣布将在路竹的南科高雄园区,设立12寸晶圆厂,总投资金额高达新台币3350亿元,台湾政府深感欣慰,认为此举意义重大。

在此之前,台积电要到哪里投资3纳米新厂的议题在台湾持续受到关注,之前传闻台积电因为供电原因准备将3nm工厂迁址美国,引起台湾政府的高度重视,产业界一片哗然。

台积电原本预计明年上半年前决定3纳米制程新厂的地点,如今提前宣布在南科建厂,不得不说让台湾大大地松了一口气。

对于台积电3纳米设厂台南,行政院长赖清德表示“我非常非常感谢(张忠谋)。”

赖清德在立法院接受质询时说,感谢张忠谋的支持,将台积电未来最重要3纳米厂设立于台湾,再加上DRAM大厂华邦电子,日前也宣布将于南科高雄园区设12吋晶圆厂,总投资金额高达3,350亿元,期盼这两家具有指标性的公司,能带动其他企业投资台湾。

赖清德强调,后续张忠谋与台积电所关心的水、电、土地问题,政院一定会完全解决,不用担心。

而台湾科技部长陈良基29日也回应表示,非常欢迎台积电继续投资台湾,科技部承诺将全力协助设厂事宜打造友善投资环境。

台积电的3纳米选址对台湾有多重要?

为何台湾如此紧张台积电3纳米晶圆厂?台积电的3纳米对台湾有多重要?

关于台积电3nm的选址对台湾半导体产业的影响,经济日报在早前的报道中是这样描述的:

“台积电3纳米投资,堪称登上全球半导体霸主的最关键投资,政府若不协助解决相关环评等变数,台积电供应链忧心,一旦此投资案真选定美国,台积电后续投资将会往大陆移动,也让台湾好不容易建立的半导体产业链动摇,影响重大。”

在台积电前技术负责人蒋尚义担任中芯国际独董时,台湾大部分网友在讨论时指出,台积电是台湾经济的最后命脉,甚至有网友说出“台积电对于台湾,已经大到不能倒的位置”。

前台湾半导体协会理事长、钰创董事长卢超群9月出席SEMICONTaiwan展前活动时就表示,台湾半导体产业太过依赖台积电。

去年,台湾工研院产业经济与趋势中心首席研究员陈清文曾深度分析过台积电对台湾经济的影响力。

陈清文表示,2015年台积电附加价值台币6326亿元,对台湾GDP贡献度达3.8%,如以台积电附加价值占台湾半导体50%来概估,则台湾半导体产业对GDP的贡献度约8%。去年台积电附加价值成长720亿元,对GDP贡献0.43%,而台湾GDP成长率0.85%,台积电对台湾经济成长的贡献度高达一半。今年台湾经济成长约1%,台积电营收成长11%,它对台湾经济成长率的贡献度更将超过一半。

中国台湾半导体产业协会理事长卢超群也做过分析,2016年仅台积电一家企业就占台湾半导体产业产值的39%,净日均利润高达9亿元新台币,台积电的GDP收入了占了整个台湾GDP的3.6%,股票市值占了整个台股的17%。

这样的企业带来的经济和社会影响是不言而喻的。

而台湾对台积电3纳米工艺留台那么紧张,一方面在于台积电本身强大的吸金能力,另一方面就在于台积电带来的产业集群影响。

此前报道也曾披露,台积电3nm工厂总投资可能突破1100亿人民币,这个工厂后续也将带来蔚为可观的产业链长尾经济影响。因为一旦台积电在当地设厂,必将引起产业链供应商集群效应,这势必带来惊人的经济效益。

根据公开信息显示,为了押宝订单,在台积电留台消息还未公布,包括材料的日立化成、台湾富士纺到设备的台湾应材、汉民微测、科林到制程的村田机械乃至于提供零件清洗及测试服务的昆腾等外商纷纷先后决定在台南建立新厂。

这些工厂背后带来的人力安置,经济收入和对当地经济发展影响,都是不容小觑的。为了说明台积电对台湾经济的影响。

如今,台积电3纳米厂址确认留台,台湾在放下心头大石的同时或许再次陷入了过度依赖台积电的忧虑。

而对于全球半导体产业来说,台积电的这个决定侧面透露了摩尔定律必然能演进到3nm,这件事让中国大陆再次看到半导体产业巨大经济影响力,或许对于未来的中国半导体产业的发展能有更多的思考。

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台积电超大客户,正式易主
  晶圆代工龙头台积电最新出炉的2025年合并财报揭露关键客户结构变化,在AI浪潮推升下,法人圈盛传已久的「大客户换人」正式浮上台面。根据财报显示,占全年营收10%以上客户共有两家,分别贡献19%与17%,其中贡献比重达19%的甲客户,年增幅度高达7个百分点,法人推估即为NVIDIA,正式超越Apple,成为台积电最大客户。另外,外界焦点美国亚利桑那州厂TSMC Arizona,2025年度亦转亏为盈,获利达161.41亿元。  台积电2025年合并营收达3兆8,090亿元,年增31.6%,续创历史新高。甲客户全年贡献金额达7,269.74亿元,占比19%,相较2024年的12%大幅跃升;乙客户贡献金额6,451.78亿元,占比17%,则较前一年的22%下滑5个百分点。供应链指出,AI加速器与高效能运算(HPC)需求爆发,是客户排名翻转的主因。  随着生成式AI与大型语言模型运算需求激增,辉达AI GPU与相关加速平台全面放量,从资料中心训练到推论应用皆高度仰赖先进制程。法人预估,2026年辉达对台积电营收贡献比重可望突破20%,进一步巩固最大客户地位。  除客户结构洗牌外,台积电海外布局的损益表现亦成焦点。被视为「最烧钱」的美国亚利桑那厂TSMC Arizona,在4纳米制程于2024年第四季量产后,2025年全年转亏为盈,获利161.41亿元,表现优于市场预期。市场分析,AI芯片客户就近生产需求强劲,加上产能利用率提升,是美国厂快速转盈主因。  然日本熊本厂JASM去年亏损97.67亿元,法人认为,成熟制程压力大,产能未达满载为主要原因;德国厂ESMC尚在建厂期,亏损6.88亿元。中国子公司则持续贡献稳定获利,其中南京厂获利达274.53亿元最为亮眼。  财报亦揭露,台积电2025年共取得各地政府补助款762.58亿元,2024年取得751.64亿元,两年合计逾1,500亿元;相关补助主要用于厂房、设备投资及部分营运成本支出,其中亚利桑那厂可就符合资格投资申请25%投资抵减。  台积电董事长魏哲家日前于法说会指出,美国客户对AI需求极为强劲,包括苹果、辉达、超微、高通与博通等皆为重要客户,因此必须在美国扩充产能以支援需求。随着AI运算正式进入大规模部署阶段,台积电先进制程与先进封装产能的战略价值持续提升。  法人认为,从客户结构到海外获利转正,均显示台积电正站在AI产业成长曲线核心位置。随AI芯片世代更迭与3纳米、2纳米量产时程推进,2026年营运动能仍具续航空间。  2nm 制程产能,苹果、英伟达等疯抢  科技媒体 culpium 今天(2 月 27 日)发布博文,报道称台积电正敦促其客户尽快预订 N2 制程产能,排期已远至 2027 年第 2 季度,未来两年大额产能几近售罄。  台积电于 2022 年推出 N3 制程,2025 年的收入翻倍达到 250 亿美元(IT之家注:现汇率约合 1713.09 亿元人民币),且相关产能已被预订至 2027 年,如今 N2 也面临同样的紧俏局面。  N2 制程于半年前进入量产阶段,苹果率先将其用于即将发布的 MacBook 芯片。与此同时,客户格局发生剧变。  数据显示,英伟达 2025 年采购额猛增至 233 亿美元,超越苹果成为台积电最大客户。英伟达财报显示全年营收增长 65% 至 2160 亿美元,并已锁定延伸至 2027 年的供货承诺,以应对激烈的 AI 竞赛。  导致产能紧张的主因是 AI 芯片需求爆发,AI GPU 占用晶圆面积大、单价高,客户更愿意支付溢价。台积电要求客户提前约六个月锁定产能并付款,加上制造封装需四至六个月,设计商需提前一年规划。  台积电将取消苹果优先地位  尽管据报道苹果已获得台积电2nm工艺初始产能的一半以上,且大部分晶圆 将用于即将发布的iPhone 18系列的A20和A20 Pro芯片,但苹果预计将失去其作为台积电最大客户的地位 。由于人工智能的蓬勃发展,苹果不再是台积电的头号客户,一位知情人士称,台积电将不再优先为苹果供货,因为其大部分收入来自完全不同的领域。  苹果与台积电的合作关系一直被外界猜测带有某种特殊性,这也不无道理,因为苹果这家iPhone制造商一直以来都为这家半导体巨头贡献了相当可观的收入。此前曾有报道称,两家公司私下达成了一项秘密协议,苹果只采购“合格”的晶圆批次。但分析师郭明錤驳斥了这一说法,他澄清说,台积电不会承担次品晶圆的成本。  然而,我们仍然倾向于认为苹果会优先获得台积电的尖端光刻技术,但今年情况可能会发生重大变化。我们此前报道过,这家总部位于加州的科技巨头在2024年将占台积电年收入的24%,而英伟达将在2025年超越苹果。  据称,台积电2nm晶圆供应紧张,加上市场需求旺盛,这家半导体制造商被迫从2026年起连续四年提高其先进制程工艺的价格。虽然这不一定只针对苹果公司,但据估计,苹果A20 SoC的单价为280美元,这暗示价格上涨可能已经生效。据报道,2nm制程的流片量是3nm制程的1.5倍,这表明苹果、高通和联发科并非唯一的客户。
2026-03-04 17:54 reading:187
台积电宣布在日本生产3nm芯片
  2月9日消息,据多家媒体报道,台积电首席执行官在2月5日表示,为了满足人工智能芯片需求快速增长所带来的产能与成本压力,公司计划在日本南部熊本县的第二座晶圆厂大规模生产先进的 3nm 芯片,总投资达 170 亿美元(约合 1183 亿人民币)。  该工厂最初的规划是专注于 6nm-12nm 制程节点,主要服务于成熟工艺需求。 但随着 AI 相关芯片对先进制程的依赖程度不断提升,台积电才计划将该项目升级至 3nm 节点,投资规模也从原来的 122 亿美元(约合846.83 亿元人民币)提升至 170 亿美元。  目前该工厂仍处于建设阶段,预计将在 2027 年底正式投入使用。  事实上,台积电在日本的布局两年前就开始了。 2024 年 2 月,台积电位于熊本的第一座晶圆厂实现量产,主要生产 12/16nm 以及 22/28nm 芯片,重点服务汽车电子和工业领域客户。  相比之下,台积电在美国的扩产节奏更为谨慎。 其位于美国亚利桑那州的晶圆厂一期规划为 4nm,二期为 3nm,但由于人工成本高等因素影响,一期量产时间从原计划的 2024 年推迟至 2025 年,二期则延后至 2027 年甚至 2028 年。  不过,台积电最先进的 2nm 及以下制程,仍集中在中国台湾生产。  台积电此次在日本升级 3nm 制程,对当地汽车与工业芯片供应都有一定程度的帮助。 自 2025 年 9 月安世半导体被荷兰政府强行接管后,日本的汽车芯片供应受到了不小的打击。  本田汽车曾多次暂停其在日本、中国及北美工厂的生产,并预计芯片短缺将导致其 2025 财年营业利润减少约 1500 亿日元(约合66.3 亿元人民币)。 此外,日产、大众等多家车企同样受到不同程度影响。
2026-02-09 15:11 reading:390
台积电南京厂,获美国年度许可!
  据新加坡《联合早报》网站1月1日报道,台积电表示宣布,该公司已获得美国政府发放年度许可证,在2026年向位于中国大陆的南京工厂输出芯片制造设备。  台积电在发给路透社的一份声明中表示,此项许可“确保晶圆运营业务和产品交付不受干扰”。  韩国三星电子与SK 海力士两家企业,也已经获得同类进口许可。  报道称,三星电子、SK海力士和台积电此前受益于美国对华芯片相关出口全面限制的豁免政策,即“经验证最终用户(VEU)”制度。被列入“VEU”清单的企业,可以从美国进口指定的受管制物项(包括半导体设备和技术),无须再单独申请出口许可证。  不过,上述政策有效期截至去年12月31日,意味着从今年起向中国输出美产芯片制造设备仍需申请出口许可证。  台积电在声明中进一步指出:“美国商务部已向南京厂区核发年度出口许可,获准输往该厂区的美国出口管制物项,无需供应商单独申请许可。”  声明同时重申,该许可将“保障厂区生产运营与产品交付不受中断”。  据悉,台积电南京工厂专注于16纳米及其他成熟制程芯片的生产,并非该公司的尖端半导体产品。除南京外,台积电在上海亦设有一座晶圆制造工厂。据其 2024年度报告披露,南京厂区贡献的营收约占公司总营收的 2.4%。
2026-01-04 16:12 reading:481
台积电官宣:2nm量产!
  据台积电官网,台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术,提供全制程节点的效能及功耗进步。台积公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。  台积电表示,N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构,将提供全制程节点的效能及功耗的进步,以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略,进一步扩大台积公司的技术领先优势。  从性能提升维度来看,相较于前代N3E工艺,N2工艺针对逻辑电路、模拟电路与静态随机存取存储器(SRAM)混合设计的芯片,实现了三大核心突破:同等功耗下性能提升10%—15%、同等性能下功耗降低25%—30%、晶体管密度提升15%。而针对纯逻辑电路设计的芯片,其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度更是高达20%。  *注:台积电公布的芯片密度数据,基于“50%逻辑电路+30%静态随机存取存储器+20%模拟电路”的混合设计方案测算。  **注:性能提升为同等运行速度下的对比数据。  ***注:功耗降低为同等性能输出下的对比数据。  值得关注的是,N2工艺是台积电首款采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的制程技术。这种晶体管结构中,栅极完全包裹由多层水平纳米片构成的导电沟道,不仅优化了静电控制效果、降低了漏电率,还能在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管体积,最终实现晶体管密度的大幅提升。  此外,N2工艺还在供电网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM),其电容密度达到上一代SHDMIM方案的两倍以上,同时将薄层电阻(Rs)与通孔电阻(Rc)均降低50%,有效提升了芯片的供电稳定性、运行性能与综合能效。
2025-12-30 16:43 reading:562
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