台湾心头大石落地!台积电3纳米厂落脚台南

发布时间:2017-10-09 00:00
作者:
来源:网络整理
阅读量:2002

台积电3纳米新晶圆厂拍板落脚台湾!晶圆代工龙头台积电昨(29)日宣布,3纳米晶圆厂将落脚南部科学园区的台南园区,台湾终于放下心头大石!

台湾积体电路制造股份有限公司29日表示,经审慎评估后,本公司拟投资兴建的3纳米先进制程新厂,将择定于南部科学工业园区台南园区,以持续充分发挥本公司在该园区既有的完整聚落与供应链优势。台积电对于政府明确承诺解决包含土地、用水、供电、环保等相关议题表示肯定与感谢。

这桩投资案是全球第一宗宣布的3纳米投资规划,台积电并未说明3纳米晶圆厂的具体投资计划,经济部预估此投资案规模至少新台币5千亿元。

台积电今年下半年大量产出10纳米,预计明年开始量产7纳米,生产重心均放在中科;下世代制程的5纳米预计2019年试产,2020年量产,5纳米已确定将在南科建厂生产。

据设备业者分析,台积电的制程推进仍依着摩尔定律前进,推算3纳米量产的时间点应该是在2022年左右,新厂将大量采用极紫外光(EUV)微影技术,因此推估总投资金额将超过200亿美元(约折合新台币6000亿元),将是台湾科技业有史以来最大投资案。

台湾政府松一口气:非常感谢张忠谋

台积电3纳米晶圆厂落脚台湾,这是继华邦电之后,第2家原本传出将到海外设立晶圆厂半导体大厂,最后回心转意将继续留在台湾投资,给台湾政府和产业界吃下了一颗定心丸。

鸿海集团宣布在美国威斯康星州投资100亿美元(约3000亿元台币),为台湾产业投下震撼弹,华邦电于大厂出走传闻甚嚣尘上。数日前,华邦电子宣布将在路竹的南科高雄园区,设立12寸晶圆厂,总投资金额高达新台币3350亿元,台湾政府深感欣慰,认为此举意义重大。

在此之前,台积电要到哪里投资3纳米新厂的议题在台湾持续受到关注,之前传闻台积电因为供电原因准备将3nm工厂迁址美国,引起台湾政府的高度重视,产业界一片哗然。

台积电原本预计明年上半年前决定3纳米制程新厂的地点,如今提前宣布在南科建厂,不得不说让台湾大大地松了一口气。

对于台积电3纳米设厂台南,行政院长赖清德表示“我非常非常感谢(张忠谋)。”

赖清德在立法院接受质询时说,感谢张忠谋的支持,将台积电未来最重要3纳米厂设立于台湾,再加上DRAM大厂华邦电子,日前也宣布将于南科高雄园区设12吋晶圆厂,总投资金额高达3,350亿元,期盼这两家具有指标性的公司,能带动其他企业投资台湾。

赖清德强调,后续张忠谋与台积电所关心的水、电、土地问题,政院一定会完全解决,不用担心。

而台湾科技部长陈良基29日也回应表示,非常欢迎台积电继续投资台湾,科技部承诺将全力协助设厂事宜打造友善投资环境。

台积电的3纳米选址对台湾有多重要?

为何台湾如此紧张台积电3纳米晶圆厂?台积电的3纳米对台湾有多重要?

关于台积电3nm的选址对台湾半导体产业的影响,经济日报在早前的报道中是这样描述的:

“台积电3纳米投资,堪称登上全球半导体霸主的最关键投资,政府若不协助解决相关环评等变数,台积电供应链忧心,一旦此投资案真选定美国,台积电后续投资将会往大陆移动,也让台湾好不容易建立的半导体产业链动摇,影响重大。”

在台积电前技术负责人蒋尚义担任中芯国际独董时,台湾大部分网友在讨论时指出,台积电是台湾经济的最后命脉,甚至有网友说出“台积电对于台湾,已经大到不能倒的位置”。

前台湾半导体协会理事长、钰创董事长卢超群9月出席SEMICONTaiwan展前活动时就表示,台湾半导体产业太过依赖台积电。

去年,台湾工研院产业经济与趋势中心首席研究员陈清文曾深度分析过台积电对台湾经济的影响力。

陈清文表示,2015年台积电附加价值台币6326亿元,对台湾GDP贡献度达3.8%,如以台积电附加价值占台湾半导体50%来概估,则台湾半导体产业对GDP的贡献度约8%。去年台积电附加价值成长720亿元,对GDP贡献0.43%,而台湾GDP成长率0.85%,台积电对台湾经济成长的贡献度高达一半。今年台湾经济成长约1%,台积电营收成长11%,它对台湾经济成长率的贡献度更将超过一半。

中国台湾半导体产业协会理事长卢超群也做过分析,2016年仅台积电一家企业就占台湾半导体产业产值的39%,净日均利润高达9亿元新台币,台积电的GDP收入了占了整个台湾GDP的3.6%,股票市值占了整个台股的17%。

这样的企业带来的经济和社会影响是不言而喻的。

而台湾对台积电3纳米工艺留台那么紧张,一方面在于台积电本身强大的吸金能力,另一方面就在于台积电带来的产业集群影响。

此前报道也曾披露,台积电3nm工厂总投资可能突破1100亿人民币,这个工厂后续也将带来蔚为可观的产业链长尾经济影响。因为一旦台积电在当地设厂,必将引起产业链供应商集群效应,这势必带来惊人的经济效益。

根据公开信息显示,为了押宝订单,在台积电留台消息还未公布,包括材料的日立化成、台湾富士纺到设备的台湾应材、汉民微测、科林到制程的村田机械乃至于提供零件清洗及测试服务的昆腾等外商纷纷先后决定在台南建立新厂。

这些工厂背后带来的人力安置,经济收入和对当地经济发展影响,都是不容小觑的。为了说明台积电对台湾经济的影响。

如今,台积电3纳米厂址确认留台,台湾在放下心头大石的同时或许再次陷入了过度依赖台积电的忧虑。

而对于全球半导体产业来说,台积电的这个决定侧面透露了摩尔定律必然能演进到3nm,这件事让中国大陆再次看到半导体产业巨大经济影响力,或许对于未来的中国半导体产业的发展能有更多的思考。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
台积电南京厂,获美国年度许可!
  据新加坡《联合早报》网站1月1日报道,台积电表示宣布,该公司已获得美国政府发放年度许可证,在2026年向位于中国大陆的南京工厂输出芯片制造设备。  台积电在发给路透社的一份声明中表示,此项许可“确保晶圆运营业务和产品交付不受干扰”。  韩国三星电子与SK 海力士两家企业,也已经获得同类进口许可。  报道称,三星电子、SK海力士和台积电此前受益于美国对华芯片相关出口全面限制的豁免政策,即“经验证最终用户(VEU)”制度。被列入“VEU”清单的企业,可以从美国进口指定的受管制物项(包括半导体设备和技术),无须再单独申请出口许可证。  不过,上述政策有效期截至去年12月31日,意味着从今年起向中国输出美产芯片制造设备仍需申请出口许可证。  台积电在声明中进一步指出:“美国商务部已向南京厂区核发年度出口许可,获准输往该厂区的美国出口管制物项,无需供应商单独申请许可。”  声明同时重申,该许可将“保障厂区生产运营与产品交付不受中断”。  据悉,台积电南京工厂专注于16纳米及其他成熟制程芯片的生产,并非该公司的尖端半导体产品。除南京外,台积电在上海亦设有一座晶圆制造工厂。据其 2024年度报告披露,南京厂区贡献的营收约占公司总营收的 2.4%。
2026-01-04 16:12 阅读量:333
台积电官宣:2nm量产!
  据台积电官网,台积电2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用第一代纳米片(Nanosheet)晶体管技术,提供全制程节点的效能及功耗进步。台积公司并发展低阻值重置导线层与超高效能金属层间电容以持续进行2纳米制程技术效能提升。  台积电表示,N2技术将成为业界在密度和能源效率上最为先进的半导体技术。N2技术采用领先的纳米片晶体管结构,将提供全制程节点的效能及功耗的进步,以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略,进一步扩大台积公司的技术领先优势。  从性能提升维度来看,相较于前代N3E工艺,N2工艺针对逻辑电路、模拟电路与静态随机存取存储器(SRAM)混合设计的芯片,实现了三大核心突破:同等功耗下性能提升10%—15%、同等性能下功耗降低25%—30%、晶体管密度提升15%。而针对纯逻辑电路设计的芯片,其晶体管密度较N3E工艺的提升幅度更是高达20%。  *注:台积电公布的芯片密度数据,基于“50%逻辑电路+30%静态随机存取存储器+20%模拟电路”的混合设计方案测算。  **注:性能提升为同等运行速度下的对比数据。  ***注:功耗降低为同等性能输出下的对比数据。  值得关注的是,N2工艺是台积电首款采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的制程技术。这种晶体管结构中,栅极完全包裹由多层水平纳米片构成的导电沟道,不仅优化了静电控制效果、降低了漏电率,还能在不牺牲性能与能效的前提下缩小晶体管体积,最终实现晶体管密度的大幅提升。  此外,N2工艺还在供电网络中集成了超高性能金属-绝缘体-金属电容器(SHPMIM),其电容密度达到上一代SHDMIM方案的两倍以上,同时将薄层电阻(Rs)与通孔电阻(Rc)均降低50%,有效提升了芯片的供电稳定性、运行性能与综合能效。
2025-12-30 16:43 阅读量:360
突发!美国撤销台积电南京厂授权!
  当地时间9月2日,据彭博社报道,美国商务部工业与安全局(BIS)已撤销台积电南京厂的“经验证最终用户”(VEU)授权,意味着该厂未来将无法再“自由运送”受美方出口管制覆盖的关键设备与物资。  台积电在声明中表示:“我们已收到美国政府通知,台积电南京厂的VEU授权将自2025年12月31日起正式撤销。我们正在评估情况并采取适当措施,包括与美国政府沟通,但我们仍将全力确保南京厂的持续运作不受影响。”。  VEU授权被撤后,台积电向南京厂供货的上游供应商需就受控货品逐单申请美国许可证,原先的一揽子许可被改为个案审批,带来审批周期与排队不确定性。彭博社称美国主管部门正寻求降低行政负担,但既有许可积压较多,短期难以消除“时间成本”与运营波动。美国商务部工业与安全局(BIS)对此未立即置评。  从经营权重看,台积电在中国大陆的制造占比相对有限;南京厂2018年投产,去年仅贡献台积电总营收的一小部分,最先进量产制程为16nm(属较早商用世代)。即便如此,该厂维持正常运行仍需持续进口设备、备件与化学品,任何许可延宕都会传导至维护、良率与产能保障。  当地时间8月29日,美国商务部工业与安全局(BIS)发布最终规则,宣布撤销三家在华半导体企业的VEU授权。这三家公司分别是英特尔半导体(大连)有限公司、三星中国半导体有限公司,以及SK海力士半导体(中国)有限公司。根据规则,相关变更将在公告发布120天后生效。BIS估计每年新增约1000份许可审批工作量。  与此不同的是,台积电的VEU授权从未在《联邦公报》上公开发布,因此BIS无需像对待其他公司那样进行修订。但总体效果是相同的:一旦VEU撤销生效,向台积电、三星及SK海力士在华工厂供货的厂商都必须主动向美方申请出口许可证,涉及范围涵盖先进制造设备、备件乃至生产过程中消耗的化学品。  撤销VEU授权,本质上就是把原本“一次性放行”的模式,改成了“逐单审批”。过去台积电南京厂能较为顺畅地进口设备和耗材,如今则需要一项一项申请许可证。这意味着备件更换、设备维修或化学品补给的过程都可能被拖慢,厂区运营面临新的不确定性,哪怕生产节点并非最新最先进。  从政策角度看,美国意在通过更严的流程来收紧供应,而不是立刻切断供给。这样一来,美方可以保持对供应链的“节奏控制”:需要时放行,必要时收紧。对台积电南京厂而言,挑战在于如何减少这些不确定性对生产的冲击——比如提前备货、增加替代物料、优化申请节奏、与供应商和美方保持紧密沟通。换句话说,这不是“能不能生产”的问题,而是“生产过程还能不能像以前一样稳定高效”的问题。
2025-09-03 13:48 阅读量:989
台积电1.4nm提前启动!
  8月29日消息,据台媒《经济日报》报道,台积电中科1.4nm先进制程晶圆厂已经准备建设。  中科管理局27日表示,二期园区扩建水保相关公共工程将赶在9月底前完成,供应链传出,台积电中科新厂预计10月动工,初估总投资金额将达新台币1.2万亿至1.5万亿元(约392亿至490亿美元)  目前已知,包括营造、水泥、厂务工程等相关厂商都已陆续接获通知,台积电中科先进制程建厂工程将在近日招标,随后发包动工,相关作业正如火如荼展开。  环境部昨日召开环评大会,审查通过新竹科学园区宝山二期环境影响差异分析报告,此案攸关台积电2nm厂,主因再生水建设不如预期,台积电须调整使用再生水期程。  竹科与台积电承诺会加强购买海水淡化厂生产的水、不影响新竹地区民生用水,同时竹科也会跨部会协商推动其他再生水,且每两年滚动检讨除生活用水,仍会达到100%使用再生水的终极目标,最终顺利通过环评大会。  台积电先前在技术论坛释出生产据点规划时,1.4纳米制程主要生产据点,即为原兴农球场的台中F25厂,拟规划设立四座厂房,首座厂预计赶在2027年底前完成风险性试产,2028年下半年正式量产,新厂初估营业额可望超过5,000亿元(1169亿人民币)。  供应链进一步指出,中科厂2028年量产的应该是第一期二座1.4纳米制程厂房,后续第二期二座厂,不排除将推进至A10(1纳米)制程。另一方面,台积电在1.4纳米制程推进获得重大突破,稍早已通知供应商备妥1.4纳米所需设备,预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。  另一方面,台积电在1.4nm制程推进获得重大突破,稍早已通知供应商备妥1.4nm所需设备,预定今年先进新竹宝山第二厂装设试产线。  据了解,台积电原订采用2nm制程的宝山晶圆20厂,其中二厂将改为1.4nm制程与研发线,三厂为1nm制程与研发线、四厂不排除为0.7nm制程与研发线。而中科初步规划四座厂房,第一期两座厂为1.4nm制程,第二期二座厂不排除为1nm制程。  此外,南科管理局目前正筹备开发台南沙仑园区,预计2027年第3季交地给厂商建厂,届时将争取台积电进驻园区投资建厂。据了解,台积电已规划在此投资兴建1nm先进制程基地,以目前土地面积达500公顷来看,初估可兴建10座晶圆厂。  英特尔稍早透露,可能下一代A14(1.4nm)制程将与客户合作,专为代工研发,若届时仍无客户,将可能会放弃继续开发尖端制程代工工艺。三星则将1.4nm制程量产时间,从2027年延后至2029年,专注在提高2nm良率。业界分析,此举将促成台积电加速1.4nm制程布局,以确保市场独占性。
2025-08-29 13:43 阅读量:643
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码