<span style='color:red'>士兰微</span>8英寸碳化硅项目披露新进展
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士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展

　　6月26日，中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目，也是厦门最大的碳化硅项目。　　项目位于福建省厦门市，总建筑面积 23.45万平方米，建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，助推厦门市第三代半导体产业加快发展。　　2024年5月，士兰微宣布拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并于2024年5月21日签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　当时消息显示，该项目拟建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。　　其中，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%;银行贷款27.9亿元，占约40%。　　第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。　　士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，他们总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
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发布时间：2025-07-04 16:27 阅读量：209 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000
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士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　1.产品概述　　士兰微SQ9000是一款车规级LED驱动控制器，采用高精度峰值电流控制模式可支持BUCK、BUCK-BOOST、SEPIC、BOOST等拓扑结构的应用。这款控制器具备 4.5V 至 65V 的极宽输入电压范围，支持开关频率外部可设置，以及具备抖频调制技术，展现出卓越的EMI性能。此产品含有全面的保护功能，包括 LED 过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、开关管限流保护和热关断保护，确保器件在各种情况下的安全稳定运行。此产品完全符合AEC-Q100 Grade1标准，适用于汽车LED前大灯、逃生指示应急照明以及LED通用照明等。　　2.SQ9000产品特点　　基于士兰优异DTI工艺平台自主开发设计——国产方案、自主可控　　宽输入电压范围4.5V--65V，适用于12V、24V电池系统——宽域适配、应用灵活　　宽温度范围内可实现±4%高精度LED恒流——全温稳流、精准调控　　支持模拟调光和PWM调光，可独立控制LED电流——独立控流、双模调光　　集成P沟道MOSFET驱动，对PWM调光信号实现快速响应——P管直驱、瞬态同步　　含有全面的保护功能，以及电流监测和故障状态指示——多重防护、状态反馈　　采用HTSSOP-20带底部散热封装——绿色封装、强化散热　　3.典型应用原理图　　4.整机DEMO　　5.车灯套片方案士兰其他可选产品
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发布时间：2025-06-10 11:02 阅读量：342 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>：车规级SQ9702/3T H桥驱动器：智能栅极驱动，助力高效电机系统
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士兰微：车规级SQ9702/3T H桥驱动器：智能栅极驱动，助力高效电机系统

　　SQ9702/3T是一款单通道 H 桥栅极驱动器，驱动四个外部 NMOS，用于驱动双向刷式直流电机。　　SQ9702/3T具备三种类型控制接口，PH/EN、独立半桥以及PWM。其内部电流采样放大器提供可调的电流控制。其集成的电荷泵可提供 100%占空比支持，而且可用于驱动外部防反电路。　　独立半桥模式支持半桥共享，能够顺序控制多个直流电机，以达到最大的成本效益。SQ9702/3T具备通过固定关断时间的PWM电流斩波来调节绕组电流的功能。　　SQ9702/3T采用了智能栅极驱动技术，无需外部栅极驱动器件(包括电阻和稳压管)，同时可为外部 MOS 提供保护。SQ9703T 的死区时间可进行配置，SQ9702T具有固定的死区时间，其用于避免出现共通击穿问题。SQ9702/3T可通过配置压摆率为降低 EMI 带来便利，还可防止发生任何栅极短路问题。此外，SQ9702/3T提供主动和被动下拉功能，可防止任何 dv/dt引起的栅极误导通。　　特点　　AEC-Q100，Grade 1：-40°C ~125°C　　单通道 H 桥栅极驱动，支持 100%PWM 占空比　　工作电压范围：5.5V~45V　　三种控制接口选择：PH/EN、独立半桥以及 PWM　　SQ9703T具有用于配置的串行接口(SPI)　　智能栅极驱动，压摆率可调　　支持 1.8V、3.3V 和 5V 的逻辑输入　　集成 1 路电流采样放大器，SQ9703T的放大器增益可调　　集成 PWM 电流调节功能　　低功耗睡眠模式　　封装：QFN-32-5x5x0.85-0.5　　内部保护功能　　▫ 欠压锁定：电源欠压(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)▫ 过流保护(OCP)▫ 栅极驱动器故障(GDF)▫ 热关断(TSD)▫ 故障输出指示(nFAULT)▫ SQ9703T具有过温警告(OTW)▫ SQ9703T具有看门狗故障输出(nWDFLT)　　SQ9703T原理图　　整机DEMO
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发布时间：2025-06-10 09:12 阅读量：318 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>发布汽车级DC-DC一级电源解决方案：SQD3430系列
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士兰微发布汽车级DC-DC一级电源解决方案：SQD3430系列

　　产品概述　　随着汽车工业的飞速成长，汽车零部件不断向高集成化发展，这对汽车电源管理芯片的性能提出了更严峻的挑战。　　士兰微推出了汽车级40V/3A同步降压型DC-DC转换器：SQD3430系列。　　它将四大指标做到了业内领先水准：　　①3.0V最低冷启动电压;　　②6μA超低静态电流;　　③86%@1mA超高轻载效率;　　④<7mV极佳负载调整率。　　SQD3430采用QFN12_2x3紧凑型封装，具有良好的EMC电磁兼容特性，满足汽车AEC-Q100标准，使其成为汽车12V蓄电池一级电源的理想选择。　　典型参数与应用场景　　SQD3430的典型参数　　AEC-Q100 Grade1车规级认证　　宽输入电压范围：3.0V-40V　　抛负载(Load Dump)：42V　　冷启动(Cold Crank)：最低至3.0V　　额定输出电流：3A　　开关频率：400KHz / 2.1MHz　　优越的最小导通时间：30ns　　可在所有负载下实现极高转换效率　　◇ 峰值效率 >94% @12VIN 2.1MHz　　◇ 1mA 轻载效率 >86% @12VIN 2.1MHz　　◇ 100μA 极轻载效率 >75% @12VIN 2.1MHz　　超低静态电流　　◇ 6μA 超低休眠电流(VOUT in Regulation)　　◇ <1μA 超低关断电流　　优秀的Load Regulation　　◇ <7mV from 0A-3A　　优秀的EMI特性，通过CISPR 25标准Class5最高等级　　紧凑型封装：QFN12_2x3，可润湿侧翼工艺(Wettable Flanks)　　SQD3430的应用场景　　座舱仪表　　T-BOX　　车灯　　车身域控　　超低待机功耗 极高转换效率　　SQD3430在常温全电压范围内的都具有6μA超低静态工作电流，对于T-BOX、蓝牙钥匙等具有休眠模式的应用场景，可以满足低待机功耗的设计需求。　　SQD3430在全负载范围内具有极高转换效率，尤其是轻载效率表现极佳，在fSW= 2.1MHz、 12VINto 5VOUT 情况下：峰值效率>94% ，1mA轻载效率>86% ，100μA极轻载效率>75%。　　超低静态电流 + 极高转换效率，使SQD3430成为汽车整机低功耗设计的最佳选择!　　冷启动&抛负载　　为了应对寒冷天气下启动蓄电池的电压跌落，电源芯片需保证在冷启动(Cold Crank)不能出现关机行为。如下图模拟了蓄电池启动时电池电压下降至 3.0V 左右，在此情况下SQD3430依旧能保持正常运行。　　详细测试标准参见ISO 16750-2: 2010　　抛负载(Load Dump)是模拟汽车蓄电池在正常充电时，断开蓄电池和发电机的连接而导致交流发电机感性线圈产生电压尖峰的过程。如下图SQD3430，在VIN出现一段被钳位至42V的电压尖峰后依旧能保证正常运行。　　详细测试标准参见ISO 16750-2: 2010　　负载调整率　　在12VIN to 3.3VOUT、空载至满载全负载范围条件下，SQD3430的负载调整率 (Load Regulation) 仅有7mV左右的漂移，其中正负偏移为+5mV(+0.15%)， -2mV(-0.07%)。这一指标也是达到了汽车级同类产品的最佳水准，为客户实现了优越的输出电压准确度保障。
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发布时间：2025-06-04 10:24 阅读量：307 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>新一代家用分体空调核心外机驱动系统
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士兰微新一代家用分体空调核心外机驱动系统

　　自2014年开始，士兰组建国内外多元专家团队，从0到1自主设计开发了一整套变频及电源控制系统算法与软件框架，并提供各类使用手册与开发文档，面向对象的积木式软件架构设计为平台移植与全新组合方案的开发带来极大便利。　　核心算法包含完整的直流变频FOC控制算法，其中包含单电阻无传感控制，弱磁控制，死区补偿，过调制控制，高频注入等通用变频技术;算法还包括各类电源控制PFC算法，如载波高频化，交错式控制，矢量维也纳控制等，可适用于不同功率段，不同电源输入的需求。　　除此之外，我们还将前沿人工智能神经网络算法应用到压缩机自适应转矩补偿等领域。并将压缩机控制、风机控制及PFC控制通过系统级控制优化算法有机结合，以实现最佳的整体工作状态。　　02 Turnkey方案能力　　除算法外，我们还为客户提供快速便捷的一站式Turnkey方案。服务主要包括：软硬件设计服务;各类可视化调试及生产工具支持;软硬件测试报告等。针对新设计的硬件平台，我们配套贴身的底层软件配置及调试服务，最快支持1天完成一套新硬件调试，2天完成一套新组合方案调试。　　主控代码开发移植指导手册能够帮助客户快速且便捷地在我们提供驱动工程上开发或移植自有的主控层代码;自动化参数辨识软件能协助客户5分钟更换新电机;实时信号观测软件，能协助客户解决各类调试问题;自研的调试及烧录工具为客户提供专业可靠的生产及量产服务。　　我们自研的完整的自动化软件测试体系，能从测试测量、波形抓取、测试判断，到报告输出，全部实现自动化软件控制，24小时工作时间可超过熟练工程人员一周测试工作量。　　报告覆盖电网异常、外部干扰、环境应力等多维度测试项目，并具备24小时测试监控，能通过大量的蒙特卡洛随机测试协助发现深层次问题，找到应用边界。　　依托士兰IDM模式优势，我们将在一般家用空调驱动，商空多电机驱动，车载空调驱动，三相维也纳PFC等多个领域中为客户提供专业服务，与客户协同创新，合作共赢。
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发布时间：2024-12-05 13:34 阅读量：865 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>：新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台
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士兰微：新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台

　　围绕多元创新产品，士兰微电子为客户提供一站式的系统解决方案。以家用分体空调核心外机驱动系统为例，士兰微电子设计的“新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台”具有高集成度、高可靠性、小型化、高频化等特点。整体板面尺寸较上一代平台减小23%。基于新一代硬件平台更新的同时，我们还为客户提供先进且灵活的软件变频驱动算法设计服务，以及高效且全面的自动化系统测试评价服务。　　新一代68160系列 / MCU　　芯片整体全新升级芯片引脚兼容国外友商产品;　　使用自主研发全新双核ARM Mstar处理器架构，支持浮点及三角函数运算;　　对比上一代58128系列产品，运算能力提升80%以上，为多电机和高载频控制提供充足的运算资源;　　更高的集成度与扩展性芯片提供更高的集成度，集成多路运放及比较器，充分简化外围电路;　　提供更高的扩展性，68160最多可同时控制三台三相电机和一个通道的两相交错PFC。　　新一代SDH8326BS / AC-DC　　全新的大功率Buck电源设计满足稳态450mA，峰值750mA输出;　　可适用于电子膨胀阀方案;　　小型化贴片SOP16封装设计，提升散热能力，满足自动化贴片生产需求。　　DIP26系列/DIP-2V系列 / IPM　　压机驱动——DIP26系列IPM模块有带DBC和全塑封两种方案可供选择，以便于设计优化。　　风机驱动——2V系列IPM模块提供3A/4A/6A等多种电流规格可选，封装外型有插件或贴片可供选择;　　模块内置欠压，过流，过温，温度输出等功能;　　对比上一代25系列模块外形尺寸减小30%;　　VB端子和VS端子在芯片同侧使电路版图设计更方便，实现小型化。　　PFC系统 / PFC　　PFC系统载波频率的高频化，有效降低PFC电感值50%，成套器件最高可以支持75KHz载波频率应用。　　全新IGBT——SGTP30V60FD2PU使用士兰第五代工艺制作，具有更低的导通损耗和开关损耗。　　最新高速栅极驱动电路——SDH21695内部集成了欠压、过流、使能等功能，保护响应传输时间从500ns缩减至200ns。
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发布时间：2024-08-21 10:12 阅读量：962 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
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士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权

　　天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“MEMS器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN109665488B，授权公告日为2024年7月19日，申请日为2018年12月29日。　　本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：形成CMOS电路;以及在CMOS电路上形成MEMS模块，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，形成MEMS模块的步骤包括：形成保护层;在保护层中形成牺牲层;在保护层与牺牲层上形成第一电极，并形成第一电极与CMOS电路之间的电连接，第一电极覆盖牺牲层;在第一电极上形成压电层，压电层与牺牲层的位置对应;在压电层上形成第二电极，并形成第二电极与CMOS电路之间的电连接;在第一电极上或保护层形成到达牺牲层的通孔;以及经由通孔除去牺牲层形成空腔。该方法制造的MEMS器件灵敏度高同时又显著降低制造成本和改善工艺兼容性。
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发布时间：2024-08-05 14:33 阅读量：986 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子获得德国莱茵TÜV颁发的ISO 26262功能安全管理体系认证证书
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士兰微电子获得德国莱茵TÜV颁发的ISO 26262功能安全管理体系认证证书

　　近日，独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团(以下简称“TÜV莱茵”)正式向杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称“士兰微电子”)颁发ISO 26262 功能安全管理体系ASIL D认证证书。这标志着士兰微电子已成功建立车规产品完整的开发流程和管理体系，符合ISO26262功能安全最高等级“ASIL D”的要求，为设计符合功能安全要求的全品类车规级产品奠定了坚实的基础。　　士兰微电子资深研发副总裁吴建兴先生、汽车电子产品线总监李海锋先生、功能安全项目总负责人徐晖先生、管理体系运营团队负责人周璐女士、功能安全管理体系及产品团队主要成员，TÜV莱茵大中华区工业服务与信息安全总经理赵斌先生、副总经理杨家玥女士等双方代表出席了此次仪式。　　士兰微电子资深研发副总裁吴建兴表示：　　士兰微电子从成立之初，始终坚持走设计制造一体的IDM模式，同时具有芯片设计、制造加工、封装测试能力。这个垂直整合的模式非常适合在汽车电子等综合要求特别苛刻的领域。通过二十多年的发展和积累，士兰微电子已成为国内排名靠前的半导体公司。从2017-2018年开始随着节能电路行业格局发生变化，公司层面由原来的通用消费类业务逐步调整到成长性较好的、关键领域的、社会需要的业务，并围绕这些行业的头部客户进行深度合作，努力成为他们的战略性合作供应商。目前公司诸多产品门类已成功挤进国内领先，甚至国际领先的行列。针对汽车电子领域，士兰微电子依托于IDM模式形成了自己独特的核心竞争力，不仅大大提高了产品的交付能力和质量控制能力，而且通过实践对集成产品开发流程IPD的理解越来越深，已着手将功能安全管理体系流程和角色导入到现有的IPD流程;此外，士兰微电子有多条特色的产品线资源，可以高效聚焦在汽车电子领域的突破和提升。　　士兰微电子汽车电子产品线总监李海锋表示：　　从可视市场空间来看，汽车是仅次于计算和无线的第三大市场，其2021-2030年复合增长最快，所以汽车领域也是国内包括士兰微电子在内主要半导体公司重点投入的方向。士兰微电子是一家IDM公司，包括汽车电子在内的产品会延续这个基因。以汽车执行器来分解，士兰微电子功率器件产品已进入国内的头部供应商之列，并建立起和整车厂、Tier 1在内的主流车企的深度合作关系。基于此，为更好地满足客户需求，发挥出IDM模式的优势，士兰微电子已着手研发配套的功率驱动、电源、传感器等全品类产品，未来将朝着数字化、集成化、功能安全化方向持续深耕车规产品的研发。期望和TÜV莱茵在功能安全上持续合作，携手共进。　　TÜV莱茵工业服务与信息总经理赵斌表示：　　恭喜士兰微电子顺利通过ISO26262功能安全管理体系认证。此次ISO26262功能安全管理体系证书的颁发，是对士兰微电子高效、务实团队的肯定。TÜV莱茵秉承着一直以来对安全的理解，以专业、严谨、高质量的认证服务，为客户提供优质服务。未来，TÜV莱茵期待为士兰微电子在产品功能安全、网络安全等方面提供专业的一站式优质服务与技术保障，以进一步增强士兰微电子在国内外市场上的产品综合竞争力。同时TÜV莱茵也将凭借在安全领域的技术优势和丰富的行业经验，期待和士兰微电子在一些新的领域共同探索新的标准和新的产品方向，进一步加强合作，实现"全面安全"。　　ISO 26262是全球公认的汽车功能安全标准，该标准涵盖功能安全需求规划、设计、实施、集成、验证、确认、配置等方面，旨在通过完善的开发流程，将汽车电气或电子系统故障的风险降到最低，并于2018年12月正式发布了最新版本。目前，ISO 26262功能安全认证已成为电子零部件供应商进入汽车行业的准入门槛之一。
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发布时间：2024-04-22 13:46 阅读量：918 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>49.6亿元定增完成，拟用于SiC功率器件生产线等项目
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士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC功率器件生产线等项目

　　近日，士兰微49.6亿元定增完成，定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　 11月24日消息，近日，士兰微发布的向特定对象发行股票发行情况报告书显示，公司完成发行2.48亿股公司股份，发行价为20元/股，募集资金总额49.60亿元，募集资金净额约49.13亿元。　　定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　　8月29日，士兰微公告称，为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进，拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元，认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明镓”）新增注册资本。　　天眼查APP显示，士兰明镓11月7日发生工商变更，注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元，国家大基金二期完成入股，士兰微获得士兰明镓控制权。而此次公司定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体，正是士兰明镓。　　借助本次募投项目的建设，士兰微将进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比，推进产品结构升级转型，形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势。　　值得一提的是，士兰微已经连续受到国家大基金二期的青睐。今年5月22日，士兰微公告称，公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本，其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。　　在本次认购中，国家大基金二期出手认购的股数也是此次投资者中最多的，达6197.50万股，共斥资12.40亿元，占到士兰微本次总募资的25%。
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发布时间：2023-11-27 09:55 阅读量：1874 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>49.6亿定增完成，大基金二期12.4亿元认购
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士兰微49.6亿定增完成，大基金二期12.4亿元认购

　　11月22日，半导体IDM公司士兰微发布向特定对象发行股票发行情况报告书，公司完成发行2.48亿股公司股份，发行价为20元/股，募集资金总额49.60亿元，募集资金净额约49.13亿元。　　士兰微是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。　　士兰微目前的产品和研发投入主要集中在以下五个领域，分别为功率半导体和半导体化合物器件、功率驱动与控制系统、MEMS传感器、ASIC产品、光电产品。　　士兰微本次定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目(一期)和补充流动资金。　　士兰微表示，本次募投项目的实施，有助于公司进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比，推进产品结构升级转型;有助于公司形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势，从而增强客户服务能力和市场竞争力，持续巩固公司的国内半导体 IDM 龙头企业优势地位;有助于公司提高行业话语权和国际影响力，助力公司打造具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商的战略发展目标。　　此次成功认购士兰微股份的投资者既有国家级基金，也有多家头部公募基金与知名外资机构，其中包括国家大基金二期、北京首钢产业转型基金、财通基金、诺德基金、天安人寿保险、中国人寿资管、摩根士丹利、UBS AG等14名对象获配，限售期均为6个月。　　值得一提的是，国家大基金二期认购的股数也是此次投资者中最多的，认购股票达6197.50万股，拟认购金额为12.4亿元，占到士兰微本次总募资的25%。　　今年5月22日，士兰微公告称，公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本，其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。　　8月29日，士兰微公告称，为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进，拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元，认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(以下简称“士兰明镓”)新增注册资本。　　天眼查显示，11月7日，士兰明镓发生工商变更，注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元，国家大基金二期完成入股，士兰微获得士兰明镓控制权，持股比例将从原来的34.72%增至48.16%，大基金二期将持有士兰明镓14.11%股权。而士兰明镓是士兰微本次定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体。　　士兰微在此前的业绩说明会上表示，在SiC产器件和模块方面，汽车主驱PIM模块、OBC单管等已经上车，客户包括吉利、零跑、威迈斯等，更多客户在导入验证中。SiC芯片方面，士兰明镓的 6吋SiC芯片产能将在年底达到6000片/月，较当前3000片/月翻一番。并称，SiC产能在抓紧进行，客户端导入也同步展开，但达到盈利规模的满产需要一定时间。
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发布时间：2023-11-24 17:42 阅读量：2416 继续阅读>>

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