电子元器件基础知识大全电子元器件采购基本知识-Ameya360电子元器件采购网

捷捷微电可控<span style='color:red'>硅</span>BTA16-600CW助力徕芬高速电吹风SE 02

行业新闻

捷捷微电可控硅BTA16-600CW助力徕芬高速电吹风SE 02

　　捷捷微电其核心产品 BTA16-600CW双向可控硅成功应用于徕芬新一代高速电吹风SE 02，成为该产品功率控制模块的关键组件。　　该可控硅额定参数为16A/600V，采用TO-220封装，具备高耐压、强散热及抗浪涌能力(I²t≥120A²s)，适配高功率家电场景。在徕芬实验室测试中，器件连续满负荷运行超1000小时无异常，可靠性通过严苛验证。　　徕芬SE 02吹风筒以“10万转高速电机”为核心卖点，对电路稳定性要求极高。此次与徕芬的合作体现了国产功率器件在智能家电领域的成熟应用，未来，我们将持续拓展消费电子与工业控制市场，以创新驱动行业升级，为全球用户带来更安全、更高效的智慧能源解决方案!

关键词：

捷捷微电

发布时间：2025-05-14 09:34 阅读量：246 继续阅读>>

森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管KS10065(650V/10A)

行业新闻

森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)

　　深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装，充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。　　森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值，在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式，助力客户在不同场景中的高效应用。　　KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管，以下是典型应用电路：　　无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可明显提高效率。　　单向PFC: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　交错并联PFC: D5, D6，可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC ：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。　　名词释义　　TMPS：是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写，中文翻译为：减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管，森国科将该系列产品注册商标为：Thinned MPS®　　PFC：英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。　　维也纳整流桥：Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器，可以接收三相交流电源，也是功率因数修正电路，是Johann W. Kolar在1990年发明。

关键词：

森国科

发布时间：2025-05-12 14:27 阅读量：206 继续阅读>>

半导体芯片中，什么是多晶<span style='color:red'>硅</span>耗尽效应？

行业新闻

半导体芯片中，什么是多晶硅耗尽效应？

　　1. 引言：多晶硅栅极的重要性及耗尽效应的问题　　在现代集成电路制造领域，多晶硅栅极是场效应晶体管(FET)的核心组件，其性能直接决定着晶体管的开关特性与集成电路的整体功能。凭借良好的电学性能、与现有硅基工艺的高兼容性，多晶硅栅极长期以来成为集成电路制造的首选材料，在推动晶体管尺寸不断缩小、性能持续提升方面发挥了关键作用。　　然而，随着集成电路制造工艺向纳米级不断迈进，多晶硅栅极耗尽效应逐渐成为制约器件性能提升的关键瓶颈。该效应不仅影响晶体管的开关速度与驱动能力，还会导致电路功耗增加、可靠性下降，严重阻碍了集成电路产业的进一步发展。　　2. 耗尽效应的物理机制　　多晶硅栅极耗尽效应的产生源于栅极与硅衬底间的电荷分布变化。当栅极施加电压时，会在电介质与沟道界面吸引少数载流子，形成反型载流子分布。为维持电中性，电介质与多晶硅界面附近会出现载流子积累，进而耗尽附近半导体的电荷。当半导体电荷完全耗尽时，该区域呈现绝缘特性，等效增大了栅介质的有效厚度。尽管耗尽层厚度极薄，仅相当于几个埃的二氧化硅厚度(NMOS 约 2 - 4 埃，PMOS 约 3 - 6 埃)，但在栅介质厚度不断缩减的纳米级工艺中，其对器件性能的影响变得不容忽视。此外，栅介质厚度变薄时，相同栅极电压下内建电场增强，促使更多载流子积累，进一步加剧耗尽效应。　　3. 耗尽效应对器件性能的影响　　耗尽效应会显著降低器件的电学性能。由于耗尽层的存在，栅极对沟道的控制能力减弱，导致晶体管的阈值电压漂移、亚阈值摆幅增大，影响器件的开关速度与信号传输能力。同时，耗尽效应还会增加栅极电容，导致充放电时间延长，进一步降低电路的工作频率。此外，耗尽效应引起的电荷分布不均会使器件的漏电流增大，不仅增加了电路的静态功耗，还会产生额外的热量，影响集成电路的稳定性与可靠性。　　4. 传统解决方法的局限(如掺杂浓度)　　提高多晶硅栅极的掺杂浓度曾是缓解耗尽效应的常用方法。通过增加自由载流子浓度，可减少耗尽现象的发生。然而，随着工艺节点的不断缩小，如28纳米以下，这一方法逐渐面临诸多限制。一方面，栅极掺杂浓度已接近饱和状态，难以进一步提升;另一方面，高浓度掺杂会引发严重的工艺问题。以 PMOS 为例，高浓度的硼掺杂极易穿透栅介质，破坏器件结构，影响器件性能与可靠性。目前，NMOS 掺杂浓度需控制在 10²⁰ cm⁻³ 以下，PMOS 掺杂浓度需控制在 10¹⁹ cm⁻³ 以下，这使得通过提高掺杂浓度解决耗尽效应的途径愈发困难。　　5. 金属栅极的引入及其优势　　鉴于传统方法的局限性，金属栅极在 28nm 节点及以下工艺中逐步得到应用，如HKMG工艺28纳米以下先进制程为何离不开HKMG。金属具有极高的自由载流子浓度，从根本上避免了耗尽效应的产生。采用金属栅极后，晶体管的阈值电压稳定性显著提高，亚阈值摆幅减小，开关速度与驱动能力大幅提升。同时，金属栅极还能有效降低栅极电阻与电容，减少信号传输延迟，提高电路的工作频率。此外，金属栅极与高K电介质的结合使用，进一步优化了器件的电学性能，降低了功耗，为集成电路的持续发展提供了有力支撑。　　6. 结论与未来展望　　多晶硅栅极耗尽效应是集成电路纳米级工艺发展过程中面临的重要挑战，传统解决方法的局限性促使金属栅极成为主流解决方案。金属栅极的引入有效克服了耗尽效应的影响，推动了集成电路性能的大幅提升。然而，随着集成电路向更小尺寸、更高性能方向发展，新的挑战依然存在。未来，需要进一步探索新型栅极材料与工艺技术，优化器件结构设计，以满足不断增长的高性能、低功耗需求，持续推动集成电路产业的创新与发展。

关键词：

多晶硅耗尽效应

发布时间：2025-05-07 09:48 阅读量：236 继续阅读>>

硅二极管系列产品" alt="森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品">

行业新闻

森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

关键词：

森国科

发布时间：2025-05-07 09:09 阅读量：229 继续阅读>>

佑风微：SiC Schottky Diode碳化<span style='color:red'>硅</span>肖特基二极管应用及产品选型

行业新闻

佑风微：SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管应用及产品选型

　　广东佑风微电子有限公司推出多款650V 1200V 1700V SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管。产品广泛应用于光伏逆变器，开关模式电源，电池充电器，电动驱动，不间断电源等产品上。

关键词：

佑风微

发布时间：2025-03-27 16:46 阅读量：319 继续阅读>>

英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化<span style='color:red'>硅</span>SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

行业新闻

英飞凌：采用电平位移驱动器和碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板

　　电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。　　为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正(PFC)电路。PFC通过同步输入电流和电压波形来确保高功率因数。通过使用PFC，电源系统可以减少失真，保持稳定高效的供电。　　英飞凌新品EVAL-1EDSIC-PFC-5KW是用于5kW交错图腾柱PFC(功率因数校正)的完整系统解决方案。图腾柱PFC电路采用EiceDRIVER™ 1ED21271S65F和CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H。　　测试结果显示，在230 VAC半负载条件下，功率达98.7%。　　产品型号：　　■ EVAL-1EDSIC-PFC-5KW　　所用器件：　　■ EiceDRIVER™ 1ED21271S65F驱动CoolSiC™ MOSFET　　■ CoolSiC™ MOSFET IMBG65R022M1H　　■ EiceDRIVER™ 2ED2182S06F驱动CoolMOS™　　■ CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 600V IPQC60R010S7　　■ Controller:XMC™ 4200 Arm® Cortex®-M4　　■ 辅助电源：ICE2QR2280G　　产品特点　　采用CoolSiC™和CoolMOS™的交错图腾柱设计，由电平位移驱动器驱动1ED21271驱动　　高压侧电源开关的硬件击穿保护　　CCM图腾柱PFC　　提高性能和稳健性　　应用价值　　半负载时效率高达97.8%　　输入电压范围：100-240伏　　固定400V输出直流电压　　峰值电流限制50A　　竞争优势　　高压侧驱动器集成保护　　高速直通保护　　创新的PFC级设计　　框图　　应用领域　　暖通空调(HVAC)　　家用电器　　功率变换系统　　通用驱动器

关键词：

英飞凌

发布时间：2025-03-21 09:17 阅读量：426 继续阅读>>

埃肯有机<span style='color:red'>硅</span>ELKEM斩获2025首个创新奖项

行业新闻

埃肯有机硅ELKEM斩获2025首个创新奖项

　　在新能源汽车高强度运转的复杂工况下，高压连接器必须具备出色的耐热稳定性和持久的防水性能，才能确保车辆在各种恶劣环境中安全运行。然而，许多连接器在长期老化测试中失败，往往是因为密封圈失效导致密封性能下降。这一问题在行业内曾长期困扰着众多企业，成为亟待解决的痛点。　　新能源汽车高压连接器对长期防水密封提出了更高的要求，埃肯有机硅ELKEM的液体硅橡胶BLUESIL™ LSR 3935系列针对行业存在的痛点研发，为新能源汽车高压连接器提供长期防水的有机硅解决方案。这个系列产品，覆盖从硬度从ShA20到ShA60，可以满足客户对设计和装配的各种要求。作为一款创新液体硅橡胶产品，直面行业难题，即使在高温老化的情况下，也能全力保障新能源汽车中高压连接器的密封性能，为智能出行进一步升级做出贡献，并成功获得获得2025年塑料行业荣格技术创新奖。　　三大优势，能够保证长期防水效果：　　满足表面自润滑　　提供长期很低的压缩变形能力　　杰出的耐热稳定性

关键词：

ELKEM

发布时间：2025-03-20 13:49 阅读量：467 继续阅读>>

安森美推出基于碳化<span style='color:red'>硅</span>的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

行业新闻

安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本

　　安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM 31智能功率模块(IPM)系列。　　与使用第7代场截止(FS7)IGBT技术相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超紧凑的封装尺寸中提供超高的能效和功率密度，从而实现比市场上其他领先解决方案更低的整体系统成本。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，非常适用于三相变频驱动应用，如AI数据中心、热泵、商用暖通空调(HVAC)系统、伺服电机、机器人、变频驱动器(VFD)以及工业泵和风机等应用中的电子换向(EC)风机。　　EliteSiC SPM 31 IPM 与安森美IGBT SPM 31 IPM 产品组合(涵盖15A至35A的低电流)形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流。安森美目前以紧凑的封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案。　　随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设增加了能源需求，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。　　随着数据中心的数量和规模不断增长，预计对EC风机的需求也将随之增加。这些冷却风机可为数据中心的所有设备维持理想的运行环境，对于准确、无误的数据传送至关重要。SiC IPM可确保EC风机以更高能效可靠运行。　　与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC风机需要比现有较大的IGBT解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。例如，与使用当前IGBT功率集成模块(PIM)的系统解决方案相比，在70%负载时的功率损耗为500W，而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM 可使每个EC风机的年能耗和成本降低52%。　　全集成的EliteSiC SPM 31 IPM 包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路(LVIC)、六个EliteSiC MOSFET 和一个温度传感器(电压温度传感器(VTS)或热敏电阻)。该模块基于业界领先的 M3 SiC 技术，缩小了裸片尺寸，并利用SPM 31封装提高短路耐受时间(SCWT)，从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。MOSFET采用三相桥式结构，下桥臂采用独立源极连接，充分提高了选择控制算法的灵活性。　　此外，EliteSiC SPM 31 IPM 还包括以下优势：　　▷低损耗、额定抗短路能力的 M3 EliteSiC MOSFET，可防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。　　▷内置欠压保护(UVP)，防止电压过低时损坏设备。　　▷作为 FS7 IGBT SPM 31 的对等产品，客户可以在使用相同 PCB 板的同时选择不同的额定电流。　　▷获得UL认证，符合国家和国际安全标准　　▷单接地电源可提供更好的安全性、设备保护和降噪。　　▷简化设计并缩小客户电路板尺寸，这得益于　　栅极驱动器控制和保护　　内置自举二极管(BSD)和自举电阻(BSR)　　为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管　　集成温度传感器(由LVIC和/或热敏电阻输出VTS)　　内置高速高压集成电路

关键词：

安森美

发布时间：2025-03-18 15:15 阅读量：401 继续阅读>>

一文了解<span style='color:red'>硅</span>光通信铌酸锂光器件技术

行业新闻

一文了解硅光通信铌酸锂光器件技术

　　一、集成电路发展　　1947年,贝尔实验室成功制备出了第一支晶体管,克服了电子管体积大､功耗高和结构脆弱的缺点,揭开了集成电路(Integrated circuit , IC)的序幕｡　　几十年以来,其按照摩尔定律预测的那样发展着,即半导体芯片的集成度每18个月增长一倍,而价格却降低一半｡　　然而,随着器件的加工线宽发展到纳米量级和集成度的不断提高,集成电路面临制备工艺达到极限和发热量持续增加的问题,亟需新的解决方案｡　　与电子集成将晶体管､电容器和电阻器等电子器件集成类似,光子集成(Photonic integrated circuit, PIC)是将各种光子器件集成在一起,如:电光调制器､激光器､光放大器､光电探测器和光复用/解复用器等｡　　二、光子集成技术的出现　　PIC的概念从20世纪60年代后期开始提出, 20世纪70年代后期开始从实验室走入实际应用｡　　集成光子器件主要由微米或纳米量级宽度的光波导构成｡　　将多个光子器件集成在同一块衬底上, 充分利用电光效应､热光效应和磁光效应等对光进行调制, 具有小型化､低成本､调制效率高､功率密度高和低功耗的优点｡　　到目前为止, 各种制备工艺的进步(如: 溅射技术､化学气相沉积技术､刻蚀技术和光刻技术) 为光子器件精细的结构制备提供了技术支持｡光子集成技术正在快速发展, 一些新的应用也会随工艺的改进而显现出来, 促进社会的进步和发展｡　　硅是应用最广泛的半导体材料, 带隙为1.12eV, 属于间接带隙半导体｡硅的导电性会因温度､掺杂浓度和光辐照强度变化而显著变化, 广泛应用于集成电路｡　　绝缘体上硅(Siliconon insulator ,SOI)技术, 即使用一薄的绝缘层将硅薄膜和硅衬底隔离开,给电子集成器件带来许多的好处，pn结的面积减小, 因而寄生电容和结的漏电电流减小, 使器件工作速度高､功率低; 容易实现理想的浅结, 使得短沟效应得到改善, 使得芯片面积减小; 可以简化器件工艺,提高器件良率, 降低生产成本; 衬底仍然为硅, 为微电子或纳电子芯片提供所需的优质衬底｡　　同时, 硅基光子集成可以与电子芯片的互补金属氧化物半导体( Compementary meta oxide-semi conductor , CMOS) 制备工艺兼容, 可以充分利用电子集成芯片成熟的加工工艺, 实现较低的生产成本和批量生产｡　　在Si 中进行掺杂, 利用载流子色散效应来实现电光调制, 可以在SOI上实现电光调制器｡主要有三类调制机制: 载流子注入､载流子积累和载流子耗尽, 如图所示｡　　其中, 载流子耗尽可以获得最高的调制速度｡但是, 自由载流子色散本质上是吸收的和非线性的, 这降低了光调制幅度, 并且在使用先进的调制格式时可能导致信号失真｡　　三、铌酸锂光子集成技术　　铌酸锂(LN) 晶体具有卓越的电光､声光､非线性光学､光折变､压电､铁电､光弹和热释电等效应, 且机械性能稳定和具有宽的透明窗(0.3-5μm),在集成光学中有广泛的应用｡　　基于铌酸锂晶体上传统的光波导制备方法制备的光波导, 如: 离子注入､质子交换和钛扩散法,具有小的折射率差, 大的波导弯曲半径导致器件尺寸大, 限制了其在集成光学中的应用｡　　铌酸锂薄膜( LNOI) 具有较大的折射率对比度, 这可以使波导具有仅数十微米的弯曲半径和亚微米量级的波导截面, 允许高密度的光子集成和强的光限制来增强光与物质相互作用｡　　LNOI 可以通过脉冲激光沉积、容胶凝胶法､射频磁控溅射和化学气相沉积法等方法制备, 但这些方法获得的LNOI呈现出多晶结构的性质, 造成光传输损耗明显增加｡其次, 薄膜的物理性质和指标与单晶LN也存在明显的差距, 这无疑会对光子器件的性能产生不良影响｡　　1998年, M.Levy 等人采用离子注入和横向刻蚀相结合的方法制备了单晶LN薄膜。目前, 随着制备技术的不断提高, 高质量､大尺寸的LNOI 晶圆已经商业化, 促进了LN集成光子学的发展, LN薄膜厚度可以为300-900nm, 晶圆尺寸可达8英寸｡　　LNOI的制备是使用离子注入､直接键合和热退火等一系列过程, 从LN体材料中物理剥离LN薄膜并将其转移到衬底上同时, 研磨和抛光的方法也可以产生高质量的 LNOI｡该方法避免了离子注入过程对 LN 晶体晶格的损伤, 对晶体质量影响较小, 但对薄膜厚度均匀性控制要求严格｡　　LNOI不仅保留了LN体材料的电光､声光和非线性光学等物理性质, 而且具有单晶结构, 有利于实现低的光传输损耗｡　　光波导是集成光子学的基本器件之一 , 光波导的制备方法有多种｡　　LNOI上的光波导可以采用传统的光波导制备方法制备, 如质子交换｡ LN化学惰性强, 为避免LN的刻蚀, 可以在LNOI上沉积容易刻蚀的材料来制备加载条波导,加载条材料有: TiO2､SiO2､ SiNx､ Ta2O5､硫属化合物玻璃和Si等｡　　利用化学机械抛光方法制备的LNOI 光波导实现了传播损耗0. 027dB/cm, 但是其较浅的波导侧壁使小弯曲半径波导的实现比较困难｡　　利用等离子刻蚀的方法制备的LNOI 波导实现了0.027dB/cm的传输损耗, 这是一个里程碑式的进步, 意味着可以实现大规模的光子集成和单光子级处理｡　　除了光波导, 许多高性能的光子器件也在LNOI 上制备了, 如: 微环/微盘谐振器､端面和光栅耦合器以及光子晶体等｡此外, 诸多功能光子器件也得以实现｡利用LN晶体卓越的电光和非线性光学效应, 在LNOI 上实现了高带宽光电调制､高效率的非线性转换和电光可控光频梳产生等多种光子功能器件｡　　LN还具有声光效应, 在LNOI 上制备的声光M-Z调制器, 利用悬浮铌酸锂薄膜上的光力学相互作用, 将频率4.5GHz的微波转换为了1500nm波长的光, 实现了微波光信号的高效转换｡　　在蓝宝石衬底的LN薄膜上制备的声光调制器, 因为蓝宝石具有高的声速, 可以避免器件的悬浮结构,同时减小了声波能量的泄露｡　　在LNOI上制备的集成声光移频器, 其移频效率髙于氮化铝薄膜上的声光移频器｡激光器和放大器在稀土掺杂的LNOI上已经取得了重大进展｡　　然而, LNOI的稀土掺杂区域对通讯光波段有明显的光吸收, 限制了其大规模光子集成｡在LNOI 上探索局部稀土掺杂将是解决这一问题的好方法｡在LNOI 上沉积非晶硅可以制备光电探测器, 制备的金属半导体，金属光电探测器在波长635-850nm的响应度为22-37mA/ W｡　　同时, 将III-V族半导体激光器和探测器异质集成到LNOI上, 也是在LNOI上实现激光器和探测器的好方案, 但是制备工艺复杂,成本高, 需要完善工艺降低成本, 提高成功几率｡ LNOI上的各种集成光子器件如下图所示：　　四、硅和铌酸锂复合薄膜技术　　Si是广泛应用的半导体材料, 具有重要的电子学和微加工优势｡　　SOI 给电子集成器件带来了诸多好处, 广泛应用于集成电路｡同时, SOI还具有如下优点: Si 和SiO2之间具有大的折射率差,使其具有很强的限光能力和小的波导弯曲半径; 在1200nm以上波段具有低的光吸收; 基于SOI的光子器件可以用CMOS工艺制备｡这使其在集成光学中也成为一种极具吸引力的材料平台｡但是, Si是中心对称晶体,缺乏电光､声光和非线性光学等效应, 阻碍了其在集成光学中的发展｡　　如果将Si薄膜和LN薄膜结合在一起，就可以实现材料性能互补和充分利用。　　LNOI保留了LN 体材料卓越的电光､声光和非线性光学等效应, 同时具有大的折射率对比度, 被认为是一种极具潜力的集成光学材料平台｡

关键词：

硅光通信

发布时间：2025-03-10 14:26 阅读量：338 继续阅读>>

安森美将收购碳化<span style='color:red'>硅</span>JFET技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合

行业新闻

安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合

　　安森美(onsemi，纳斯达克股票代码：ON)宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。　　SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势，SiC JFET的采用能够加快开发速度，减少能耗并降低系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。　　“随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。”安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，“随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入，我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗，并提高功率密度的选择。”　　该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。

关键词：

安森美

发布时间：2024-12-13 10:29 阅读量：709 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

PART	数量*	目标价格
	数量最小起订量: 1	目标价格 $ 如不确定，可不填
备注

联系电话 *	姓名
公司
邮箱地址