无线充电 触手可及 | <span style='color:red'>捷捷微电</span>子打造便捷智能生活!
  随着科技的不断进步,无线充电技术已经成为现代生活中不可或缺的一部分。从智能手机到电动汽车,无线充电的应用场景越来越广泛。高效、紧凑的功率器件成为了市场的迫切需求。今天捷捷微电将深入探讨几款在无线充电领域表现出色的产品:MOSFET、JSFET和ESD静电防护器件,以及它们的技术优势和应用场景。  无线充电的核心元器件—JSFET  JSFET( Junction Field-Effect Transistor)是一种场效应晶体管,广泛应用于无线充电器中。它通过控制电流的流动来实现高效的能量传输。  JSFET在无线充电器中的优势  先进SGT工艺提供更优RDS(ON)及EAS  JSFET采用了先进的SGT(Shielded Gate Trench)工艺,这种工艺不仅提供了更优的RDS(ON)(导通电阻),还显著提升了EAS(单脉冲雪崩能量)。这意味着在相同的电压和电流条件下,JSFET能够减少能量损耗,提高充电效率。  成熟工艺带来的高可靠性  JSFET的生产工艺已经非常成熟,确保了产品的高可靠性。无论是在高温还是高湿环境下,JSFET都能稳定工作,延长了无线充电器的使用寿命。  双芯片封装,节省PCB尺寸及成本  JSFET采用双芯片封装技术,不仅节省了PCB(印刷电路板)的尺寸,还降低了生产成本。这对于追求轻薄设计的现代电子设备来说,无疑是一个巨大的优势。  无线充电器的工作原理  无线充电器的核心部件包括Gate Driver(栅极驱动器)、SBD(肖特基势垒二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和Feed Coil(馈电线圈)。这些部件协同工作,确保电能能够高效地从充电器传输到设备。  Gate Driver:控制MOSFET的开关,确保电流的精确控制。  SBD:用于防止电流反向流动,保护电路。  MOSFET:作为开关元件,控制电流的通断。  Feed Coil:通过电磁感应将电能传输到接收设备。  无线充电的核心元器件—MOSFET  MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在无线充电技术中扮演着至关重要的角色。无线充电系统通常包括发射端(充电器)和接收端(设备),而 MOSFET 在这两个部分中都有广泛应用。  MOSFET-JMSL0315ARD 在无线充电中的应用  高效功率转换与能量传输  发射端与接收端:在无线充电系统中,MOSFET 用于发射端的高频逆变器电路,将直流电转换为交流电,并通过接收端的整流电路将交流电转换回直流电。高效的 MOSFET 能够显著减少能量损耗,提高充电效率。  低导通阻抗与快速开关:低导通阻抗(如 JMSL0315ARD 的 6.5mΩ)和快速开关特性(低 Ciss 和 Qg)是实现高效能量传输的关键,减少导通和开关损耗,提升系统整体性能。  热管理与系统可靠性  宽结温范围:MOSFET 的宽结温范围(如 -55°C 至 150°C)确保在各种环境条件下稳定工作,增强系统的可靠性。  散热与封装设计:小型化封装(如 DFN3030-8L)不仅节省空间,还优化散热性能,减少热阻,提高散热效率,确保系统长时间稳定运行。  系统集成与性能优化  紧凑型设计:MOSFET 的小型化封装和双芯半桥方案(如 JMSL0315ARD)简化电路设计,减少元件数量,满足现代无线充电设备的小型化和便携化需求。  低损耗与兼容性:通过优化 MOSFET 的电气参数(低 Rdson、低 Ciss 和低 Qg),降低导通和开关损耗,提高效率。同时,确保与市场上其他产品的兼容性,便于设计中的互换性和性能一致性。  JMSL0315ARD 凭借其紧凑型设计、优异的电气性能和可控的封装技术,成为无线充电应用中高性能 MOSFET 的理想选择。  无线充电的核心元器件—ESD静电防护器件  在无线充电场景中,Type-C接口常用于充电和数据传输的双重功能。无线充电系统通常需要高效的功率管理和稳定的数据传输,而Type-C接口的高集成度和快速充电能力使其成为理想选择。然而,无线充电设备在使用过程中频繁插拔Type-C接口,增加了静电放电的风险。因此,在设计无线充电设备时,必须充分考虑ESD保护措施,以确保Type-C接口在高速数据传输和高功率充电中的稳定性和耐用性。捷捷微电ESD静电防护器件通过优化电路设计和采用先进的ESD防护技术,可以有效提升Type-C接口在无线充电应用中的可靠性和用户体验。  ESD静电防护器件在无线充电中的典型特性  采用标准表面贴装式DFN2510封装  快速的响应时间  出色的箝位能力  漏电流小  不含卤素且符合RoHS及Reach测试标准  产品电容低至0.3pF以下,满足对Type-C的高速传输要求  ESD防护器件、JSFET和MOSFET在无线充电器中的应用,不仅显著提升了充电效率,还大幅增强了设备的可靠性和耐用性。ESD防护器件有效防止静电放电对敏感电路的损害,确保设备在频繁插拔和复杂环境下的稳定运行。JSFET和MOSFET则通过其低导通阻抗和快速开关特性,优化了功率转换效率,减少了能量损耗,从而提高了无线充电的整体性能。
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发布时间:2025-03-12 15:25 阅读量:255 继续阅读>>
<span style='color:red'>捷捷微电</span>器件在高速吹风机中的关键技术应用
  在追求高效生活与精致护理的当下,高速吹风机凭借其卓越性能,迅速成为众多消费者的心头好。你可曾想过,在这小小吹风机高效运行、呵护秀发的背后,有着怎样的关键力量?今天,AMEYA360就带大家深入探寻,那些藏在高速吹风机里的幕后英雄 —— 防护器件、MOSFET、可控硅与光耦器件。  高速吹风机的革新,从 “芯” 开始  传统吹风机受限于 2 万转左右的转速,干发效率低,依赖高温烘干易损伤发质,且运行噪音大。而高速吹风机将转速提升至 10 万转上下,配合独特风道设计,实现了高效气流输送,大幅缩短干发时间,同时利用智能温控技术,避免高温伤发,且优化了结构设计,降低了运行噪音。两种方案的整体功能基本相同,差别只在于电源控制部分。  精密协作,成就高速吹风机的卓越性能  高速吹风机采用 220V 交流供电,其电路系统中的防护器件、MOSFET、可控硅与光耦器件紧密协作,保障吹风机稳定运行。  电流首先进入电路,经整流桥整流,将交流电转换为直流电传输到电机控制端。在这个过程中,防护器件、二极管和压敏电阻发挥基础作用,防护器件负责过压、过流等异常情况的防护,二极管保障电流单向流通,压敏电阻则在电压异常时迅速改变自身电阻,起到保护电路的作用。MOSFET 主要应用于电机驱动电路,利用 PWM(脉冲宽度调制)技术,通过调节 PWM 占空比,实现对电机不同相位的导通控制,从而精确调节电机的转速和输出功率,满足低速档轻柔风、高速档强劲风的不同需求。而可控硅与光耦器件的配合,则主要用于温度和档位控制。光耦器件即光电耦合器,以光信号为媒介,实现输入与输出间的电气隔离,增强电路抗干扰能力。通过光耦驱动可控硅,可精确调节可控硅的导通角,进而实现对吹风机温度的精准调节,无论是 30℃ - 50℃的低温护发档,还是 70℃ - 90℃的快速干发高温档,都能稳定切换。同时,二者配合还实现了吹风机不同风速档位的稳定切换,利用高精度温度传感器和光耦反馈机制,实时监测并调整发热温度,保障使用过程的安全性和稳定性。  携手大牌,见证品质实力  在高速吹风机领域,松下、徕芬、添可、追觅、等品牌成绩亮眼。从选材到生产、检测,他们品控严苛。而捷捷微电的防护器件、二极管、压敏电阻、MOSFET、可控硅与光耦器件,能成为这些品牌产品的关键元件,是其对捷捷微电产品性能与品质的高度认可。  捷捷微电的防护器件、MOSFET、可控硅与光耦器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻特性,能够有效降低电能损耗,提升能源利用效率;拥有高耐压能力,可在高压环境下稳定工作,保障电路安全;还具备快速响应速度,能对电路变化迅速做出反应,实现精准控制。  在设计研发过程中,捷捷微电充分考虑了高速吹风机复杂的工作环境和严格的性能要求,通过优化电路设计和散热结构,确保产品在长时间、高负荷运行下的稳定性和可靠性。
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发布时间:2025-02-19 14:26 阅读量:462 继续阅读>>
<span style='color:red'>捷捷微电</span>:JMSL06系列MOSFETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器
<span style='color:red'>捷捷微电</span>汽车电机产品推荐
  汽车应用从有刷电机到无刷电机,车用照明大量使用 LED 照明的转变,汽车也越来越电动化,智能化,催生极大功率器件的需求。捷捷微电 顺应这一趋势,车规级产品持续聚焦在汽车三电(电池,电源及电机),车身照明及智能出行 (ADAS, Telematics and Infotainment systems, etc.) 等应用。  车规级 MOSFET 产品布局先进封装的基础上,尽量降低导通内阻的同时,能额外降低器件结电容效应,减少 Qg,进而提供较高的工作效率,减少发热,提供兼容市面主流应用先进封装架构的高可靠性车规级产品。  捷捷微电 车规级产品 (MOSFET, TVS) 可广泛应用在汽车助力转向,油泵,水泵,以及电动车窗,尾门,座椅,天窗等。  车规级 MOSFET 产品在尽量降低导通内阻的同时,能额外降低器件结电容效应,减少 Qg,进而提供较高的工作效率,减少发热,并且提供兼容市面主流应用先进封装架构,如 PDFN5x6-8L, PowerJE?7x8 (sTOLL 兼容), PowerJE?10 x12 (TOLL 兼容) 常用在电机开关等应用。同时,这些产品经过严格 AEC-Q101 Rev-E 测试,具备高可靠性。  车规级瞬态抑制二极管 (TVS) 采用捷捷微电自有专利结构 DO-218 封装,用于12V 和 24V 系统中,可通过抛负载 ISO 16750-2 P5a/5b 测试,脉冲功率达到 4.6 ~ 8.0kW,具备高度一致性,强耐冲击性,实现高可靠性,为汽车电子产品安全保驾护航。  车规级MOSFET 产品推荐  车规级TVS 产品推荐
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发布时间:2023-08-01 10:25 阅读量:1184 继续阅读>>
<span style='color:red'>捷捷微电</span>车规级MOSFET芯星JMSH040SAGQ
<span style='color:red'>捷捷微电</span>荣获“2021年中国最具成长性上市公司“称号
聚焦汽车发展新机遇,<span style='color:red'>捷捷微电</span> 深化汽车电子赛道布局
  随着 5G、AI 等技术日益成熟, “新四化” 浪潮席卷汽车产业,电动化、智能化已然成为大批车企的战略发展方向。汽车应用从有刷电机到无刷电机,车用照明大量使用 LED 照明的转变,汽车也越来越电动化,智能化,催生对极大功率器件的需求。捷捷微电 顺应这一趋势,车规级产品持续聚焦在汽车三电(电池,电源及电机),车身照明及智能出行(ADAS, Telematics and Infotainment systems, etc.) 等应用。  汽车电机应用  捷捷微电车规级产品 (MOSFET, TVS) 可广泛应用在汽车助力转向,油泵,水泵,以及电动车窗,尾门,座椅,天窗等。  车规级 MOSFET 产品在尽量降低导通内阻的同时,能额外降低器件结电容效应,减少 Qg,进而提供较高的工作效率,减少发热,并且提供兼容市面主流应用先进封装架构。如 PDFN5x6-8L, PowerJE?7x8 (sTOLL 兼容), PowerJE?10 x12 (TOLL 兼容) 常用在电机开关等应用。同时,这些产品经过严格 AEC-Q101 Rev-E 测试,具备高可靠性。  车规级瞬态抑制二极管 (TVS) 采用捷捷微电自有专利结构 DO-218 封装,用于12V 和 24V 系统中,可通过抛负载 ISO 16750-2 P5a/5b 测试,脉冲功率达到 4.6 ~ 8.0kW,具备高度一致性,强耐冲击性,实现高可靠性,为汽车电子产品安全保驾护航。  汽车电源(含车灯照明)应用  捷捷微电 车规级产品 (MOSFET, TVS) 广泛应用于车灯照明及新能源汽车电源应用。  车规级 MOSFET 通过先进的工艺制程,提供优异的电气特性如 RDS(ON) 和 Qg,非常适合工作频率较高的开关电源应用。目前产品涵盖低压 40 ~ 60V、中压 100 ~ 150V、以及超结高压 650V 以上各类应用。  车规级 TVS 采用独特的 CLIP 结构,相对于传统的 A+B 结构,可以避免虚焊,减少芯片应力,提供高可靠性。在性能上实现卓越的钳位能力、漏电流小、快速的响应速度,同时满足 AEC-Q101 等级测试规范。  汽车电池管理应用  捷捷微电车规级产品 TVS 及 MOSFET 等,针对汽车电池管理应用彰显独特的优势。  车规级 MOSFET 能提供极低导通阻抗产品,最小在 0.58mΩ,以及兼容市面主流封装的先进封装架构,满足客户对大功率,高散热,低热阻的需求,如常用PDFN5x6-8L, PowerJE?7x8 (sTOLL 兼容), PowerJE?10 x12 (TOLL 兼容) 等。这些产品同时经过严格 AEC-Q101 Rev-E 测试,具备高可靠性,适合汽车恶劣工况需求。  车规级 TVS 采用独特的 CLIP 结构,相对于传统的 A+B 结构,可以避免虚焊,减少芯片应力,提供高可靠性。在 SMB 的封装尺寸上实现超过 1.0kW 脉冲功率,并具备单双向能力,性能卓越,优异的钳位能力、漏电流小、快速的响应速度,满足 AEC-Q101 等级测试规范。
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发布时间:2022-12-07 17:00 阅读量:2415 继续阅读>>
<span style='color:red'>捷捷微电</span>:功率半导体“车规级”封测产业已经开工
  随着汽车智能化及辅助驾驶 (ADAS) 的普及,激发了对电子元器件的巨大增量需求;电动化和车联网趋势,使越来越多传统机械元件被更可靠更灵敏的半导体器件取代。捷捷微电顺势而为,二十六年如一日的聚焦功率半导体,在人才建设、技术创新、生产制造和质量管理等方面积累了深厚的底蕴,在汽车产品及市场应用持续耕耘多年 ,以做好国产化替代为使命,持续为车企及Tier-1客户提供更多的产品选择和更好的服务。  这 32 款汽车等级 SGT MOSFETs,芯片的设计制造及成品的封装测试,皆在符合 IATF 16949 品质管理的工厂完成 。每个器件也通过三批次、符合 AEC-Q101 标准的长期可靠性验证。优异的关键电气参数如导通电阻 (1.3 ~ 29.0mΩ) 、栅极电荷 (6.8 ~ 88.0nC) 、FOM (55 ~ 354) 等, 性能不输欧美大厂,已广泛被汽车前装及后装市场接受並大规模出货。  为实现与先进芯片的有机匹配,保证性能与高可靠性,在 -55 ~ 175°C 温度区间内保持长期稳定工作,PDFN3x3/5x6-8L/-D 及 TO-252/263-3/7L的封装,从框架到贴芯工艺、线材、焊接工艺等, 均采用 MSL1 等级及低机械温度应力材料。所有车规级 SGT MOSFETs 皆不含卤素,且符合 RoHS 要求。  目前这两款产品已规模量产,样品可向Ameya360电子元器件采购网,均可直接在官网浏览或下载 www.ameya360.com
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发布时间:2022-09-16 11:52 阅读量:2457 继续阅读>>
<span style='color:red'>捷捷微电</span>推出60A/1600V小型化、高压、大电流双向可控硅
<span style='color:red'>捷捷微电</span>推出“新一代100V P沟道SGT MOSFET”

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