温压二极管
温压二极管是一种将温度传感与压力检测功能集成于单一芯片的特殊半导体器件，通过半导体材料热电特性与压阻效应的协同作用实现多参数测量。这种创新传感器结构突破了传统单功能传感器的局限，在复杂环境监测和工业过程控制中展现出独特优势。
1.1热电效应基础
基于Seebeck效应，当器件两端存在温度梯度时产生热电势(ΔV=αΔT)，其中α为塞贝克系数。半导体材料的α值通常为100-500μV/K，远高于金属材料，确保足够的温度灵敏度。
1.2压阻效应机制
半导体晶格在机械应力作用下发生形变，导致载流子迁移率变化和能带结构调整。硅材料的压阻系数π≈(50-80)×10⁻¹¹Pa⁻¹，施加10MPa压力时电阻变化可达4-6%。
1.3交叉耦合特性
温度变化通过热膨胀系数影响机械应力(Δσ=EαₜΔT)，压力变化则通过绝热压缩引起温度波动(ΔT=βTΔP/ρCₚ)。设计时需通过结构优化将非目标耦合效应抑制在5%以下。
2.1敏感元设计
温度敏感区：采用多晶硅或SiC热电堆结构，典型包含16-32对热电偶，灵敏度1-5mV/K
压力敏感膜：方形或圆形硅膜片，厚度50-200μm，边缘集成压敏电阻桥
隔离结构：二氧化硅或氮化硅应力缓冲层，降低封装应力影响
2.2制造工艺流程
双面抛光硅片热氧化生长1μm SiO₂
背面光刻并KOH各向异性腐蚀形成压力膜
正面沉积掺杂多晶硅并光刻形成热电偶
背面溅射Cr/Au形成压力电极
阳极键合玻璃基板完成真空密封腔
3.1温度检测特性
测量范围：-40~150℃(工业级)，-196~300℃(特种级)
精度：±0.5℃(校准后)，±2℃(全温区)
响应时间：10-100ms(取决于封装形式)
3.2压力检测特性
量程：10kPa-10MPa(表压/绝压)
非线性误差：<0.5%FS(激光修调后)
过载能力：200%额定压力(不损坏)
3.3交叉灵敏度
温度对压力影响：<0.05%FS/℃(带温度补偿)
压力对温度影响：<0.01K/MPa(结构解耦设计)
4.1专用接口电路
温度通道：低噪声仪表放大器(增益100-500)+ 24位Σ-Δ ADC
压力通道：恒流源激励(1mA)+ 差分放大器
数字补偿：片上EEPROM存储校准系数，实时多项式修正
4.2温度补偿算法
采用三维查找表法：
基础公式：Pₛ=Pₘ[1+α₁(T-T₀)+α₂(T-T₀)²]
典型系数：α₁≈-0.1%/℃，α₂≈0.005%/℃²
动态补偿：基于热时间常数的瞬态修正
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