<span style='color:red'>士兰微</span>电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工
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士兰微电子迎来双线里程碑：8英寸碳化硅产线通线，12英寸高端模拟芯片产线同步开工

　　2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。士兰微电子董事长陈向东，副董事长、总裁郑少波，副董事长、制造事业总部总裁范伟宏分别致辞，中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰致辞祝贺。来自全国各地的客户及嘉宾齐聚一堂，共同见证士兰微电子在第三代半导体和高端模拟芯片领域的能级跃升。　　此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线，是士兰微电子自主研发且规模化量产的8英寸碳化硅芯片生产线，成功突破了8英寸碳化硅晶圆在制造过程中的多项核心工艺难题，标志着士兰微电子在第三代半导体领域实现从技术突破到规模化交付的关键跨越。项目总投资120亿元人民币，分两期建设，全部达产后将形成年产72万片8英寸SiC芯片的生产能力。此次通线的一期项目计划于2026年至2028年逐步实现产能爬坡，达产后可形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。该产线将重点服务于新能源电动汽车、光伏、储能、充电桩、大型白电、AI服务器电源、工业电源等应用场景，助力客户提升系统能效与功率密度。　　同步开工的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，规划投资100亿元人民币，聚焦汽车、大型算力服务器、机器人、风光储、工业、通讯等高端应用，计划于2027年四季度初步通线，并于2030年实现达产，届时将形成年产24万片12英寸模拟集成电路芯片的生产能力。项目的二期规划将在一期基础上再投资100亿元人民币，两期建设全部完成后，将共同形成年产54万片12英寸高端模拟集成电路芯片的生产能力。该项目的建设，将进一步强化士兰微电子在特色工艺与高端模拟芯片领域的自主制造能力。　　士兰微电子董事长陈向东表示，两条产线的推进，不仅是产能的扩充，更是我们与客户构建技术协同、供应稳定、响应敏捷的合作体系的重要基础。士兰将持续投入研发，优化工艺，致力于成为客户值得信赖的“芯片伙伴”。　　公司副董事长、制造事业总部总裁范伟宏在介绍项目进展时强调，8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工建设，是士兰发展历程中的重大里程碑，将进一步完善士兰在化合物半导体和高端模拟芯片领域的自主制造能力，更好地为各位客户在系统集成与性能优化方面提供坚实、灵活的解决方案。　　公司副董事长、总裁郑少波在晚宴致辞中回顾了公司在碳化硅功率器件和高端模拟电路领域取得的成果，并重申公司将以“质量为先、技术为核、交付为诺”为核心，全力提升产品竞争力与客户满意度。他表示，面对汽车电动化、智能化与AI算力爆发的时代机遇，士兰愿与客户携手共创解决方案，推动产业高效、智能、绿色发展。　　中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰在致辞中表示，士兰微电子已经成长为国内在家电和车规电子应用领域的头部企业，此次8英寸碳化硅的通线和12英寸高端模拟集成电路产线的开工，是士兰微电子发展史上的重要里程碑，士兰微的宏大愿景与时代的发展及国家的战略是契合的。　　活动期间，与会嘉宾还参观了位于海沧区的8英寸碳化硅芯片生产线与12英寸硅芯片生产线现场，并听取了士兰微电子在汽车主驱、OBC、域控制器及算力服务器等相关领域的最新技术和产品的汇报。　　此次双线并举，是士兰微电子深耕半导体产业、强化自主制造能力的重要战略布局，也将为中国半导体产业链的自主化与高质量发展注入新的活力。
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发布时间：2026-01-05 16:05 阅读量：349 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子荣获“国产半导体领军品牌”
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士兰微电子荣获“国产半导体领军品牌”

　　12月10日，以“智能破界，万物共生”为主题的2025物联网产业大会暨第22届慧聪品牌盛会在深圳隆重举行。士兰微电子凭借在半导体领域的技术实力与市场影响力，成功荣获 “国产半导体领军品牌” 。　　本次大会聚焦物联网技术与产业融合，汇聚行业专家、企业代表与生态伙伴，共同探讨智能化时代的创新路径与发展机遇。士兰微电子在评选中脱颖而出，体现了行业与市场对公司技术积累、产品竞争力及品牌价值的高度认可。作为国内集成电路设计与制造一体(IDM)的龙头企业，士兰微电子长期致力于集成电路、功率器件、化合物半导体等领域的研发与制造，产品广泛应用于物联网、安防、汽车、新能源、工业控制、算力服务器、消费电子等多个关键领域。公司持续推动技术创新与产业协同，为下游客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案，助力万物互联的智能化转型。　　此次获奖，不仅是一份荣誉，更是一份责任。未来，士兰微电子将继续坚持自主创新，深化产业布局，携手合作伙伴共同推动国产半导体产业的蓬勃发展，为构建智能、融合、共生的物联网生态贡献更多力量。
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发布时间：2025-12-19 11:07 阅读量：432 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块
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士兰微新品 | D6封装FS5+ IGBT 1400V600A INPC三电平模块

　　新品　　士兰微电子推出新一代组串电站逆变模块解决方案，采用与国际TOP友商最先进芯片技术对标的FS5+ IGBT芯片技术，最大化光伏电能转换效率;搭配士兰自主开发的D6封装，全面支持2000V系统应用需求。　　产品型号　　SGM600TL14D6TFD　　产品拓扑　　产品特点　　采用FS5+ 1400V IGBT 技术，损耗低，效率高，降低系统成本　　长时持续运行工况Tjop 175℃　　集成1400V SiC SBD　　1.1倍标称BV下限管控，适配于工业新能源应用　　5000m海拔下，安规满足2kV系统电压要求，封装可兼容PV输入1500V系统和PV输入2000V系统　　采用最优的封装技术及材料，满足长时175℃高可靠性要求　　高功率密度，高效率，模块支持输出功率高　　有一体焊接针和压接针两种方案可选，满足不同客户的安装要求　　应用领域　　光伏　　储能　　开发背景　　光伏电站的BOS成本逐年下降，为降低光伏电站的BOS成本，行业主要围绕两大技术路径持续优化：一是提升逆变器单机功率，以减少设备数量、节约安装空间;二是增加组件串联数量，以提升直流侧电压、节省线缆并减少逆变器用量。在此趋势下，士兰微电子自主开发了新一代功率模块，具备高功率密度、低运行损耗和高可靠性等优势，可有效支持高电压、大功率逆变器的技术进阶，助力光伏产业持续降低BOS成本，推动行业向更高效、更经济的方向发展。
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发布时间：2025-12-19 11:02 阅读量：437 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>12英寸芯片生产线项目迎来最新进展
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士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展

　　12月17日，士兰微(600460.SH)发布公告称，公司与厦门方面合作的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目已获厦门市备案，标志着该项目正式进入落地实施阶段。　　该项目一期投资100亿元，其中资本金60.10亿元，项目由合资公司厦门士兰集华微电子有限公司实施，目标建成月产能2万片。　　对外投资概述　　杭州士兰微电子股份有限公司于2025年10月18日与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微电子有限公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　根据《战略合作协议》和《投资合作协议》，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称“士兰集华”)”，作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。一期项目投资100亿元，其中资本金60.10亿元，建成后形成月产能2万片。　　此前10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子股份有限公司正式签署战略合作协议，决定在海沧投资建设一条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，项目规划总投资达200亿元。　　根据士兰微的公告，该项目由公司联合全资子公司厦门士兰微，与厦门半导体投资集团、厦门新翼科技实业共同向子公司士兰集华增资51亿元，作为项目实施主体。项目计划分两期建设，一期投资100亿元，主要用于建设主体厂房、配套库房等设施，计划于2025年年底前开工建设，2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，届时将形成月产能2万片的规模。二期项目规划投资100亿元，在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片，对应年产量54万片。　　据悉，这条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化(IDM)模式运营，拥有完全自主知识产权。其产品主要面向汽车电子、工业控制、新能源、通信等高端应用领域，有望填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白。
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发布时间：2025-12-18 14:44 阅读量：452 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级
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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
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发布时间：2025-12-10 17:20 阅读量：449 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户
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士兰微电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户

　　近日，在深圳举办的“2025行家极光奖”颁奖典礼上，士兰微电子凭借在碳化硅(SiC)领域的持续创新与深厚积累，一举斩获三大奖项：“中国SiC器件IDM十强企业”、“中国SiC模块十强企业”以及“第三代半导体年度创新产品”。　　此次获奖，不仅是对士兰微电子全产业链整合能力与技术实力的高度认可，也体现了我们在SiC器件与模块领域的行业引领地位。作为国内少数具备设计、制造、封测一体化能力的IDM企业，我们始终致力于实现关键技术自主可控，保障产能稳定供应，助力客户实现更优成本与更高性能。　　荣获“年度创新产品”的ZPAK 4 Die SiC模块(型号：SSM2R1PB12EZ1BTFM)，是杭州士兰微电子股份有限公司和致瞻科技(上海)有限公司联合开发的高性能功率模块。该产品采用自主研发的第四代平面栅SiC芯片，在极小体积内实现高功率密度与低系统杂感，并内置高精度温度采样功能，响应更迅捷，性能更稳定，为新能源汽车客户提供高效可靠的系统解决方案。　　每一份荣誉，都是前进的动力。士兰微电子将继续深耕第三代半导体技术，坚持以创新驱动发展，以更优质的产品与服务，与客户携手共进，助力产业升级，共创绿色高效的未来。
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发布时间：2025-12-10 17:19 阅读量：429 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”
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士兰微推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”

　　近期，国家发改委、能源局联合印发了《新型储能规模化建设专项行动方案(2025—2027年)》，发挥新型储能支撑建设新型能源体系和新型电力系统作用，培育能源领域新质生产力，进一步扩大内需，推动新型储能规模化建设和高质量发展。　　这标志着新型储能发展进入规模化建设新阶段。“光伏+储能”已不再是可选项，而是必然趋势。对于逆变器厂商而言，这既是机遇，也是挑战——如何打造更高效率、更可靠、更能适应市场化竞争的光储产品?　　一、逆变器迎来“升维”挑战　　当前，光伏行业正经历新一轮的变革。一方面，光伏、储能应用场景对逆变器的效率、功率密度要求高，主流光伏组串逆变器的功率正从320kW向450kW+迈进，设备亟需“减重增肌”;另一方面，储能装机规模激增，光储深度融合对逆变器的转换效率、功率密度和长期可靠性提出了近乎苛刻的要求。　　与此同时，全国范围内新能源上网电价市场化改革全面推进，光伏电站的收益将直接由市场交易决定。这意味着，逆变器的每一分效率提升、每一处可靠性增强，都将直接转化为电站业主的真金白银。　　核心的突破口，就在于逆变器的“心脏”——功率半导体。　　二、士兰微三电平拓扑模块的特点　　面对行业挑战，士兰微电子基于完全自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术，推出了SGM600TL14D6TFD三电平拓扑模块。它并非简单的部件升级，而是为应对下一代光储2kV系统设计的功率器件半导体解决方案。　　该方案采用最新的FS5+IGBT芯片技术，实现光伏新能源转换效率最大化;采用士兰自主开发D6封装：可选焊接和压接，可满足2kV系统安规要求。　　01 为何它能提升效率?　　核心在于“三电平拓扑”与“低损耗芯片”　　“三电平拓扑”结构相比传统的两电平拓扑有两方面的优势：一是可以用低电压规格芯片满足高电压应用场景，一般来说，功率器件的电压越低，同等条件下损耗越低，采用低电压规格芯片可以提升效率;二是三电平技术开关电压只有半bus电压，开关损耗近似只有两电平的一半，也可带来效率的提升;另外，开关电压减半，dv/dt也近似减半，可降低功率器件开关的电磁干扰。　　假如把传统的两电平技术比作单档位的汽车，提速慢且费油。那么三电平技术则像一台多档位变速器，换挡更平顺(开关损耗降低近一半)，运行更安静(电磁干扰EMI显著减小)，从而让能量转换一路“畅通无阻”。　　更重要的是，士兰SGM600TL14D6TFD模块采用了士兰微最新一代FS5+微沟槽IGBT芯片，其本身的导通损耗和开关损耗就更低。“低VCE(sat)”特性让电流通过时的“阻力”更小，如同拓宽了高速公路，减少了拥堵和能量浪费。　　02 为何它能助力设备小型化?　　秘诀是“高电流密度”与“高开关频率”　　组串电站光伏逆变器的发展趋势是提升功率，且逆变器体积要小、重量不能增加太多。士兰SGM600TL14D6TFD模块具有“高电流密度”与“高开关频率”的特性，可以提升芯片的通流能力、降低功率器件的损耗，提升逆变器的效率。　　“高电流密度”意味着在同样大小的芯片面积上，能通过更大的电流，这直接允许逆变器在功率大幅提升的同时，不必被迫使用更庞大的散热系统。　　同时，“低开关损耗”使得逆变器可以运行在更高的开关频率下，低损耗使得散热器尺寸更小，减小了外围无源器件的体积和成本，从而降低了整机成本。　　这带来的直接好处是：逆变器后端的电感和电容等磁性元器件的体积可以做得更小。两项技术结合，共同实现了逆变器“功率提升，体积不增”的轻量化设计。　　03 为何它更可靠?　　凭借“正温度系数”与“铜底板技术”　　光伏、储能应用场景对逆变器的可靠性要求越来越高，光伏逆变器和储能变流器生命周期长，对模块的长期可靠性要求高，对模块的芯片和封装都提出了严苛的要求，芯片和封装175℃结温下要求满足长期可靠性要求，封装要求满足高功率循环和温度循环能力。　　在需要多芯片并联的大功率模块中，最怕的就是“有的芯片忙死，有的芯片闲死”。“正温度系数”就像一个自动调节系统：当某个芯片因电流过大而温度升高时，其自身电阻会略微增大，从而抑制电流的继续增加，实现了芯片间的“均富济贫”，确保了系统在高温下的稳定运行。　　此外，模块采用的“铜底板技术”其导热性更好，能快速将芯片产生的热量均匀散开，避免局部“高烧”。这不仅提升了散热效率，其更大的热容量还能“熨平”温度波动，显著提升模块在严苛环境下的使用寿命。　　三、客户价值：从技术参数到商业收益的直观转化　　对于逆变器制造商和终端电站投资者而言，SGM600TL14D6TFD模块带来的价值是清晰可量化的：　　支持功率跃迁：当前光伏组串电站整机大多为320kW，士兰SGM600TL14D6TFD模块支持整机功率提升至500kW@16kHz、450kW@24kHz，且支持系统电压提升到2kV。　　显著降低系统成本：对于一个既定容量的电站，逆变器用量可减少约40%，相应的电缆、施工、土地等建造成本也随之下降。据某行业标杆客户参考数据，按100G瓦的装机容量计算，在整个光伏电站的生命周期里，因电压提升就可以带动收益约165亿元人民币。　　提升市场竞争力：在电价市场化交易中，更高的逆变器效率意味着在同等光照条件下能有更多电力上网交易，直接提升电站收益;模块的高可靠性也保障了电站在沙漠、沿海、高海拔等多样环境下的长期稳定运行，减少运维开支。　　四、携手士兰，共创光储未来　　士兰微电子作为国内少数拥有“芯片设计-晶圆制造-封装测试”全产业链能力的IDM企业，始终致力于以持续稳定的产能供应、敏捷高效的技术响应以及具备竞争力的成本优势，为客户创造长期价值。　　在光储充赛道，士兰微电子已打造出覆盖Si基IGBT分立器件与模块、MOS分立器件，SiC基MOS分立器件与模块、SBD分立器件，以及Si基和SiC混合模块方案的完整产品矩阵。这些产品在功率密度与能效方面表现卓越，助力系统效率不断突破。　　展望未来，士兰微电子期待与您同行，以自主“芯”动力，共创光储新标杆，携手迈进绿色能源新时代。
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发布时间：2025-11-10 13:40 阅读量：603 继续阅读>>
200亿！<span style='color:red'>士兰微</span>拟投在厦门建设12英寸芯片生产线
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200亿！士兰微拟投在厦门建设12英寸芯片生产线

　　10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》，计划投资200亿元在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。10月19日晚间，士兰微正式发布公告，详细介绍了该项投资合作。　　士兰集华为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体。士兰集华成立于2025年6月，目前尚未产生营业收入。　　项目规划总投资200亿元　　公告显示，为加快完善士兰微在半导体产业链的布局，公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府于10月18日在厦门市签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技于同日签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　依据上述协议，士兰集华作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。该项目规划总投资200亿元，规划产能4.5万片/月，分两期实施。　　一期项目投资100亿元(其中：资本金60.1亿元、占60.1%，银行贷款39.9亿元、占39.9%)建设主体厂房、配套库房、110KV变电站、动力站、废水站、大宗气站等公用辅助设施以及部分工艺设备购置，建成后形成月产能2万片;二期项目规划投资100亿元，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片(年产54万片)。　　士兰集华一期项目资本金为60.1亿元，本次拟新增的注册资本为51亿元，由士兰微及厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技以货币方式共同认缴，其中：公司和厦门士兰微合计认缴15亿元，厦门半导体认缴15亿元，新翼科技认缴21亿元。本次出资无溢价。本次增资完成后，士兰集华的注册资本将由0.1亿元增加至51.1亿元。一期项目资本金中剩余的9亿元由后续共同引进的相关其他投资方认缴出资。　　二期项目规划投资100亿元，在一期项目的基础上实施(暂定其中60.1亿元为资本金投资，其余39.9亿元为银行贷款)，具体方案需各方在完成相关审批流程后，另行签署投资协议等相关文件。　　士兰集华目前注册资本为1000万元，全部由士兰微以货币方式出资。士兰集华目前处于项目前期筹备阶段，尚未产生营业收入。　　上半年业绩同比扭亏　　士兰微2025年半年报显示，公司专注于硅半导体、化合物半导体产品的设计与制造，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件产品。　　2025年上半年，公司实现营业收入63.36亿元，同比增长20.14%;实现净利润2.65亿元，同比扭亏为盈。　　对于下半年市场情况，士兰微在最新披露的投资者关系记录表中表示，下半年特别是第四季度是汽车市场的旺季，也是白电市场的旺季，公司会处在产销紧平衡的状态。其他消费、工业板块预估维持上半年状态。
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发布时间：2025-10-21 15:10 阅读量：743 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子车载线性稳压器解决方案 为汽车电子提供稳定可靠的电源保障
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士兰微电子车载线性稳压器解决方案 为汽车电子提供稳定可靠的电源保障

　　SQ78/78M/317系列　　在汽车电子系统日益复杂的今天，稳定的电源是保证汽车ECU、传感器、信息娱乐系统等关键部件正常运行的基础。士兰微电子近期推出了一系列通过AEC-Q100认证的车规级线性稳压器，为各类汽车应用提供高效、可靠、高性价比的电源管理解决方案。　　PART 01 产品概述　　士兰微电子SQ78/78M/317系列线性稳压器芯片专为应对苛刻的汽车电子环境而设计。产品可以直接连接汽车电池，具备40V的宽输入电压范围，支持瞬态电压高达42V，可以满足汽车冷启动及启停工况下正常工作。　　该系列产品提供5V、12V、15V、18V等多种固定输出电压版本，满足不同用电芯片的需求;同时提供输出电压可调(1.25V至37V)型号，为定制化设计提供高度灵活性。系列中不同型号可提供500mA或1A的持续输出电流，并全面集成了过流保护、输出短路保护及过温保护功能，构筑起坚固的安全防线，极大提升了系统的可靠性与使用寿命。　　器件支持-40℃至125℃的宽工作温度范围，符合汽车级应用标准，并提供SOT-223、TO-252等多种封装形式，满足不同设计需求。　　PART 02 封装支持　　PART 03 产品特性　　AEC-Q100车规级认证　　工作温度范围：-40℃~125℃　　最大输入电压：40V　　输出电压范围：　　①固定输出：5V、12V、15V、18V　　②可调输出：1.25V~37V　　输出电流范围：　　①SQ78系列：1A　　②SQ317、SQ78M系列：500mA　　集成过流保护，输出短路保护，过温保护功能　　PART 04 典型应用场景　　本系列线性稳压器芯片广泛应用于需要高质量、高可靠性电源的汽车电子领域，是主驱、辅驱系统、电池管理系统(BMS)、车载充电机(OBC)、助力转向(EPS)、车身域系统的理想选择。　　PART 05 产品选型　　士兰微电子SQ78/78M/317系列线性稳压器以车规级的标准、稳健的性能和丰富的产品组合，为汽车电子系统提供了高效、安全、可靠的电源解决方案。无论是在复杂的电磁环境中，还是在极端的温度条件下，该系列产品都能保障供电的持续稳定，助力提升整车电气系统的安全性与可靠性。
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发布时间：2025-08-26 10:50 阅读量：836 继续阅读>>
投入达15亿，<span style='color:red'>士兰微</span>汽车半导体封装二期项目奠基
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投入达15亿，士兰微汽车半导体封装二期项目奠基

　　2025 年 7 月 23 日上午，成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目奠基仪式在金堂县淮口镇成阿工业集中发展区隆重举行。此次奠基标志着该项目正式进入建设实施阶段，对于推动成都半导体产业发展、提升汽车半导体封装能力具有重要意义。　　成都士兰汽车半导体封装项目(二期)由杭州士兰微电子股份有限公司投资建设，项目总投资达 15 亿元。据悉，该项目将新建 7.9 万平方米的厂房及配套设施设备，并对汽车级功率模块和功率器件封装生产线进行扩建。建成后，将进一步提升成都士兰在汽车半导体封装领域的生产能力和技术水平。　　杭州士兰微电子股份有限公司相关负责人在奠基仪式上表示，士兰微一直致力于半导体产业的研发与生产，成都士兰作为公司的重要布局，在过去的发展中取得了显著成绩。此次二期项目的启动，将进一步强化公司在汽车半导体领域的竞争力，为市场提供更多高品质的产品和服务。　　获悉，随着成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目的开工建设，成都半导体产业将迎来新的发展机遇，有望在汽车半导体封装领域取得更大突破，为我国半导体产业的发展贡献更多力量。
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发布时间：2025-07-28 13:09 阅读量：1158 继续阅读>>

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